用电子束光刻实现加工硅纳米圆柱的方法

    公开(公告)号:CN110244520B

    公开(公告)日:2020-09-15

    申请号:CN201910429757.5

    申请日:2019-05-22

    Abstract: 本发明提供了一种用电子束光刻实现加工硅纳米圆柱的方法,包括:硅片涂胶步骤:在硅片表面进行涂布电子束光刻胶;电子束曝光显影步骤:对涂布有电子束光刻胶的硅片进行两次直写曝光并显影,得到至少两个相互垂直交叠的矩形图案;热回流步骤:对显影后的硅片进行加热;刻蚀步骤:对热回流后的硅片进行刻蚀。本发明通过使用电子束曝光临近效应以及热回流的方法,将制作纳米柱转化为直写光栅,使直写1mm2图形时间降低到20分钟,降为原来的1/80,极大地提高了图形直写效率。

    等离子体刻蚀配合湿法辅助去除SU-8负性光刻胶的方法

    公开(公告)号:CN111045300A

    公开(公告)日:2020-04-21

    申请号:CN201911113066.0

    申请日:2019-11-14

    Abstract: 本发明公开了一种等离子体刻蚀配合湿法辅助去除SU-8负性光刻胶的方法;包括:采用等离子体去胶工艺,通入O2/CF4混合气体去除基片上的SU-8负性光刻胶;采用湿法工艺,将经过等离子体去胶工艺的基片放入丙酮、乙醇中浸泡后并一同放入超声设备中超声处理,清洗,氮气吹干。本发明的方法可实现硅基底、非晶无机非金属材料、电镀金属结构等材料上SU-8负性光刻胶的有效去除。通过确定最优刻蚀工艺参数有效地解决现阶段SU-8负性光刻胶去胶难的问题,而且不会对基底材料和通过沉积、溅射和电镀等工艺制作的微结构产生损伤,从而可以广泛地应用在制作高深宽比模具、微流体、微光学等MEMS结构器件、生物医学和芯片封装等领域。

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