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公开(公告)号：CN1415427A
公开(公告)日：2003-05-07
申请号：CN02150786.4
申请日：2002-11-28
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 喷涂沉积大面积均匀透明导电薄膜扫描装置属于太阳能应用领域。完成加热过程和喷涂过程的主单元、完成退火功能的辅助单元、具有预加热功能的辅助单元依次并列或L形排列，具有预加热功能的辅助单元位于完成加热过程和喷涂过程的主单元一侧，完成退火功能的辅助单元位于完成加热过程和喷涂过程的主单元的另一侧，由机械手完成玻璃衬底在各单元之间的传输，主单元包括：衬底加温部分、喷头部分，这两部分是相互分离的。采用本发明得到的SnO2透明导电薄膜的方块电阻可达4Ω/口，透过率达90％，薄膜中心和边缘的膜厚、电学性质不均匀度小于10％，采用衬底加温部分与喷头部分(二)配合的装置可获得膜厚、电学性质不均匀度小于5％的超均匀的透明导电薄膜。
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公开(公告)号：CN1206743C
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN03116165.0
申请日：2003-04-03
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/022425 , Y02E10/50
Abstract: 一种晶体硅太阳电池制备工艺，属于太阳能应用领域。本发明制备晶体硅太阳电池工艺按工艺线的生产顺序分为如下六个步骤：对硅片进行前道化学预处理；在硅片上制作PN结；用电感耦合等离子刻蚀硅片周边；在电池的正面淀积氮化硅薄膜；采用丝网印刷工艺在太阳电池的正、背面制作电极；正、背面电极金属化及氮化硅薄膜烧穿。本发明将原来的两到三次的电极烧结工艺简化成一次完成，降低了的成本，提高了太阳电池效率。面积为103×103mm2的单晶硅太阳电池效率达15.7%，此工艺也适用多晶硅太阳电池，多晶硅太阳电池效率达14.0%以上(AM1.5，光照强度100mW/cm2，25℃)。
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公开(公告)号：CN1265018C
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN03116464.1
申请日：2003-04-17
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种高光电导增益氮化碳薄膜制备方法属于半导体材料领域。本发明方法采用离子束溅射工艺制备氮化碳薄膜，高纯石墨作为靶材，高纯氮气作为考夫曼离子束源的工作气体，工作气压为2～6×10-2Pa。本发明采用离子束溅射工艺，仅仅用氮气作为反应和溅射气体，并且薄膜远离浓氮离子束的直接轰击，减少了悬挂键复合缺陷的密度，省去了氢气的钝化过程，在AM1.5，100mW/cm2标准光强下，所获得的氮化碳薄膜的光电导增益，即光照的电导与暗电导的比值，可达106，可以用在光伏器件上，用作光激活层的新型光伏薄膜材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1167515C
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN02150786.4
申请日：2002-11-28
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 喷涂沉积大面积均匀透明导电薄膜扫描装置属于太阳能应用领域。完成加热过程和喷涂过程的主单元、完成退火功能的辅助单元、具有预加热功能的辅助单元依次并列或L形排列，具有预加热功能的辅助单元位于完成加热过程和喷涂过程的主单元一侧，完成退火功能的辅助单元位于完成加热过程和喷涂过程的主单元的另一侧，由机械手完成玻璃衬底在各单元之间的传输，主单元包括：衬底加温部分、喷头部分，这两部分是相互分离的。采用本发明得到的SnO2透明导电薄膜的方块电阻可达4Ω/□，透过率达90%，薄膜中心和边缘的膜厚、电学性质不均匀度小于10%，采用衬底加温部分与喷头部分(二)配合的装置可获得膜厚、电学性质不均匀度小于5%的超均匀的透明导电薄膜。
