在高深宽比硅孔内溅射种子层的方法

    公开(公告)号:CN118222990A

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202311434948.3

    申请日:2023-10-31

    Abstract: 本发明提供了一种在高深宽比硅孔内溅射种子层的方法,包括:依托多靶磁控溅射镀膜系统,利用负偏压辅助三个及三个以上相同材质的靶材共焦溅射,实现在高深宽比硅孔镀膜的功能。本发明有助于铜原子沉积在硅孔的深处和底部。同时适当的负偏压功率,可以防止溅射时硅孔上沿沉积的薄膜出现“房檐效应”,提高了铜原子在硅孔侧壁和底部的覆盖性,为后续的电镀提供了保障。

    电子束蒸镀铝膜用坩埚及其使用方法

    公开(公告)号:CN115449759B

    公开(公告)日:2023-10-31

    申请号:CN202211239950.0

    申请日:2022-10-11

    Abstract: 本发明提供了一种电子束蒸镀铝膜用坩埚及其使用方法,包括坩埚本体,坩埚本体为上端半径较大的锥形圆筒结构;坩埚本体上设置有多条第一缝隙与多条第二缝隙,第一缝隙与第二缝隙均沿径向镂空;第一缝隙从第一开口端沿纵向延伸并形成第一封闭端,第一开口端设置在坩埚本体的上沿;第二缝隙从第二开口端沿横向延伸并形成第二封闭端,第二开口端与第一缝隙连通;坩埚本体内壁在靠近坩埚本体上沿处沿周向设置有向内凸起的台阶结构;坩埚本体的材质为三氧化二铝。本发明解决了电子束蒸发镀膜设备沉积铝薄膜时,铝几乎可以和所有的金属都可以形成合金,影响蒸镀铝膜的纯度,且水冷坩埚内直接蒸镀铝膜会引入坩埚自身的金属原子的技术问题。

    一种常温NTC热敏电阻薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN111613400A

    公开(公告)日:2020-09-01

    申请号:CN202010393189.0

    申请日:2020-05-11

    Abstract: 本发明公开了一种常温NTC热敏电阻薄膜及其制备方法;所述薄膜是以VO2,Mg2V2O5为主要成分的一种玻璃态多混合材料。制备时,在高真空条件下,在衬底上对还原性金属靶和五氧化二钒靶进行共溅射沉积薄膜。本发明尤其利用镁原子优异的还原性能,将五氧化二钒中﹢5价钒,降价还原﹢4价制备NTC薄膜。通过改变加在镁靶和五氧化二钒靶的功率,调节薄膜中不同成分的比例,同时还可调节薄膜电阻升降温热滞,以及电阻率。相比传统制备NTC薄膜方法,本发明制备薄膜更简单,快捷,高效,且兼容各种衬底;制备出的NTC薄膜不需要高温退火,结晶状况良好;且在室温条件下具有电阻温度系数高,热滞宽度小,薄膜电阻率低,材料常数高等特点。

    用电子束光刻实现加工硅纳米圆柱的方法

    公开(公告)号:CN110244520A

    公开(公告)日:2019-09-17

    申请号:CN201910429757.5

    申请日:2019-05-22

    Abstract: 本发明提供了一种用电子束光刻实现加工硅纳米圆柱的方法,包括:硅片涂胶步骤:在硅片表面进行涂布电子束光刻胶;电子束曝光显影步骤:对涂布有电子束光刻胶的硅片进行两次直写曝光并显影,得到至少两个相互垂直交叠的矩形图案;热回流步骤:对显影后的硅片进行加热;刻蚀步骤:对热回流后的硅片进行刻蚀。本发明通过使用电子束曝光临近效应以及热回流的方法,将制作纳米柱转化为直写光栅,使直写1mm2图形时间降低到20分钟,降为原来的1/80,极大地提高了图形直写效率。

    一种高灵敏度电子皮肤及其制备方法

    公开(公告)号:CN110231110A

    公开(公告)日:2019-09-13

    申请号:CN201910537102.X

    申请日:2019-06-20

    Inventor: 王英 陈乐 杨明来

    Abstract: 本发明涉及一种高灵敏度电子皮肤及其制备方法,包括:第一柔性衬底:外表面包裹第一封装层、内表面为具有规则形状或不规则形状的第一基底,该第一基底的表面涂有第一导电层,第二柔性衬底:外表面包裹第二封装层、内表面为具有不规则形状的第二基底,该第二基底的表面涂有第二导电层,第二基底与第一基底相对设置,第一柔性衬底及第二柔性衬底的内表面均设有电极。与现有技术相比,本发明所制备得到的器件灵敏度高、线性度宽,所使用的制备工艺简单、成本低,具有批量生产的前景。

