公开(公告)号：CN1812136A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200510111017.5

申请日：2005-12-01

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 周之斌 ,  李友杰

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/072

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 一种半导体技术领域的二氧化锡薄膜与硅异质结太阳电池。本发明包括：电池迎光面栅线电极、掺氟的二氧化锡层、二氧化硅层、n型硅基底、本征非晶硅薄膜、磷掺杂非晶硅薄膜以及铝背电极。电池迎光面栅线电极在掺氟的二氧化锡层之上，掺氟的二氧化锡层与n型硅基底的正面之间夹了一层二氧化硅层，n型硅基底的背面依次沉积本征非晶硅薄膜和磷掺杂非晶硅薄膜以及铝背电极。本发明降低了薄膜的串联电阻，背面的本征非晶硅薄膜、掺磷非晶硅薄膜与硅片构成高低结，改善了电池的电输出性能，工艺简单，产业化成本低。在AM1.5，100mW/cm2标准光强下，太阳电池的效率达13％以上。

公开(公告)号：CN100399584C

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200510111017.5

申请日：2005-12-01

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 周之斌 ,  李友杰

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/072

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 一种半导体技术领域的二氧化锡/硅异质结太阳电池。本发明包括：电池迎光面栅线电极、掺氟的二氧化锡层、二氧化硅层、n型硅基底、本征非晶硅薄膜、磷掺杂非晶硅薄膜以及铝背电极。电池迎光面栅线电极在掺氟的二氧化锡层之上，掺氟的二氧化锡层与n型硅基底的正面之间夹了一层二氧化硅层，n型硅基底的背面依次沉积本征非晶硅薄膜和磷掺杂非晶硅薄膜以及铝背电极。本发明降低了薄膜的串联电阻，背面的本征非晶硅薄膜、掺磷非晶硅薄膜与硅片构成高低结，改善了电池的电输出性能，工艺简单，产业化成本低。在AM1.5，100mW/cm2标准光强下，太阳电池的效率达13%以上。