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公开(公告)号：CN1443870A
公开(公告)日：2003-09-24
申请号：CN03116464.1
申请日：2003-04-17
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种高光电导增益氮化碳薄膜制备方法属于半导体材料领域。本发明方法采用离子束溅射工艺制备氮化碳薄膜，高纯石墨作为靶材，高纯氮气作为考夫曼离子束源的工作气体，工作气压为2～6×10－2Pa。本发明采用离子束溅射工艺，仅仅用氮气作为反应和溅射气体，并且薄膜远离浓氮离子束的直接轰击，减少了悬挂键复合缺陷的密度，省去了氢气的钝化过程，在AM1.5，100mW/cm2标准光强下，所获得的氮化碳薄膜的光电导增益，(光照的电导－暗电导)与暗电导的比值，可达106，可以用在光伏器件上，用作光激活层的新型光伏薄膜材料。
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公开(公告)号：CN1441504A
公开(公告)日：2003-09-10
申请号：CN03116165.0
申请日：2003-04-03
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/022425 , Y02E10/50
Abstract: 一种高效低成本大面积晶体硅太阳电池工艺属于太阳能应用领域。本发明制备晶体硅太阳电池工艺按工艺线的生产顺序分为如下六个步骤：前道化学预处理；半导体PN结制作；电感偶合等离子刻蚀周边；淀积氮化硅薄膜；丝网印刷正、背面电极；正、背面电极金属化及氮化硅薄膜烧穿。本发明简化了太阳电池工艺、将原来的两到三次的电极烧结工艺简化成一次完成，降低了的成本，提高了太阳电池效率。采用此工艺，可获得商业化大面积(103×103mm2)单晶硅太阳电池的效率达15.7％，此工艺也适用于多晶硅太阳电池，多晶硅太阳电池效率可达14.0％以上，(AM1.5，光照强度100mW/cm2，25℃)。
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公开(公告)号：CN1194821C
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN02150785.6
申请日：2002-11-28
Applicant: 上海交通大学
IPC: B05C5/00
Abstract: 喷涂沉积大面积均匀透明导电薄膜的喷嘴，属于半导体电子材料镀膜领域。包括用于储存雾化蒸汽的容器，容器内储存用于沉积透明导电薄膜的雾化蒸汽，该喷嘴的底部具有一定规律分布的小孔作为喷孔，喷孔有小圆孔喷孔或长条形狭缝喷孔两种，小圆孔喷孔是一维分布的，形成一维喷嘴，或者，小圆孔喷孔形成两维分布的，则是二维喷嘴，由一条狭缝喷孔形成一维喷嘴，或者是多个长条型狭缝喷孔平行排列，形成二维喷嘴，喷嘴的下部，小圆孔喷孔或长条形狭缝喷孔，在衬底的正上方，离衬底的距离在5～100mm范围内，喷嘴的四侧设有阻隔板。本发明方块电阻可达4Ω/□，透过率达90%(600nm波长入射光)，薄膜中心和边缘的膜厚、电学性质不均匀度小于5%。
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公开(公告)号：CN1411914A
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN02150785.6
申请日：2002-11-28
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 喷涂沉积大面积均匀透明导电薄膜的喷嘴属于半导体电子材料镀膜领域。为具有一定规律分布的小圆孔的一维结构喷嘴，或为具有一定规律排列的阵列两维结构的两维喷嘴，或者是一维单狭缝喷嘴和多组长条型狭缝喷嘴平行排列的二维喷嘴，喷嘴的喷孔有两种结构，一是小圆孔喷孔，二是狭缝喷孔，一维喷嘴上的小圆孔喷孔，为单行均匀分布排列，两维结构喷嘴的小圆孔分布在50×50mm2～150×150mm2两维范围内，一维单狭缝喷嘴和多组长条型狭缝喷嘴平行排列，它们分布在50×50mm2～150×150mm2两维范围内。采用本发明的喷嘴得到的大面积透明导电薄膜，其方块电阻可达4Ω/□，透过率达90％(600nm波长入射光)，薄膜中心和边缘的膜厚、电学性质不均匀度小于5％，更适合工业化大规模生产。
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