公开(公告)号：CN102569122B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201210054565.9

申请日：2012-03-05

Applicant: 复旦大学 ,  上海半导体照明工程技术研究中心

Inventor： 戴炜锋 ,  李越生 ,  周颖圆 ,  李抒智 ,  马可军

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/28

Abstract: 本发明公开了一种LED侧面钝化层质量的测试结构，通过在LED芯片的侧面及衬底的背面上制备G电极，从而可对LED芯片的侧面钝化层的等效电阻进行测量，并进一步对LED芯片的侧面钝化层的质量进行检测；同时，还公开了一种LED侧面钝化层质量的测试方法，通过测量LED芯片P区钝化层的等效电阻及N区钝化层的等效电阻，并分别与一标准LED芯片样品的P区钝化层的等效电阻及N区钝化层的等效电阻进行比较，从而可对LED芯片的侧面钝化层的质量进行检测；该方法简单方便，并且成本较低。

公开(公告)号：CN102544268A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210055499.7

申请日：2012-03-05

Applicant: 复旦大学 ,  上海半导体照明工程技术研究中心

Inventor： 戴炜锋 ,  周颖圆 ,  李越生 ,  李抒智 ,  马可军

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种半导体发光二极管表面处理方法，该方法包括以下步骤：提供待处理的半导体发光二极管芯片；提供等离子体处理设备，该等离子体处理设备具有等离子体真空腔体和等离子体放电功能；清洁待处理的半导体发光二极管芯片并将其干燥；将清洁并干燥后的待处理的半导体发光二极管芯片放入等离子体设备的真空腔体内；将等离子体真空腔体抽真空；在抽过真空的等离子体真空腔体内注入氩气或者氮气，并控制真空腔体内的真空度；对等离子体真空腔体内的惰性气体加高压，处理一定时间后结束放电过程，退出等离子体真空腔体。本发明能够去除芯片表面至亚表面的损伤层，降低漏电流，结合后续钝化工艺，进一步改善钝化的效果，降低漏电流。

公开(公告)号：CN102569122A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201210054565.9

申请日：2012-03-05

Applicant: 复旦大学 ,  上海半导体照明工程技术研究中心

Inventor： 戴炜锋 ,  李越生 ,  周颖圆 ,  李抒智 ,  马可军

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/28

Abstract: 本发明公开了一种LED侧面钝化层质量的测试结构，通过在LED芯片的侧面及衬底的背面上制备G电极，从而可对LED芯片的侧面钝化层的等效电阻进行测量，并进一步对LED芯片的侧面钝化层的质量进行检测；同时，还公开了一种LED侧面钝化层质量的测试方法，通过测量LED芯片P区钝化层的等效电阻及N区钝化层的等效电阻，并分别与一标准LED芯片样品的P区钝化层的等效电阻及N区钝化层的等效电阻进行比较，从而可对LED芯片的侧面钝化层的质量进行检测；该方法简单方便，并且成本较低。

公开(公告)号：CN202275092U

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201120354333.6

申请日：2011-09-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 戴炜锋

IPC: G01R1/02

Abstract: 本实用新型公开了一种对位装置，该对位装置包括底座、升降旋转装置、XY方向滑移台、以及电路板；所述升降旋转装置与所述底座相匹配，且相对于所述底座上下移动，待测晶片固定于所述升降旋转装置上；所述XY方向滑移台嵌入所述底座上，相对于所述底座沿X方向及Y方向移动；所述电路板为无色透明电路板，安装于所述XY方向滑移台的底面，所述电路板的尺寸与待测晶片的尺寸匹配，且所述电路板上制作有凸点；在使用过程中，只需将待测晶片的电极与凸点进行连接即可进行芯片测试，从而可实现无损害测试，并且可同时测量多个电极，且使用灵活方便。