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公开(公告)号：CN114924341B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202210488488.1
申请日：2022-05-06
Applicant: 上海交通大学
IPC: G02B5/18
Abstract: 本发明提供一种提高FIB刻蚀超浅光栅结构侧壁垂直度的方法及系统，涉及离子束加工技术领域，包括：步骤S1：在目标材料上制备掩膜层；步骤S2：根据需要刻蚀的光栅结构设计优化FIB刻蚀参数；步骤S3：利用FIB刻蚀参数从掩膜层表面开始刻蚀，刻蚀深度至目标材料表面以下；步骤S4：去除掩膜层，在目标材料表面形成高侧壁垂直度的超浅光栅结构。本发明能够在铌酸锂等非导电材料表面实现刻蚀深度100nm以下、深度可控精度小于10nm、侧壁垂直度80°以上的超浅光栅结构。
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公开(公告)号：CN118222990A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311434948.3
申请日：2023-10-31
Applicant: 上海交通大学
IPC: C23C14/35 , C23C14/16 , C23C14/54 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种在高深宽比硅孔内溅射种子层的方法，包括：依托多靶磁控溅射镀膜系统，利用负偏压辅助三个及三个以上相同材质的靶材共焦溅射，实现在高深宽比硅孔镀膜的功能。本发明有助于铜原子沉积在硅孔的深处和底部。同时适当的负偏压功率，可以防止溅射时硅孔上沿沉积的薄膜出现“房檐效应”，提高了铜原子在硅孔侧壁和底部的覆盖性，为后续的电镀提供了保障。
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公开(公告)号：CN115449759B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202211239950.0
申请日：2022-10-11
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种电子束蒸镀铝膜用坩埚及其使用方法，包括坩埚本体，坩埚本体为上端半径较大的锥形圆筒结构；坩埚本体上设置有多条第一缝隙与多条第二缝隙，第一缝隙与第二缝隙均沿径向镂空；第一缝隙从第一开口端沿纵向延伸并形成第一封闭端，第一开口端设置在坩埚本体的上沿；第二缝隙从第二开口端沿横向延伸并形成第二封闭端，第二开口端与第一缝隙连通；坩埚本体内壁在靠近坩埚本体上沿处沿周向设置有向内凸起的台阶结构；坩埚本体的材质为三氧化二铝。本发明解决了电子束蒸发镀膜设备沉积铝薄膜时，铝几乎可以和所有的金属都可以形成合金，影响蒸镀铝膜的纯度，且水冷坩埚内直接蒸镀铝膜会引入坩埚自身的金属原子的技术问题。
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公开(公告)号：CN111613523A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010431522.2
申请日：2020-05-20
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/02 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种提高原子层沉积介质薄膜的介电常数的方法，包括如下步骤：A、将衬底清洗后，放入原子层沉积的反应腔；B、将第一反应前驱体通入反应腔，在衬底上形成单分子层；C、将第二反应前驱体通入反应腔，与単分子层反应形成高介电栅介质层；D、重复步骤B和C，以形成一定厚度的高介电栅介质层薄膜；E、在反应腔中通入氟基等离子体，使高介电栅介质层进行氧缺陷修复，得氟化的高介电栅介质层薄膜。本发明通过在原子层沉积的反应过程中，在反应腔体里引入氟基等离子体来实现。氟基等离子体可以用以修补高介电栅介质的氧缺陷从而有效的减少界面态及减少漏电流，提高栅介质的介电常数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111613400A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010393189.0
申请日：2020-05-11
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种常温NTC热敏电阻薄膜及其制备方法；所述薄膜是以VO2，Mg2V2O5为主要成分的一种玻璃态多混合材料。制备时，在高真空条件下，在衬底上对还原性金属靶和五氧化二钒靶进行共溅射沉积薄膜。本发明尤其利用镁原子优异的还原性能，将五氧化二钒中﹢5价钒，降价还原﹢4价制备NTC薄膜。通过改变加在镁靶和五氧化二钒靶的功率，调节薄膜中不同成分的比例，同时还可调节薄膜电阻升降温热滞，以及电阻率。相比传统制备NTC薄膜方法，本发明制备薄膜更简单，快捷，高效，且兼容各种衬底；制备出的NTC薄膜不需要高温退火，结晶状况良好；且在室温条件下具有电阻温度系数高，热滞宽度小，薄膜电阻率低，材料常数高等特点。
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公开(公告)号：CN115343788B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202210994615.5
申请日：2022-08-18
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种基于循环刻蚀工艺的石英微透镜制备方法及石英微透镜，包括：光刻步骤：在石英表面上制备光刻胶柱体；热熔步骤：对带有光刻胶柱体的石英表面进行热熔处理，将光刻胶柱体转变为光刻胶透镜体；刻蚀步骤：对石英表面的光刻胶透镜体进行循环刻蚀处理，直至光刻胶完全消失，从而获得石英微透镜阵列。本发明方法操作简单，便于在工艺上实现。
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公开(公告)号：CN114924341A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210488488.1
申请日：2022-05-06
Applicant: 上海交通大学
IPC: G02B5/18
Abstract: 本发明提供一种提高FIB刻蚀超浅光栅结构侧壁垂直度的方法及系统，涉及离子束加工技术领域，包括：步骤S1：在目标材料上制备掩膜层；步骤S2：根据需要刻蚀的光栅结构设计优化FIB刻蚀参数；步骤S3：利用FIB刻蚀参数从掩膜层表面开始刻蚀，刻蚀深度至目标材料表面以下；步骤S4：去除掩膜层，在目标材料表面形成高侧壁垂直度的超浅光栅结构。本发明能够在铌酸锂等非导电材料表面实现刻蚀深度100nm以下、深度可控精度小于10nm、侧壁垂直度80°以上的超浅光栅结构。
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