    掺杂ZnO纳米线透明导电陷光结构的硅太阳电池

    公开(公告)号:CN103681887A

    公开(公告)日:2014-03-26

    申请号:CN201310723503.7

    申请日:2013-12-24

    Abstract: 本发明公开了一种掺杂ZnO纳米线透明导电陷光结构的硅太阳电池,包括由下而上依次逐层连接的背电极、p型硅衬底、n型层、减反射层和前电极,在n型层与减反射层之间分布有掺杂铝或硼的ZnO纳米线。本发明将掺杂ZnO纳米线组装到硅太阳电池基片表面,形成透明导电陷光结构复合层,增强电池对太阳光的有效吸收捕获,从而提高硅太阳电池的光电转换效率,比传统的硅太阳电池的光电转换效率提高1-5%。如某类型传统的硅太阳电池的光电转换效率是16%,则本发明公开的掺杂ZnO纳米线透明导电陷光结构的相应类型硅太阳电池光电转换效率可达17-21%。

    一种Cu2O/Cu/PPy纳米线复合锂离子电池负极材料的制备方法

    公开(公告)号:CN102629685B

    公开(公告)日:2014-02-19

    申请号:CN201210103658.6

    申请日:2012-04-10

    Abstract: 本发明涉及一种Cu2O/Cu/PPy纳米线复合锂离子电池负极材料的制备方法,包括以下步骤:(1)配制吡咯单体溶液和乙酸铜溶液,超声使其分散均匀;(2)按体积比为1∶13-1∶3量取步骤(1)得到的吡咯单体溶液与乙酸铜溶液混合,并转移到水热反应釜中;(3)将水热反应釜放置到烘箱中,设置烘箱温度为120-180℃,反应10-20h;(4)将反应得到的产品进行离心分离,经洗涤后,进行干燥处理,得到Cu2O/Cu/PPy纳米线复合锂离子电池负极材料。与现有技术相比,本发明所得材料作为锂离子电池负极材料有比较高的比容量,并且有良好的循环性能。

    纳米粒子有序单层和多层薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN101376599A

    公开(公告)日:2009-03-04

    申请号:CN200810200425.1

    申请日:2008-09-25

    Abstract: 一种纳米技术领域的纳米粒子有序单层和多层薄膜的制备方法。本发明步骤为:1.将经过亲水处理后的基片浸泡在配制的硅烷偶联剂溶液中,一段时间后取出,冲洗,干燥;2.将上述基片放入烘箱中进一步加热处理,取出后自然冷却,留做后用;3.将上述处理好基片垂直浸渍于纳米粒子溶液中,以一定速度提拉垂直放置的偶联剂修饰过的基片,将基片提拉出液面后停止,取下冲洗,吹干或自然晾干基片,获得有序单层纳米粒子薄膜;4.将所得纳米粒子单层膜重新放入硅烷偶联剂溶液中或纳米粒子溶液中,然后重复以上步骤获得有序多层纳米粒子薄膜。本发明所采用的方法具有简单易行,效率高,表面的图形有序可控等特点,所制得的图形缺陷少。

    一种纤维状能量采集器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN108986988B

    公开(公告)日:2020-04-10

    申请号:CN201810804984.7

    申请日:2018-07-20

    Abstract: 本发明涉及一种纤维状能量采集器件及其制备方法,采用以下步骤:往中空管中浇注聚二甲基硅氧烷溶液,然后加热固化;将固化后的二甲基硅氧烷从管中取出,在二甲基硅氧烷表面均匀涂抹一层导电纳米材料作为电极,并从一端引出铜线;在获得的电极表面涂抹二甲基硅氧烷与压电纳米材料的混合液,然后加热固化;固化后在表面涂抹一层导电纳米材料作为外电极,并从另一端引出铜线;在外电极表面涂抹一层二甲基硅氧烷溶液,加热固化后得到纤维状能量采集器件。与现有技术相比,本方法操作简单、成本低廉、重复率好。可以在拉伸形变量为100%的情况下工作,性能优良。

    一种高效饲料添加剂纳米小肽铜的制备方法

    公开(公告)号:CN110915996A

    公开(公告)日:2020-03-27

    申请号:CN201911297554.1

    申请日:2019-12-17

    Abstract: 本发明公开了一种高效饲料添加剂纳米小肽铜的制备方法,包括载体天然蒙脱石的预处理、纳米小肽铜的制备和体外细胞培养实验。本发明公开了一种高效饲料添加剂纳米小肽铜的制备方法,提高了小肽微量金属螯合物的稳定性和生物利用率,为养殖动物提供了所需微量元素铜,同时缓解土壤中畜禽粪便重金属元素污染。

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