公开(公告)号：CN100342556C

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200510027059.0

申请日：2005-06-23

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 孟凡英 ,  崔容强 ,  徐林 ,  于化丛 ,  林书铨 ,  唐敦乙 ,  周之斌 ,  赵占霞 ,  赵百川

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/203 ,  C23C14/34 ,  C23C14/06 ,  B82B3/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种属于半导体光伏器件材料制备技术领域的半导体光伏器件级纳米硅薄膜的制备方法，本发明采用物理的方法—即溅射系统来制备光伏器件级纳米硅薄膜，靶材选用硅片，工作气体可以有氢气、氩气无毒且安全的气体，在低温条件下沉积硅薄膜，此外，通过更换不同导电类型的靶材可以获得相应导电类型的纳米硅薄膜，通过调整气体的比例来控制薄膜的晶化度和有序程度。本发明在低温的环境下采用物理的沉积方法制备光伏器件级薄膜材料，而且这种方法可以达到较高的真空度，可以长时间连续进行镀膜工作，提高系统的利用率，具有简单方便，成本低廉，实用的特点，能直接制备各种导电类型的纳米硅薄膜。

公开(公告)号：CN1697202A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200510027059.0

申请日：2005-06-23

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 孟凡英 ,  崔容强 ,  徐林 ,  于化丛 ,  林书铨 ,  唐敦乙 ,  周之斌 ,  赵占霞 ,  赵百川

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/203 ,  C23C14/34 ,  C23C14/06 ,  B82B3/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种属于半导体光伏器件材料制备技术领域的半导体光伏器件级纳米硅薄膜的制备方法，本发明采用物理的方法－即溅射系统来制备光伏器件级纳米硅薄膜，靶材选用硅片，工作气体可以有氢气、氩气无毒且安全的气体，在低温条件下沉积硅薄膜，此外，通过更换不同导电类型的靶材可以获得相应导电类型的纳米硅薄膜，通过调整气体的比例来控制薄膜的晶化度和有序程度。本发明在低温的环境下采用物理的沉积方法制备光伏器件级薄膜材料，而且这种方法可以达到较高的真空度，可以长时间连续进行镀膜工作，提高系统的利用率，具有简单方便，成本低廉，实用的特点，能直接制备各种导电类型的纳米硅薄膜。