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公开(公告)号：CN101276868A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810037354.8
申请日：2008-05-13
Applicant: 上海大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及了一种通过结构优化提高出光效率的发光二极管芯片及其制造工艺，它包括p型金pad、n型金pad、发光有源层、衬底、透明电流扩展层、填充体，其中发光有源层通过MOCVD设备生长在衬底上，其中间有一层过渡层，填充体填充在发光有源层被刻蚀的一个孔里，透明电流扩展层通过薄膜生长技术生长在发光有源层表面，p型金pad蒸镀在透明电流扩展层上面，n型金pad在发光有源层被刻蚀掉的一个角位置上，本发明避免了发光有源层耗能不出光的缺陷，从而达到提高出二极管的出光效率。
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公开(公告)号：CN101789479A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010102725.3
申请日：2010-01-29
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种透明电发光二极管及其制作方法。本发光二极管包括：蓝宝石衬底、缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓、氧化锌基透明电流扩展层、n型金属电极(PAD)、p型金属电极(PAD)，其中缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓是在MOCVD中依次生长完毕；氧化锌基透明电流扩展层是利用磁控溅射方法沉积在p型氮化镓表面；用湿法刻蚀将氧化锌透明导电层腐蚀掉，再利用干法刻蚀将n型氮化镓暴露出来，利用热蒸发或电子束蒸发等薄膜沉积方法生长金属电极。氧化锌材料湿法腐蚀简单，彻底、快捷。氧化锌透明电极提高了LED芯片光提取效率，从而提高LED芯片的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101281947A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810037738.X
申请日：2008-05-20
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及了一种通过新结构提高出光效率的发光二极管芯片及其制造工艺，包括包基材、芯片发光部分；其特征在于有一个上表面淀积一层绝缘层的导热性能优越的基材，其上刻蚀出跟所述芯片部分匹配的凹槽，在凹槽内部表面淀积有反光层，芯片发光部分被植入凹槽，在芯片发光部分最上部以及凹槽周壁上表面制作有透明电极层，p型金pad延伸至发光面外部对应于凹槽周壁上面透明电极层的上表面，本发明通过凹槽反光提高了发光二极管芯片的出光效率。
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公开(公告)号：CN101771119A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN201010102817.1
申请日：2010-01-29
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化锌基透明电发光二极管及其制作方法。本发光二极管包括：蓝宝石衬底、缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓、氧化锌基透明电流扩展层、n型金属电极(PAD)、p型金属电极(PAD)，其中缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓是在MOCVD中依次生长完毕；利用干法刻蚀将n型氮化镓暴露出来，利用光刻胶掩膜的方法是利用磁控溅射方法沉积氧化锌基透明电流扩展层，然后再利用热蒸发或电子束蒸发等薄膜沉积方法生长金属电极。该芯片制备工艺先进行p型氮化镓的刻蚀，再进行氧化锌透明电极的沉积，克服了氧化锌与氮化镓不同材料需分别刻蚀的问题。而且由于无须刻蚀氧化锌电极层，节约了工艺时间，简化了生产工艺，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN101281947B
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200810037738.X
申请日：2008-05-20
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及了一种通过新结构提高出光效率的发光二极管芯片及其制造工艺，包括包基材、芯片发光部分；其特征在于有一个上表面淀积一层绝缘层的导热性能优越的基材，其上刻蚀出跟所述芯片部分匹配的凹槽，在凹槽内部表面淀积有反光层，芯片发光部分被植入凹槽，在芯片发光部分最上部以及凹槽周壁上表面制作有透明电极层，p型金pad延伸至发光面外部对应于凹槽周壁上面透明电极层的上表面，本发明通过凹槽反光提高了发光二极管芯片的出光效率。
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公开(公告)号：CN101771119B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201010102817.1
申请日：2010-01-29
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化锌基透明电发光二极管及其制作方法。本发光二极管包括：蓝宝石衬底、缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓、氧化锌基透明电流扩展层、n型金属电极(PAD)、p型金属电极(PAD)，其中缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓是在MOCVD中依次生长完毕；利用干法刻蚀将n型氮化镓暴露出来，利用光刻胶掩膜的方法是利用磁控溅射方法沉积氧化锌基透明电流扩展层，然后再利用热蒸发或电子束蒸发等薄膜沉积方法生长金属电极。该芯片制备工艺先进行p型氮化镓的刻蚀，再进行氧化锌透明电极的沉积，克服了氧化锌与氮化镓不同材料需分别刻蚀的问题。而且由于无须刻蚀氧化锌电极层，节约了工艺时间，简化了生产工艺，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN101777616A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010102816.7
申请日：2010-01-29
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化锌基透明电极发光二极管及其制作工艺。本发光二极管包括：在蓝宝石衬底上依次有缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓和氧化锌基透明电流扩展层、并有n型金属电极(PAD)连接n型氮化镓，p型金属电极(PAD)连接氧化锌透明电流扩展层。其制作方法是：缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓是在MOCVD中依次生长完毕；氧化锌基透明电流扩展层是利用磁控溅射方法沉积在p型氮化镓表面；利用干法刻蚀将n型氮化镓暴露出来，退火处理后利用热蒸发或电子束蒸发等薄膜沉积方法生长金属电极。芯片尺寸为1mm×1mm，为辅助氧化锌进行更好的电流扩散，设计出不同形状的p型金属电极。氧化锌透明电极提高了LED芯片光提取效率，不同形状的p型金属电极使得电流扩散更均匀，从而提高LED芯片的可靠性。
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