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公开(公告)号：CN101779618A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200910045469.6
申请日：2009-01-16
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心 , 上海孙桥农业科技股份有限公司
Abstract: 一种采用单色LED灯对害虫进行选择性诱杀的方法，属消灭有害动物或有害植物用的设备领域。其利用LED发光器件的光谱波长单一性，采用可发出特定/指定波长的LED灯对指定种类的害虫进行诱杀或驱赶；其所述的LED灯为由多个LED发光器件构成的组合/复合式光源。由于其发光源只发出某种特定/指定波长的单色光或几种特定/指定波长的组合单色光，只对某一类或某几类害虫具有“吸引”性，可以避免现有技术中对各类昆虫的“广谱”吸引性，利用不同波长的单色光或单色光组合LED灯对当前高发的害虫进行有针对性的杀灭，是一种真正的生态型诱虫灯。可广泛用于农、林业的捕捉/杀灭/驱除有害昆虫领域。
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公开(公告)号：CN101958236A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910055072.5
申请日：2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L21/02 , H01L21/203 , C23C14/34 , C23C14/06
Abstract: 本发明提供一种半导体衬底的制备方法，包括：提供铝酸锂晶片，使用溅射法在所述铝酸锂晶片上沉积AlN膜层得到半导体衬底。本发明以铝酸锂晶体作为基底，然后在上面采用溅射法沉积AlN膜层制成半导体衬底，由于铝酸锂与GaN的晶格失配度小，作为GaN晶体生长的衬底时，易于制备GaN外延薄膜，并减少由应力引起的高缺陷密度。当在铝酸锂晶片上沉积与GaN晶体结构相同、晶格常数相近的AlN膜层时，可以解决由于铝酸锂晶体和GaN之间的热膨胀差异而导致的GaN外延片开裂的问题。而且，AlN作为缓冲层还可以阻止铝酸锂衬底中Li的挥发，并保护铝酸锂衬底不受酸性或还原性气氛的腐蚀。
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公开(公告)号：CN101958333A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910055071.0
申请日：2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 本发明提供一种半导体发光器件，包括：衬底；在所述衬底上具有氧化硅膜层；在所述氧化硅膜层上具有点阵排列的圆孔，所述圆孔的深度与氧化硅膜层的深度相等，在所述圆孔内具有n型GaN膜；在所述n型GaN膜上具有至少一个周期的GaInN/GaN量子阱；在所述的GaInN/GaN量子阱上具有p型GaN膜。本发明提供的半导体发光器件中，GaInN/GaN量子阱呈点阵排列，与在衬底上直接外延得到的量子阱结构相比，点阵排列的GaInN/GaN量子阱可以提高LED显示屏的分辨率。
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公开(公告)号：CN101956233A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910055070.6
申请日：2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 本发明提供一种镓酸锂晶体的制备方法，包括：将Li2CO3和Ga2O3作为原料混合后压块得到成型体，烧结所述成型体；在真空条件下加热所述成型体得到熔体，将籽晶下到所述熔体的冷心处浸泡同时旋转籽晶，然后经过放肩、等径提拉得到镓酸锂晶体。按照本发明，在烧结的过程中，可以提高原料纯度，降低晶体生长的挥发。然后，将成型体在真空条件下加热形成熔体，取籽晶下到熔体的冷心处浸泡同时旋转籽晶以降低温场的不均匀性，然后经过放肩、等径提拉得到镓酸锂晶体。采用冷心下种，可以使固液界面的顶端与籽晶中心重合防止晶体偏心生长，有利于挥发性物质的排出，从而提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN101534589A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200810034513.9
申请日：2008-03-13
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H05B37/02 , G05F3/02 , F21S8/10 , F21V29/02 , F21W101/02 , F21Y101/02
CPC classification number: Y02B20/48
Abstract: 一种控制车用LED照明系统光照强度的方法及装置，属照明领域。其特征是：检测车行速度；将检测到的车行速度与设定值进行比较；根据上述两者之间的差值；输出控制信号；用控制信号控制可调电源的输出功率；进而控制LED照明灯的工作功率；使LED照明灯获得一正比于车速的光照强度。本发明还提供了一种采用上述方法的控制装置。由于合理地利用了车速、需要的光照距离、空气流动速度差和风冷式散热装置的散热能力之间的对应关系，使得整个LED照明装置及其附属装置可根据车速的高低，调节大功率LED照明装置的发光强度或工作功率，控制其发热量，再辅以风冷散热结构，即可合理地解决作为车辆前照灯使用时大功率LED照明装置的散热问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101430223A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810200753.1
