公开(公告)号：CN101954617B

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN200910055069.3

申请日：2009-07-20

Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心

Inventor： 王康平 ,  杨卫桥 ,  李抒智 ,  周颖圆 ,  马可军 ,  刘少龙 ,  孙刚

IPC: B24B29/02

Abstract: 本发明提供一种铝酸锂晶片的化学机械抛光方法，包括：采用具有第一浓度的抛光液对所述铝酸锂晶片进行第一阶段化学机械抛光；采用具有第二浓度的所述抛光液对所述铝酸锂晶片进行第二阶段化学机械抛光；所述第二浓度低于第一浓度，所述抛光液为碱性Al2O3抛光液。与现有技术相比，使用碱性的Al2O3抛光液对铝酸锂晶片进行化学机械抛光后，再用清水即可完成对铝酸锂晶片的抛光，不必再经过退火步骤。此外，由于Al2O3抛光液的中Al2O3粒径小，磨削效率高，分散性好，因此能够实现低粗糙度和无划痕的目的。实验结果表明，抛光后的铝酸锂晶片的表面粗糙度小于0.4nm。

公开(公告)号：CN101954617A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200910055069.3

申请日：2009-07-20

Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心

Inventor： 王康平 ,  杨卫桥 ,  李抒智 ,  周颖圆 ,  马可军 ,  刘少龙 ,  孙刚

IPC: B24B29/02

Abstract: 本发明提供一种铝酸锂晶片的化学机械抛光方法，包括：采用具有第一浓度的抛光液对所述铝酸锂晶片进行第一阶段化学机械抛光；采用具有第二浓度的所述抛光液对所述铝酸锂晶片进行第二阶段化学机械抛光；所述第二浓度低于第一浓度，所述抛光液为碱性Al2O3抛光液。与现有技术相比，使用碱性的Al2O3抛光液对铝酸锂晶片进行化学机械抛光后，再用清水即可完成对铝酸锂晶片的抛光，不必再经过退火步骤。此外，由于Al2O3抛光液的中Al2O3粒径小，磨削效率高，分散性好，因此能够实现低粗糙度和无划痕的目的。实验结果表明，抛光后的铝酸锂晶片的表面粗糙度小于0.4nm。