-
公开(公告)号：CN100342556C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200510027059.0
申请日：2005-06-23
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/203 , C23C14/34 , C23C14/06 , B82B3/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种属于半导体光伏器件材料制备技术领域的半导体光伏器件级纳米硅薄膜的制备方法，本发明采用物理的方法—即溅射系统来制备光伏器件级纳米硅薄膜，靶材选用硅片，工作气体可以有氢气、氩气无毒且安全的气体，在低温条件下沉积硅薄膜，此外，通过更换不同导电类型的靶材可以获得相应导电类型的纳米硅薄膜，通过调整气体的比例来控制薄膜的晶化度和有序程度。本发明在低温的环境下采用物理的沉积方法制备光伏器件级薄膜材料，而且这种方法可以达到较高的真空度，可以长时间连续进行镀膜工作，提高系统的利用率，具有简单方便，成本低廉，实用的特点，能直接制备各种导电类型的纳米硅薄膜。
-
公开(公告)号：CN1697202A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510027059.0
申请日：2005-06-23
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/203 , C23C14/34 , C23C14/06 , B82B3/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种属于半导体光伏器件材料制备技术领域的半导体光伏器件级纳米硅薄膜的制备方法，本发明采用物理的方法－即溅射系统来制备光伏器件级纳米硅薄膜，靶材选用硅片，工作气体可以有氢气、氩气无毒且安全的气体，在低温条件下沉积硅薄膜，此外，通过更换不同导电类型的靶材可以获得相应导电类型的纳米硅薄膜，通过调整气体的比例来控制薄膜的晶化度和有序程度。本发明在低温的环境下采用物理的沉积方法制备光伏器件级薄膜材料，而且这种方法可以达到较高的真空度，可以长时间连续进行镀膜工作，提高系统的利用率，具有简单方便，成本低廉，实用的特点，能直接制备各种导电类型的纳米硅薄膜。
-
公开(公告)号：CN1206743C
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN03116165.0
申请日：2003-04-03
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/022425 , Y02E10/50
Abstract: 一种晶体硅太阳电池制备工艺，属于太阳能应用领域。本发明制备晶体硅太阳电池工艺按工艺线的生产顺序分为如下六个步骤：对硅片进行前道化学预处理；在硅片上制作PN结；用电感耦合等离子刻蚀硅片周边；在电池的正面淀积氮化硅薄膜；采用丝网印刷工艺在太阳电池的正、背面制作电极；正、背面电极金属化及氮化硅薄膜烧穿。本发明将原来的两到三次的电极烧结工艺简化成一次完成，降低了的成本，提高了太阳电池效率。面积为103×103mm2的单晶硅太阳电池效率达15.7%，此工艺也适用多晶硅太阳电池，多晶硅太阳电池效率达14.0%以上(AM1.5，光照强度100mW/cm2，25℃)。
-
公开(公告)号：CN1441504A
公开(公告)日：2003-09-10
申请号：CN03116165.0
申请日：2003-04-03
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/022425 , Y02E10/50
Abstract: 一种高效低成本大面积晶体硅太阳电池工艺属于太阳能应用领域。本发明制备晶体硅太阳电池工艺按工艺线的生产顺序分为如下六个步骤：前道化学预处理；半导体PN结制作；电感偶合等离子刻蚀周边；淀积氮化硅薄膜；丝网印刷正、背面电极；正、背面电极金属化及氮化硅薄膜烧穿。本发明简化了太阳电池工艺、将原来的两到三次的电极烧结工艺简化成一次完成，降低了的成本，提高了太阳电池效率。采用此工艺，可获得商业化大面积(103×103mm2)单晶硅太阳电池的效率达15.7％，此工艺也适用于多晶硅太阳电池，多晶硅太阳电池效率可达14.0％以上，(AM1.5，光照强度100mW/cm2，25℃)。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.016 seconds)
