-
公开(公告)号：CN101644748A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910307531.4
申请日：2009-09-23
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种曲折多匝结构巨磁阻抗效应传感器，属于测量技术领域。本发明包括：带SiO 2 层的硅衬底、软磁多层膜和引脚，其中：软磁多层膜位于带SiO 2 层的硅衬底上，引脚的一端与软磁多层膜固定连接，另一端固定于带有SiO 2 层的硅衬底上，软磁多层膜为方波形的曲折多匝结构，其匝数为10匝，匝间距离为60μm，峰-峰值为5mm，所述引脚的个数为21个。本发明测量参数可调、磁场灵敏高度、阻抗变化率大、可应用于大面积非均匀磁场的探测。
-
公开(公告)号：CN100373651C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200510026607.8
申请日：2005-06-09
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种基于微机电系统的巨磁阻抗效应磁敏器件的制作方法。属于传感器技术领域。本发明采用微机电系统(MEMS)技术，对双面氧化的硅片进行处理，得到双面套刻对准符号，以便曝光时提高对准精度；采用准-LIGA光刻技术和微电镀技术制备曲折状三明治结构FeNi/Cu/FeNi软磁多层膜材料；采用物理刻蚀技术去除底层，避免湿法刻蚀工艺带来的钻蚀现象；通过选择合适的永磁体对多层膜的巨磁阻抗效应曲线进行偏置，使磁敏器件工作在线性区域。本发明采用MEMS技术可以实现其制备工艺与IC工艺兼容，可与配套的检测电路制作在一起，实现整个传感器的薄膜化、小型化，并具有高灵敏度、响应速度快，性能重复性好、温度稳定性好及易于大批量生产。
-
公开(公告)号：CN1693864A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510026604.4
申请日：2005-06-09
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种基于微机电系统的力敏器件。本发明由硅衬底、引脚、曲折状三明治结构软磁多层膜力敏器件和硅悬臂梁组成，引脚从力敏器件两端的铜层引出，并设置在带SiO2层的硅悬臂梁上，曲折状三明治结构软磁多层膜力敏器件位于硅悬臂梁上，硅悬臂梁与硅衬底相连。本发明具有高的灵敏度和响应速度快等优点，具有广泛的用途。薄膜材料可以与大规模集成电路完全兼容，易于大批量生产，重复性好；避免了采用非晶丝和薄带作为力敏材料时器件易碎、器件性能重复性差和加工困难及批量化等带来的问题；大大提高了多层膜的SI效应及力敏器件的灵敏度；可实现加速度、压力、振动等的检测；方便实现滤波、调谐、振荡等。
-
公开(公告)号：CN101975591A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010292171.8
申请日：2010-09-27
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01D5/12
Abstract: 一种微机电系统技术领域的集成磁弹性传感器，包括：玻璃衬底、磁场激励偏置线圈、信号接受线圈、传感器支撑、磁性带材和绝缘材料层，磁场激励偏置线圈位于玻璃衬底上，信号接受线圈位于磁场激励偏置线圈的上方，传感器支撑位于信号接受线圈上方，绝缘材料层分别位于磁场激励偏置线圈、信号接受线圈和传感器支撑之间，磁性带材的两端固定在传感器支撑上。本发明具有加工精度高，器件尺寸小，而且由于采用8字形采集线圈，可以消除激励信号在接受线圈中的背底信号，实现振动信号的实时监测，并可以实现便携式的特点。
-
公开(公告)号：CN101170002B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200710046150.6
申请日：2007-09-20
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种微电子技术领域的悬空结构射频微电感及其制作方法。所述悬空结构射频微电感中，金属螺旋型线圈与衬底间设有支撑体，支撑体一端与金属螺旋型线圈连接，支撑体另一端与衬底连接，在金属螺旋型线圈与引线连接处设有连接体，连接体两端分别与金属螺旋型线圈和引线相连接。工艺如下：衬底基片清洗处理、甩正胶、曝光与显影、刻蚀，制作双面套刻对准符号；淀积Ti/Cu/Ti底层；Ti氧化；甩正胶、曝光与显影，电镀，去胶；甩SU-8子胶，前烘、曝光、后烘、显影，电镀；溅射Ti/Cu底层；甩SU-8胶，前烘、曝光、后烘、显影，电镀；去除SU-8胶和底层。本发明微电感损耗大大降低，性能远远高于相同参数的硅基平面微电感，Q值大于45。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1688035A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN200510026606.3
