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公开(公告)号：CN101975934B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201010292267.4
申请日：2010-09-27
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种微机电系统技术领域的集成偏置线圈式巨磁阻抗效应磁敏传感器，包括：表面氧化的Si衬底、曲折多匝传感器、螺线管偏置线圈以及绝缘材料，曲折多匝传感器位于螺线管偏置线圈的内部轴心位置，绝缘材料包裹于曲折多匝传感器外部，线圈位于Si衬底表面。本发明采用MEMS微机电系统技术加工了曲折形状的NiFe/Cu/NiFe三明治薄膜巨磁阻抗效应传感器和螺线管偏置线圈，传感器位于螺线管偏置线圈的轴心位置，通过在线圈中通过直流电流，利用其产生的磁场实现对GMI传感器的工作点的偏置，从而实现传感器的合理磁场工作区间范围。
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公开(公告)号：CN101975934A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010292267.4
申请日：2010-09-27
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种微机电系统技术领域的集成偏置线圈式巨磁阻抗效应磁敏传感器，包括：表面氧化的Si衬底、曲折多匝传感器、螺线管偏置线圈以及绝缘材料，曲折多匝传感器位于螺线管偏置线圈的内部轴心位置，绝缘材料包裹于曲折多匝传感器外部，线圈位于Si衬底表面。本发明采用MEMS微机电系统技术加工了曲折形状的NiFe/Cu/NiFe三明治薄膜巨磁阻抗效应传感器和螺线管偏置线圈，传感器位于螺线管偏置线圈的轴心位置，通过在线圈中通过直流电流，利用其产生的磁场实现对GMI传感器的工作点的偏置，从而实现传感器的合理磁场工作区间范围。
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公开(公告)号：CN101650217B
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200910307555.X
申请日：2009-09-23
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01H11/02
Abstract: 一种非接触式共轴磁弹性传感器，属于测量技术领域。本发明包括：第一PVC管(聚氯乙烯管)、第二PVC管、第三PVC管、偏置线圈、激励线圈、接收线圈和软磁带材，其中：第一PVC管同轴地套接于第二PVC管的外部，第二PVC管同轴地套接于第三PVC管的外部，第一PVC管、第二PVC管和第三PVC管顶端对齐，偏置线圈单层缠绕于第一PVC管外表面，激励线圈单层缠绕于第二PVC管外表面，接收线圈单层缠绕于第三PVC管外表面，软磁带材设置于第三PVC管内部；所述的接收线圈包括：第一子线圈和第二子线圈，第一子线圈与第二子线圈反向串联。本发明结构紧凑，体积小，灵敏度高，接收信号精确度高。
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公开(公告)号：CN101650217A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200910307555.X
申请日：2009-09-23
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01H11/02
Abstract: 一种非接触式共轴磁弹性传感器，属于测量技术领域。本发明包括：第一PVC管(聚氯乙烯管)、第二PVC管、第三PVC管、偏置线圈、激励线圈、接收线圈和软磁带材，其中：第一PVC管同轴地套接于第二PVC管的外部，第二PVC管同轴地套接于第三PVC管的外部，第一PVC管、第二PVC管和第三PVC管顶端对齐，偏置线圈单层缠绕于第一PVC管外表面，激励线圈单层缠绕于第二PVC管外表面，接收线圈单层缠绕于第三PVC管外表面，软磁带材设置于第三PVC管内部；所述的接收线圈包括：第一子线圈和第二子线圈，第一子线圈与第二子线圈反向串联。本发明结构紧凑，体积小，灵敏度高，接收信号精确度高。
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公开(公告)号：CN100530462C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610023896.0
申请日：2006-02-16
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种微电子技术领域的基于非晶FeCuNbCrSiB磁性薄膜的螺线管微电感器件的制作方法，方法如下：制作双面套刻符号；溅射底层；甩正胶、曝光、显影；电镀底层线圈、连接导体；去光刻胶和底层；溅射氧化铝薄膜及抛光氧化铝薄膜；溅射FeCuNbCrSiB磁性薄膜和刻蚀FeCuNbSiB磁性薄膜；溅射底层；甩正胶、曝光、显影；电镀连接导体；去正胶和底层；溅射氧化铝薄膜及抛光氧化铝薄膜；溅射底层；甩正胶、曝光、显影；电镀顶层线圈和引脚；去光刻胶和底层；溅射氧化铝薄膜及抛光氧化铝薄膜；磁场退火。本发明解决了线圈的立体绕线和层间的绝缘问题及高深宽比的电镀问题，使得微电感器件的高频性能大大提高，具有广泛的用途。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101481083A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200910046099.8
