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公开(公告)号：CN105891974A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610353201.9
申请日：2010-08-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02B6/42
CPC classification number: G02B6/4201 , G02B6/4256 , G02B6/4296 , G02B7/02 , H01S5/02212 , H01S5/0222 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/4012 , Y10T83/0453
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种光源装置及其制造方法。该光源装置具有半导体激光器(LD)、LED、灯等的发光源、以及透镜、光纤等的传送、转印、会聚等的光学部件，将装置内的硫酸根离子量保持在低水准，由此，能够防止硫酸铵附着于光学部件。光源装置具有：光源，其出射光；光学部件，其对从光源出射的光进行处理；以及框体，其收纳光学部件或者安装光学部件，通过切削不含硫成分的材料来形成框体，所述材料露出于表面。
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公开(公告)号：CN1886643B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200480035140.7
申请日：2004-10-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01N1/28
CPC classification number: G01N1/4055 , G01N33/442 , G01N2001/4061 , G01N2030/009 , Y10T436/24
Abstract: 本发明提供迅速地分析材料中的微量含有物的方法，该方法在制备用于分析材料中的微量含有物的试样时，不进行长时间的提取处理，而是通过1次短时间的提取处理来进行。本发明的微量含有物的分析方法包括以下的工序：在试样台上载置被分析材料的试样片的工序、在试样台上滴加从试样片提取含有物的溶剂，在试样台和载置在试样台上的试样片的间隙中注入溶剂的工序、在室温保持注入在试样台和试样片的间隙中的溶剂，利用保持在试样台和试样片的间隙中的溶剂从试样片提取含有物的工序、以及分析从试样片提取的含有物的工序。
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公开(公告)号：CN101995623A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010258141.5
申请日：2010-08-18
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G02B6/4201 , G02B6/4256 , G02B6/4296 , G02B7/02 , H01S5/02212 , H01S5/0222 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/4012 , Y10T83/0453
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种光源装置以及框体的制造方法。该光源装置具有半导体激光器(LD)、LED、灯等的发光源、以及透镜、光纤等的传送、转印、会聚等的光学部件，将装置内的硫酸根离子量保持在低水准，由此，能够防止硫酸铵附着于光学部件。光源装置具有：光源，其出射光；光学部件，其对从光源出射的光进行处理；以及框体，其收纳光学部件或者安装光学部件，通过切削不含硫成分的材料来形成框体，所述材料露出于表面。
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公开(公告)号：CN101452899A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810178023.6
申请日：2008-12-08
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/32341 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供具有在电极间不产生电阻成分的p电极的氮化物半导体装置及其制造方法。p电极(12)由第一Pd膜(13)、Ta膜(14)以及第二Pd膜(15)构成，并且，形成在由氮化物半导体构成的p型接触层(11)上。在第二Pd膜(15)上形成焊盘电极(16)。第二Pd膜(15)形成在构成p电极(12)的Ta膜(14)上部的整个面上，起到防止Ta膜(14)氧化的防氧化膜的功能。能够利用该第二Pd膜(15)防止Ta膜(14)被氧化，因此能够抑制p电极(12)和焊盘电极(16)之间所产生的电阻成分。由此，能够防止p电极(12)与焊盘电极(16)的接触不良，所以，能够实现低电阻的p电极(12)。
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公开(公告)号：CN1886643A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200480035140.7
申请日：2004-10-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01N1/28
CPC classification number: G01N1/4055 , G01N33/442 , G01N2001/4061 , G01N2030/009 , Y10T436/24
Abstract: 本发明提供迅速地分析材料中的微量含有物的方法，该方法在制备用于分析材料中的微量含有物的试样时，不进行长时间的提取处理，而是通过1次短时间的提取处理来进行。本发明的微量含有物的分析方法包括以下的工序：在试样台上载置被分析材料的试样片的工序、在试样台上滴加从试样片提取含有物的溶剂，在试样台和载置在试样台上的试样片的间隙中注入溶剂的工序、在室温保持注入在试样台和试样片的间隙中的溶剂，利用保持在试样台和试样片的间隙中的溶剂从试样片提取含有物的工序、以及分析从试样片提取的含有物的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101452899B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200810178023.6
