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公开(公告)号：CN1219313C
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN03115560.X
申请日：2003-02-27
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种带有透明导电保护涂层的荧光灯及其灯座属于照明类领域。荧光灯由内部封入放电气体的灯管构成，在该灯管的内壁涂有荧光体层，在灯管的一端配置一施加电位的电极，在灯管的外壁面喷涂有金属氧化物薄膜透明导电涂层作为另一电位的电极。电源引入是采用固定在灯座内的导电橡胶圈与灯管外侧面上的金属氧化物薄膜透明导电涂层紧密电接触，形成一电源引入线，另一电源引入采用金属插眼实现，金属插眼固定在灯座内，导电橡胶圈与电极相连，电极与金属插眼为一对电源输入电极。本发明采用一种透明导电的金属氧化物薄膜涂层材料，替代传统荧光灯管的外部电极，在灯管外观、可靠性和发光均匀性等方面都有明显的改善。
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公开(公告)号：CN1444887A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN03116463.3
申请日：2003-04-17
Applicant: 上海交通大学
Inventor： 周之斌
IPC: A45D20/10
Abstract: 一种高电热效率的陶瓷薄膜加热器电吹风，属于家用电器与电加热技术领域。本发明包括机体和手柄两部分，机体的四周壁中填有隔热材料，机体有一个进风口和出风口，电风扇固定在机体内，靠近进风口处，在电风扇和出风口之间固定有内外壁镀有金属氧化物透明导电陶瓷膜的电加热器，手柄上设有电源开关、外接电源输入口，手柄内包含有电源线。本发明将金属氧化物透明导电陶瓷膜沉积在非导电的陶瓷衬底表面上，导电薄膜为加热单元的技术的电加热功率面密度低，与媒介接触的表面面积大，使得这加热单元能充分散热，属于远红外辐射散热，所以对加热流经和接触薄膜表面的空气非常有效，安全可靠，没有高温炽热的部分，抗腐蚀。
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公开(公告)号：CN1415427A
公开(公告)日：2003-05-07
申请号：CN02150786.4
申请日：2002-11-28
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 喷涂沉积大面积均匀透明导电薄膜扫描装置属于太阳能应用领域。完成加热过程和喷涂过程的主单元、完成退火功能的辅助单元、具有预加热功能的辅助单元依次并列或L形排列，具有预加热功能的辅助单元位于完成加热过程和喷涂过程的主单元一侧，完成退火功能的辅助单元位于完成加热过程和喷涂过程的主单元的另一侧，由机械手完成玻璃衬底在各单元之间的传输，主单元包括：衬底加温部分、喷头部分，这两部分是相互分离的。采用本发明得到的SnO2透明导电薄膜的方块电阻可达4Ω/口，透过率达90％，薄膜中心和边缘的膜厚、电学性质不均匀度小于10％，采用衬底加温部分与喷头部分(二)配合的装置可获得膜厚、电学性质不均匀度小于5％的超均匀的透明导电薄膜。
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公开(公告)号：CN1812136A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510111017.5
申请日：2005-12-01
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/042 , H01L31/072
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 一种半导体技术领域的二氧化锡薄膜与硅异质结太阳电池。本发明包括：电池迎光面栅线电极、掺氟的二氧化锡层、二氧化硅层、n型硅基底、本征非晶硅薄膜、磷掺杂非晶硅薄膜以及铝背电极。电池迎光面栅线电极在掺氟的二氧化锡层之上，掺氟的二氧化锡层与n型硅基底的正面之间夹了一层二氧化硅层，n型硅基底的背面依次沉积本征非晶硅薄膜和磷掺杂非晶硅薄膜以及铝背电极。本发明降低了薄膜的串联电阻，背面的本征非晶硅薄膜、掺磷非晶硅薄膜与硅片构成高低结，改善了电池的电输出性能，工艺简单，产业化成本低。在AM1.5，100mW/cm2标准光强下，太阳电池的效率达13％以上。
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公开(公告)号：CN1443870A
公开(公告)日：2003-09-24
申请号：CN03116464.1
申请日：2003-04-17
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种高光电导增益氮化碳薄膜制备方法属于半导体材料领域。本发明方法采用离子束溅射工艺制备氮化碳薄膜，高纯石墨作为靶材，高纯氮气作为考夫曼离子束源的工作气体，工作气压为2～6×10－2Pa。本发明采用离子束溅射工艺，仅仅用氮气作为反应和溅射气体，并且薄膜远离浓氮离子束的直接轰击，减少了悬挂键复合缺陷的密度，省去了氢气的钝化过程，在AM1.5，100mW/cm2标准光强下，所获得的氮化碳薄膜的光电导增益，(光照的电导－暗电导)与暗电导的比值，可达106，可以用在光伏器件上，用作光激活层的新型光伏薄膜材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1441504A
公开(公告)日：2003-09-10
申请号：CN03116165.0
申请日：2003-04-03
