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公开(公告)号：CN106350469A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610986741.0
申请日：2016-11-09
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种耐高温的纤维素降解的芽孢杆菌及其应用，具体为芽孢杆菌JWT-1，属于枯草芽孢杆菌(Bacillus subtilis)，保藏于中国普通微生物菌种保藏管理中心(CGMCC)，保藏日期为2016年7月11日，保藏编号CGMCC No.12758。该细菌对秸秆中纤维素、半纤维素、果胶和木质素具有较强的降解能力；并可在60℃的高温下生长繁殖，最高可耐受100℃的高温，具有良好的高温堆肥应用前景。
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公开(公告)号：CN101916823A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010237243.9
申请日：2010-07-27
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种计算机技术领域的基于碲化锑复合相变材料的相变存储装置及其制备方法，装置包括：基板、下电极、热发生电极层、绝缘层、相变材料层和上电极，其中：所述的相变材料层是包括碲化锑和氮化硅的复合相变材料层；所述的氮化硅的原子百分比含量范围为：0.5-30；所述的相变材料层中Sb原子和Te原子的比例范围为80/20-30/70。本发明中相变存储装置使用了高结晶速度并且发热效率更高的复合相变材料层，可以提高相变存储装置的操作速度，降低相变存储装置的RESET操作电流。
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公开(公告)号：CN100477318C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200710109363.9
申请日：2005-08-11
Abstract: 一种微电子技术领域的用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料，为硫族化物合金TeaSibSb100-(a+b)，其中48≤a≤60，8≤b≤40。本发明具有比常用的Ge2Sb2Te5相变薄膜较高的晶态电阻，同时具有更高的非晶态/晶态电阻变化率，更低的非晶态/晶态薄膜厚度变化率和更低的熔点。这些特征使得采用含Si系列硫族化物相变薄膜的存储器可以具有更高的开/关比和器件稳定性，有助于降低存储器的写操作电流，同时有利于实现更高密度的多值存储。
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公开(公告)号：CN100364132C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200510028671.X
申请日：2005-08-11
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种微电子技术领域的用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料，即Si掺杂进入TeaGebSb100-(a+b)合金形成的(TeaGebSb100-(a+b))cSi100-c薄膜，其中：48≤a≤60，8≤b≤40，Si掺杂量100-c的范围在1到20原子百分比之间。本发明具有比常用的Ge2Sb2Te5相变薄膜较高的晶态电阻，同时具有更高的非晶态/晶态电阻变化率，更低的非晶态/晶态薄膜厚度变化率和更低的熔点。这些特征使得采用含Si系列硫族化物相变薄膜的存储器可以具有更高的开/关比和器件稳定性，有助于降低存储器的写操作电流，同时有利于实现更高密度的多值存储。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105924246A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610256609.4
申请日：2016-04-25
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种生物发酵一体化有机肥制备方法，通过将用于秸秆降解的复合菌剂预发酵后添加入堆肥，通过有氧发酵的方式实现有机肥制备；该复合菌剂，由作为载体的麦麸和复合菌组成，其中菌液的成分为：复合菌Ⅰ、复合菌Ⅱ、复合菌Ⅲ、辅助复合菌以及水。本发明全程高通氧，保证生物发酵的好氧环境；发酵添加的菌种均为抗逆性能力较强的微生物，在常温条件下具有较长的活性周期，为连续发酵的开展提供了重要的理论基础；采用可明显缩短秸秆降解发酵周期，使发酵周期缩短至10天内。因此，本发明能够最大程度的提高有机肥的生产速度，缩减生产成本，为秸秆生物有机肥的发酵生产奠定了基础。
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公开(公告)号：CN100382330C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200510028673.9
申请日：2005-08-11
Abstract: 一种可实现多位存储的单元结构，属于微电子技术领域。本发明包括：基底、下电极、相变层、加热层、阻挡层、上电极、绝缘侧壁，基底设在最下层，在基底的上面设有下电极，上电极设在最上层，在下电极和上电极之间设有三层相变层，上电极与相变层之间、下电极与相变层之间以及相变层之间设有阻挡层，每个相变层中间设有加热层，下电极、相变层、加热层、阻挡层和上电极均设在绝缘侧壁的细孔里。本发明有效提高数据存储密度，并且提高多位存储的稳定性。
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公开(公告)号：CN1744340A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510028671.X
申请日：2005-08-11
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种微电子技术领域的用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料，包括3种类型，其一是TeaSibSb100－(a+b)合金薄膜，其二是Si掺杂进入Ge－Sb－Te合金之中形成的(TeaGebSb100－(a+b))cSi100－c薄膜，其三是Si部分取代Ge－Sb－Te合金中的Ge得到的TeaSicGe(b－c)Sb100－(a+b)合金薄膜。本发明具有比常用的Ge2Sb2Te5相变薄膜较高的晶态电阻，同时具有更高的非晶态/晶态电阻变化率，更低的非晶态/晶态薄膜厚度变化率和更低的熔点。这些特征使得采用含Si系列硫族化物相变薄膜的存储器可以具有更高的开/关比和器件稳定性，有助于降低存储器的写操作电流，同时有利于实现更高密度的多值存储。
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公开(公告)号：CN1744325A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510028673.9
申请日：2005-08-11
Abstract: 一种可实现多位存储的单元结构，属于微电子技术领域。本发明包括：基底、下电极、相变层、加热层、阻挡层、上电极、绝缘侧壁，基底设在最下层，在基底的上面设有下电极，上电极设在最上层，在下电极和上电极之间设有至少三层相变层，上电极与相变层之间、下电极与相变层之间以及相变层之间设有阻挡层，每个相变层中间设有加热层，下电极、相变层、加热层、阻挡层和上电极均设在绝缘侧壁的细孔里。本发明有效提高数据存储密度，并且提高多位存储的稳定性。
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公开(公告)号：CN109490387B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201811316494.9
申请日：2018-11-07
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N27/327
Abstract: 一种基于核酸适配体的重金属离子电化学传感器的制备方法及应用，将四氯合金酸的水溶液滴加入聚吡咯的二甲基甲酰胺溶液中加热反应并加入柠檬酸三钠溶液制备得到聚吡咯‑纳米金复合材料，最后将聚吡咯‑纳米金复合材料涂于丝网印刷碳电极的表面，与涂有铅离子核酸适配体层的工作电极组成电化学传感器。本发明能够很灵敏，准确的检测铅离子的含量，并绘制了相应的工作曲线。用该传感器检测土壤溶液中的铅离子其检测限0.038nmol/L，线性范围为0.5‑10nmol/L。该方法还具有很好的重现性和稳定性。通过对土壤溶液的检测，进一步验证了该方法的在铅离子检测方面的可行性。
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