申请日：2008-12-08
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/32341 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供具有在电极间不产生电阻成分的p电极的氮化物半导体装置及其制造方法。p电极(12)由第一Pd膜(13)、Ta膜(14)以及第二Pd膜(15)构成，并且，形成在由氮化物半导体构成的p型接触层(11)上。在第二Pd膜(15)上形成焊盘电极(16)。第二Pd膜(15)形成在构成p电极(12)的Ta膜(14)上部的整个面上，起到防止Ta膜(14)氧化的防氧化膜的功能。能够利用该第二Pd膜(15)防止Ta膜(14)被氧化，因此能够抑制p电极(12)和焊盘电极(16)之间所产生的电阻成分。由此，能够防止p电极(12)与焊盘电极(16)的接触不良，所以，能够实现低电阻的p电极(12)。
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公开(公告)号：CN101442184A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810173377.1
申请日：2008-11-20
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S2301/173
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体装置及其制造方法。其目的在于在半导体装置、特别是在激光二极管的制作中使用的氮化物半导体装置中，抑制工艺的复杂化或成品率的下降、并抑制电极剥离。本发明的氮化物半导体装置具备：在表面具有脊(2)的P型半导体层(1)；至少覆盖脊(2)侧面的SiO2膜(3)；形成在SiO2膜(3)的表面的将硅作为主要成分的粘合层(4)；形成在脊(2)的上表面以及粘合层(4)的表面上的P型电极(5)。
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公开(公告)号：CN1148732A
公开(公告)日：1997-04-30
申请号：CN96107937.1
申请日：1996-06-07
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L24/32 , H01L23/49582 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/29111 , H01L2224/32245 , H01L2224/451 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48599 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/73265 , H01L2224/83439 , H01L2224/85201 , H01L2224/85439 , H01L2224/85444 , H01L2224/85447 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01011 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/351 , H05K3/282 , H05K3/3421 , H01L2924/00 , H01L2924/01082 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 提供一种利用金属碳酸盐膜，把外部引线等容易牢固地焊接到电路基板上的表面装式半导体装置、一种大幅度提高了装配面的焊锡浸润性和热压焊性半导体装配部件及一种在这些装置及部件的装置表面上形成金属碳酸盐膜的方法，表面装式半导体装置，在焊接装配外部引线等的面上形成金属碳酸盐膜。而半导体装配部件在用焊接或热压焊等装配半导体芯片等的面上形成金属碳酸盐膜。另外，使表面装式半导体装置或半导体装配部件的装配表面与含碳溶液接触，在其上形成金属碳酸盐膜。
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公开(公告)号：CN101447468B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200810178809.8
申请日：2008-12-01
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供具有在电极间不产生电阻成分的p电极的氮化物半导体装置及其制造方法。p电极(12)由第一Pd膜(13)、Ta膜(14)和防止Ta膜(14)氧化的作为防氧化膜的第二Pd膜(15)构成，并且形成在由氮化物半导体构成的p型接触层(11)上。在该第二Pd膜(15)上形成焊盘电极(22)。作为防氧化膜的第二Pd膜(15)形成在构成p电极(12)的Ta膜(14)上部的整个面上，并且由于可以由该第二Pd膜(15)防止Ta膜(14)被氧化，所以能够抑制在p电极(12)和焊盘电极(22)之间产生的电阻成分。由此，由于能够防止p电极(12)和焊盘电极(22)之间的接触不良，所以，能够实现低电阻的p电极(12)。
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公开(公告)号：CN101447468A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810178809.8
申请日：2008-12-01
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供具有在电极间不产生电阻成分的p电极的氮化物半导体装置及其制造方法。p电极(12)由第一Pd膜(13)、Ta膜(14)和防止Ta膜(14)氧化的作为防氧化膜的第二Pd膜(15)构成，并且形成在由氮化物半导体构成的p型接触层(11)上。在该第二Pd膜(15)上形成焊盘电极(22)。作为防氧化膜的第二Pd膜(15)形成在构成p电极(12)的Ta膜(14)上部的整个面上，并且由于可以由该第二Pd膜(15)防止Ta膜(14)被氧化，所以能够抑制在p电极(12)和焊盘电极(22)之间产生的电阻成分。由此，由于能够防止p电极(12)和焊盘电极(22)之间的接触不良，所以，能够实现低电阻的p电极(12)。
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