申请日：2005-06-09
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种属于传感器技术领域的基于微机电系统的巨磁阻抗效应磁敏器件，本发明由带SiO2层的硅衬底、引脚、曲折状三明治结构软磁多层膜和偏置永磁体组成，引脚从多层膜两端的铜层引出，并设置在衬底上，整个曲折状三明治结构软磁多层膜位于带SiO2层的硅衬底上。偏置永磁体用微细加工技术制备，并用环氧胶水粘贴于磁敏器件的背面。使其采用曲折状三明治结构多层膜可大大提高多层膜的巨磁阻抗效应；MEMS技术可以实现其制备工艺与IC工艺兼容，可与配套的检测电路制作在一起，实现整个传感器的薄膜化、小型化，并具有高灵敏度、响应速度快，性能重复性好、温度稳定性好及易于大批量生产。
-
公开(公告)号：CN101477873A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200810200422.8
申请日：2008-09-25
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种微电子技术领域的平面磁芯螺旋结构微电感器件及其制备方法。微电感器件包括衬底、磁芯材料、绝缘材料、平面螺旋结构线圈、引脚、引线，平面螺旋结构线圈由两层磁芯材料包裹，并由聚酰亚胺分开，中心引脚与外部引脚相连。工艺如下：溅射Cr层、甩胶、光刻、显影、刻蚀，制作套刻对准符号；粘结磁芯材料、甩胶、光刻、显影、刻蚀磁芯材料；甩聚酰亚胺并烘干固化、抛光；溅射、甩胶、光刻、显影、电镀、制作平面螺旋结构线圈、引线及引脚；甩聚酰亚胺并烘干固化、抛光；溅射Ti层、甩胶、光刻、显影、刻蚀；粘结磁芯材料、甩胶、光刻、显影、刻蚀磁芯材料。本发明使微电感器件的高频损耗大大降低，有效提高了器件的高频性能。
-
公开(公告)号：CN1694275A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510026608.2
申请日：2005-06-09
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种基于软磁多层膜巨磁阻抗效应的磁敏器件，属于传感器技术领域。本发明由带SiO2层的硅衬底、引脚、曲折状三明治结构软磁多层膜和偏置永磁体组成，引脚从多层膜两端的铜层引出，并设置在衬底上，整个曲折状三明治结构软磁多层膜位于带SiO2层的硅衬底上。偏置永磁体用微细加工技术制备，并用环氧胶水粘贴于磁敏器件的背面。本发明采用曲折状三明治结构多层膜可大大提高多层膜的巨磁阻抗效应；采用薄膜技术和MEMS技术可以实现其制备工艺与IC工艺兼容，可与配套的检测电路制作在一起，实现整个传感器的薄膜化、小型化，并具有高灵敏度、响应速度快，性能重复性好、温度稳定性好及易于大批量生产。
-
公开(公告)号：CN101477873B
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN200810200422.8
申请日：2008-09-25
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种微电子技术领域的平面磁芯螺旋结构微电感器件及其制备方法。微电感器件包括衬底、磁芯材料、绝缘材料、平面螺旋结构线圈、引脚、引线，平面螺旋结构线圈由两层磁芯材料包裹，并由聚酰亚胺分开，中心引脚与外部引脚相连。工艺如下：溅射Cr层、甩胶、光刻、显影、刻蚀，制作套刻对准符号；粘结磁芯材料、甩胶、光刻、显影、刻蚀磁芯材料；甩聚酰亚胺并烘干固化、抛光；溅射、甩胶、光刻、显影、电镀、制作平面螺旋结构线圈、引线及引脚；甩聚酰亚胺并烘干固化、抛光；溅射Ti层、甩胶、光刻、显影、刻蚀；粘结磁芯材料、甩胶、光刻、显影、刻蚀磁芯材料。本发明使微电感器件的高频损耗大大降低，有效提高了器件的高频性能。
-
公开(公告)号：CN101644748B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200910307531.4
申请日：2009-09-23
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种曲折多匝结构巨磁阻抗效应传感器，属于测量技术领域。本发明包括：带SiO2层的硅衬底、软磁多层膜和引脚，其中：软磁多层膜位于带SiO2层的硅衬底上，引脚的一端与软磁多层膜固定连接，另一端固定于带有SiO2层的硅衬底上，软磁多层膜为方波形的曲折多匝结构，其匝数为10匝，匝间距离为60μm，峰-峰值为5mm，所述引脚的个数为21个。本发明测量参数可调、磁场灵敏高度、阻抗变化率大、可应用于大面积非均匀磁场的探测。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
21
records
(took 0.02 seconds)