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/022425 , Y02E10/50
Abstract: 一种高效低成本大面积晶体硅太阳电池工艺属于太阳能应用领域。本发明制备晶体硅太阳电池工艺按工艺线的生产顺序分为如下六个步骤：前道化学预处理；半导体PN结制作；电感偶合等离子刻蚀周边；淀积氮化硅薄膜；丝网印刷正、背面电极；正、背面电极金属化及氮化硅薄膜烧穿。本发明简化了太阳电池工艺、将原来的两到三次的电极烧结工艺简化成一次完成，降低了的成本，提高了太阳电池效率。采用此工艺，可获得商业化大面积(103×103mm2)单晶硅太阳电池的效率达15.7％，此工艺也适用于多晶硅太阳电池，多晶硅太阳电池效率可达14.0％以上，(AM1.5，光照强度100mW/cm2，25℃)。
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公开(公告)号：CN100342556C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200510027059.0
申请日：2005-06-23
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/203 , C23C14/34 , C23C14/06 , B82B3/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种属于半导体光伏器件材料制备技术领域的半导体光伏器件级纳米硅薄膜的制备方法，本发明采用物理的方法—即溅射系统来制备光伏器件级纳米硅薄膜，靶材选用硅片，工作气体可以有氢气、氩气无毒且安全的气体，在低温条件下沉积硅薄膜，此外，通过更换不同导电类型的靶材可以获得相应导电类型的纳米硅薄膜，通过调整气体的比例来控制薄膜的晶化度和有序程度。本发明在低温的环境下采用物理的沉积方法制备光伏器件级薄膜材料，而且这种方法可以达到较高的真空度，可以长时间连续进行镀膜工作，提高系统的利用率，具有简单方便，成本低廉，实用的特点，能直接制备各种导电类型的纳米硅薄膜。
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公开(公告)号：CN1697202A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510027059.0
申请日：2005-06-23
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/203 , C23C14/34 , C23C14/06 , B82B3/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种属于半导体光伏器件材料制备技术领域的半导体光伏器件级纳米硅薄膜的制备方法，本发明采用物理的方法－即溅射系统来制备光伏器件级纳米硅薄膜，靶材选用硅片，工作气体可以有氢气、氩气无毒且安全的气体，在低温条件下沉积硅薄膜，此外，通过更换不同导电类型的靶材可以获得相应导电类型的纳米硅薄膜，通过调整气体的比例来控制薄膜的晶化度和有序程度。本发明在低温的环境下采用物理的沉积方法制备光伏器件级薄膜材料，而且这种方法可以达到较高的真空度，可以长时间连续进行镀膜工作，提高系统的利用率，具有简单方便，成本低廉，实用的特点，能直接制备各种导电类型的纳米硅薄膜。
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公开(公告)号：CN1206743C
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN03116165.0
申请日：2003-04-03
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/022425 , Y02E10/50
Abstract: 一种晶体硅太阳电池制备工艺，属于太阳能应用领域。本发明制备晶体硅太阳电池工艺按工艺线的生产顺序分为如下六个步骤：对硅片进行前道化学预处理；在硅片上制作PN结；用电感耦合等离子刻蚀硅片周边；在电池的正面淀积氮化硅薄膜；采用丝网印刷工艺在太阳电池的正、背面制作电极；正、背面电极金属化及氮化硅薄膜烧穿。本发明将原来的两到三次的电极烧结工艺简化成一次完成，降低了的成本，提高了太阳电池效率。面积为103×103mm2的单晶硅太阳电池效率达15.7%，此工艺也适用多晶硅太阳电池，多晶硅太阳电池效率达14.0%以上(AM1.5，光照强度100mW/cm2，25℃)。
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公开(公告)号：CN1434252A
公开(公告)日：2003-08-06
申请号：CN03115559.6
申请日：2003-02-27
Applicant: 上海交通大学
Inventor： 周之斌
Abstract: 一种取暖陶瓷壁画及其制备工艺属于装饰与电加热技术领域。陶瓷壁画包括：陶瓷衬底、金属氧化物透明导电薄膜、红外减反射薄膜、导电浆电极、导电浆焊脚、功率输入电线，陶瓷基底的表面喷涂金属氧化物透明导电薄膜，金属氧化物透明导电薄膜的外侧镀红外减反射薄膜，在陶瓷壁画的背面设有导电浆电极及导电浆焊脚，导电浆焊脚上焊接功率输入电线。制备工艺如下：在陶瓷壁画的陶瓷基底的表面上喷涂金属氧化物透明导电薄膜；在金属氧化物透明导电薄膜的外侧真空蒸镀红外减反射薄膜；在陶瓷壁画的背面印上金属银导电浆，包括导电浆电极及导电浆焊脚，采用铜或银焊法，在导电浆焊脚上焊接功率输入电线。本发明提供了具备观赏与取暖功能的陶瓷壁画装饰品。
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