申请日：2008-09-28
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心 , 上海理工大学
CPC classification number: G01J1/42 , G01J2001/4252
Abstract: 一种PWM驱动技术下LED瞬时光通量的测试方法及装置，属测量领域。包括采用积分球法对待测LED的光通量进行测量，其在常规光谱分析系统装置的基础上，再设置一套由信号采集部分、信号转换部分和数据处理部分组成的采集系统，其通过测量PWM脉冲驱动下待测LED的瞬时光通量，再乘以PWM脉冲信号的占空比，进而得到PWM脉冲驱动下待测LED的平均光通量。其以现有测试设备为基础，与传统测试方法不背离，不引起新的近场吸收，且能响应脉冲驱动的瞬时峰值信号，测量在热平衡条件下LED的瞬时光通量，并能实现脉冲驱动功率变化时的动态测量。可广泛用于各种LED发光器件和/或PWM脉冲驱动装置的性能测试、标定领域。
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公开(公告)号：CN101954617B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN200910055069.3
申请日：2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: B24B29/02
Abstract: 本发明提供一种铝酸锂晶片的化学机械抛光方法，包括：采用具有第一浓度的抛光液对所述铝酸锂晶片进行第一阶段化学机械抛光；采用具有第二浓度的所述抛光液对所述铝酸锂晶片进行第二阶段化学机械抛光；所述第二浓度低于第一浓度，所述抛光液为碱性Al2O3抛光液。与现有技术相比，使用碱性的Al2O3抛光液对铝酸锂晶片进行化学机械抛光后，再用清水即可完成对铝酸锂晶片的抛光，不必再经过退火步骤。此外，由于Al2O3抛光液的中Al2O3粒径小，磨削效率高，分散性好，因此能够实现低粗糙度和无划痕的目的。实验结果表明，抛光后的铝酸锂晶片的表面粗糙度小于0.4nm。
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公开(公告)号：CN101954617A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910055069.3
申请日：2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: B24B29/02
Abstract: 本发明提供一种铝酸锂晶片的化学机械抛光方法，包括：采用具有第一浓度的抛光液对所述铝酸锂晶片进行第一阶段化学机械抛光；采用具有第二浓度的所述抛光液对所述铝酸锂晶片进行第二阶段化学机械抛光；所述第二浓度低于第一浓度，所述抛光液为碱性Al2O3抛光液。与现有技术相比，使用碱性的Al2O3抛光液对铝酸锂晶片进行化学机械抛光后，再用清水即可完成对铝酸锂晶片的抛光，不必再经过退火步骤。此外，由于Al2O3抛光液的中Al2O3粒径小，磨削效率高，分散性好，因此能够实现低粗糙度和无划痕的目的。实验结果表明，抛光后的铝酸锂晶片的表面粗糙度小于0.4nm。
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公开(公告)号：CN101430223B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200810200753.1
申请日：2008-09-28
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心 , 上海理工大学
CPC classification number: G01J1/42 , G01J2001/4252
Abstract: 一种PWM驱动技术下LED瞬时光通量的测试方法及装置，属测量领域。包括采用积分球法对待测LED的光通量进行测量，其在常规光谱分析系统装置的基础上，再设置一套由信号采集部分、信号转换部分和数据处理部分组成的采集系统，其通过测量PWM脉冲驱动下待测LED的瞬时光通量，再乘以PWM脉冲信号的占空比，进而得到PWM脉冲驱动下待测LED的平均光通量。其以现有测试设备为基础，与传统测试方法不背离，不引起新的近场吸收，且能响应脉冲驱动的瞬时峰值信号，测量在热平衡条件下LED的瞬时光通量，并能实现脉冲驱动功率变化时的动态测量。可广泛用于各种LED发光器件和/或PWM脉冲驱动装置的性能测试、标定领域。
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公开(公告)号：CN101958236B
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN200910055072.5
申请日：2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L21/02 , H01L21/203 , C23C14/34 , C23C14/06
Abstract: 本发明提供一种半导体衬底的制备方法，包括：提供铝酸锂晶片，使用溅射法在所述铝酸锂晶片上沉积AlN膜层得到半导体衬底。本发明以铝酸锂晶体作为基底，然后在上面采用溅射法沉积AlN膜层制成半导体衬底，由于铝酸锂与GaN的晶格失配度小，作为GaN晶体生长的衬底时，易于制备GaN外延薄膜，并减少由应力引起的高缺陷密度。当在铝酸锂晶片上沉积与GaN晶体结构相同、晶格常数相近的AlN膜层时，可以解决由于铝酸锂晶体和GaN之间的热膨胀差异而导致的GaN外延片开裂的问题。而且，AlN作为缓冲层还可以阻止铝酸锂衬底中Li的挥发，并保护铝酸锂衬底不受酸性或还原性气氛的腐蚀。
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