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发明公开
纳米粒子有序单层和多层薄膜的制备方法无效

公开(公告)号：CN101376599A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200810200425.1

申请日：2008-09-25

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 王英 , 杨明来 , 赵保军 , 张亚非

IPC: C04B41/50 , C03C17/22

Abstract: 一种纳米技术领域的纳米粒子有序单层和多层薄膜的制备方法。本发明步骤为：1.将经过亲水处理后的基片浸泡在配制的硅烷偶联剂溶液中，一段时间后取出，冲洗，干燥；2.将上述基片放入烘箱中进一步加热处理，取出后自然冷却，留做后用；3.将上述处理好基片垂直浸渍于纳米粒子溶液中，以一定速度提拉垂直放置的偶联剂修饰过的基片，将基片提拉出液面后停止，取下冲洗，吹干或自然晾干基片，获得有序单层纳米粒子薄膜；4.将所得纳米粒子单层膜重新放入硅烷偶联剂溶液中或纳米粒子溶液中，然后重复以上步骤获得有序多层纳米粒子薄膜。本发明所采用的方法具有简单易行，效率高，表面的图形有序可控等特点，所制得的图形缺陷少。

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