申请日：2009-02-12
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种微机电技术领域的微机电系统的微型化磁通门传感器。本发明包括衬底、激励线圈、接收线圈、磁芯、引脚、聚酰亚胺绝缘材料，闭合的矩形磁芯上对称绕制两组相连的三维螺线管激励线圈，与激励线圈垂直绕制一组三维螺线管接收线圈，激励线圈和接收线圈均通过聚酰亚胺材料与磁芯绝缘隔离，激励线圈和接收线圈均位于衬底上，并且两端连接引脚。所述的磁芯材料为电镀的NiFe合金。本发明解决了传统磁通门传感器安装调试困难，稳定性、重复性差的问题，制造工艺与大规模集成电路工艺兼容，可以和接口电路集成制造，在许多新的领域具有广泛应用。
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公开(公告)号：CN101481080A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200910046101.1
申请日：2009-02-12
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种微机电技术领域的微型化磁通门传感器的制作方法，具体如下：制作双面套刻符号；溅射底层；甩正胶、曝光、显影；电镀激励线圈和接收线圈的底层线圈、连接导体和引脚；去光刻胶和底层；甩聚酰亚胺、固化及抛光；溅射底层；甩正胶、曝光、显影；电镀磁芯、连接导体和引脚；去正胶和底层；甩聚酰亚胺、固化及抛光；溅射底层；甩正胶、曝光、显影；电镀激励线圈和接收线圈的顶层线圈和引脚；去光刻胶和底层；磁场退火。本发明解决了传统磁通门传感器的稳定性、重复性差、批量化的问题，制造工艺与大规模集成电路工艺兼容，可以和接口电路集成制造，在许多新的领域具有广泛应用。
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公开(公告)号：CN100485834C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200610023898.X
申请日：2006-02-16
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种微电子技术领域的非晶FeCuNbCrSiB薄膜螺线管微电感器件的制作方法，其制作方法如下：制作双面套刻符号；溅射底层；甩正胶、曝光、显影；电镀底层线圈、连接导体和引脚；去光刻胶和底层；甩聚酰亚胺、固化及抛光；溅射FeCuNbCrSiB薄膜和刻蚀FeCuNbSiB薄膜；溅射底层；甩正胶、曝光、显影；电镀连接导体和引脚；去正胶和底层；甩聚酰亚胺、固化及抛光；溅射底层；甩正胶、曝光、显影；电镀顶层线圈；去光刻胶和底层；磁场退火。本发明解决了线圈的立体绕线和层间的绝缘问题及高深宽比的电镀问题，使得微电感器件的高频性能大大提高，具有广泛的用途。
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公开(公告)号：CN100431188C
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200510026609.7
申请日：2005-06-09
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种基于软磁多层膜巨磁阻抗效应的磁敏器件的制作方法，属于传感器技术领域。本发明采用薄膜技术和微机电系统(MEMS)技术，对双面氧化的硅片进行处理，得到双面套刻对准符号；采用薄膜技术和MEMS技术制备纳米晶成份的曲折状三明治结构软磁多层膜材料；采用物理刻蚀技术去除底层；采用专用的化学腐蚀液刻蚀纳米晶成份的曲折状三明治结构软磁多层膜，形成磁敏器件；通过选择合适的永磁体对多层膜的巨磁阻抗效应曲线进行偏置，使磁敏器件工作在线性区域。本发明实现整个传感器的薄膜化、小型化，并具有高灵敏度、响应速度快，性能重复性好、温度稳定性好及易于大批量生产。
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公开(公告)号：CN101170002A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710046150.6
申请日：2007-09-20
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种微电子技术领域的悬空结构射频微电感及其制作方法。所述悬空结构射频微电感中，金属螺旋型线圈与衬底间设有支撑体，支撑体一端与金属螺旋型线圈连接，支撑体另一端与衬底连接，在金属螺旋型线圈与引线连接处设有连接体，连接体两端分别与金属螺旋型线圈和引线相连接。工艺如下：衬底基片清洗处理、甩正胶、曝光与显影、刻蚀，制作双面套刻对准符号；淀积Ti/Cu/Ti底层；Ti氧化；甩正胶、曝光与显影，电镀，去胶；甩SU－8子胶，前烘、曝光、后烘、显影，电镀；溅射Ti/Cu底层；甩SU－8胶，前烘、曝光、后烘、显影，电镀；去除SU－8胶和底层。本发明微电感损耗大大降低，性能远远高于相同参数的硅基平面微电感，Q值大于45。
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