公开(公告)号：CN113875018B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN201980096756.1

申请日：2019-05-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小西和也 ,  樽井阳一郎 ,  丹羽弘树 ,  冈部博明 ,  渡边宽

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 提供用于抑制回跳现象并且抑制平坦化工序中的集电极层的去除的技术。本申请说明书公开的技术所涉及的半导体装置具备：漂移层的下表面的一部分中的第1导电类型的漏极层、漂移层的下表面的一部分中的多个第2导电类型的集电极层以及在漂移层的下表面的一部分被多个集电极层夹着的第1导电类型的虚设层，虚设层的被多个集电极层夹着的方向即第1方向上的宽度比漏极层的第1方向上的宽度窄。

公开(公告)号：CN106663693B

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201480080201.5

申请日：2014-06-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高木保志 ,  樽井阳一郎

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明能够一边抑制短路耐量的降低，一边降低导通电阻。本发明具有SiC外延层(2)、阱区域(3)、源极区域(4)、沟道电阻调整区域(6)、栅极电极(7)、层间绝缘膜(9)、源极电极(10)、以及漏极电极(12)。沟道电阻调整区域(6)是在阱区域(3)的表层被源极区域(4)和SiC外延层(2)夹着而形成的。沟道电阻调整区域(6)是，在与由源极区域(4)和SiC外延层(2)夹着沟道电阻调整区域(6)的方向相交叉的方向，间断地形成第1杂质区域的区域。

公开(公告)号：CN105023941B

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201510217654.4

申请日：2015-04-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 田所千广 ,  樽井阳一郎 ,  大久野幸史

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供能够使切换时产生的电场集中缓和的碳化硅半导体装置。碳化硅半导体装置具备：第一导电型的碳化硅半导体层；场绝缘膜，其形成于碳化硅半导体层的表面上；肖特基电极，其在碳化硅半导体层的表面上形成为比场绝缘膜靠内周侧，并且形成为攀升至场绝缘膜；表面电极，其将肖特基电极覆盖，越过肖特基电极的外周端而在场绝缘膜上延伸；以及第二导电型的终端阱区域，其在碳化硅半导体层内的上部形成为与肖特基电极的一部分相接，在碳化硅半导体层内比表面电极的外周端向外周侧延伸，表面电极的外周端存在于比终端阱区域的外周端向内侧大于或等于15μm处。

公开(公告)号：CN106663693A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201480080201.5

申请日：2014-06-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高木保志 ,  樽井阳一郎

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/086 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/12 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/739 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明能够一边抑制短路耐量的降低，一边降低导通电阻。本发明具有SiC外延层(2)、阱区域(3)、源极区域(4)、沟道电阻调整区域(6)、栅极电极(7)、层间绝缘膜(9)、源极电极(10)、以及漏极电极(12)。沟道电阻调整区域(6)是在阱区域(3)的表层被源极区域(4)和SiC外延层(2)夹着而形成的。沟道电阻调整区域(6)是，在与由源极区域(4)和SiC外延层(2)夹着沟道电阻调整区域(6)的方向相交叉的方向，间断地形成第1杂质区域的区域。

公开(公告)号：CN102468327B

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201110252431.3

申请日：2011-08-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 樽井阳一郎

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L23/544 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/167 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够缓和电场、将栅极电容抑制得较小的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置具有：第一导电型的半导体基板（1）；第一导电型的外延层（23），形成在半导体基板（1）上并在表面具有凸部；第二导电型的阱区域（3），夹着凸部形成在外延层（23）表面；第一导电型的源极区域（4），在阱区域（3）表面选择性地形成；栅极绝缘膜（6），至少覆盖凸部及阱区域（3）表面而形成；栅极电极（7），形成在与凸部对应的栅极绝缘膜（6）上，其中栅极绝缘膜（6）的与凸部上表面对应的区域的厚度比其他区域的厚度厚。

公开(公告)号：CN103681783B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201310191318.8

申请日：2013-05-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 木谷刚 ,  樽井阳一郎

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/36

Abstract: 本发明的目的在于提供以少的离子注入次数实现足够的耐压的碳化硅半导体装置。本发明包括：碳化硅漂移层(1)，形成于碳化硅衬底(10)上；P型区域(2)，形成于碳化硅漂移层(1)表层；肖特基电极(3)，与P型区域(2)的形成部位对应地形成于碳化硅漂移层(1)上。而且P型区域(2)通过排列多个作为P型杂质的分布的重复单位的单位单元(20)而形成。另外各单位单元(20)至少具有P型杂质以第一浓度分布的第一分布区域(20A)和P型杂质以比第一浓度高的第二浓度分布的第二分布区域(20B)。

公开(公告)号：CN102479807B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201110380426.0

申请日：2011-11-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 樽井阳一郎 ,  鹿口直斗 ,  中村卓誉

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/36 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/046 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明提供一种碳化硅半导体装置及其制造方法。在具有作为JTE区域或者FLR的终端区域的碳化硅半导体装置的制造中，增大将在终端区域表面产生的损伤层除去的刻蚀量的容限。碳化硅半导体装置在半导体元件的终端部具有作为JTE（Junction Termination Extension）区域或者FLR（Field Limiting Ring）的终端区域。终端区域利用将杂质的种类以及注入能量固定的一个阶段的离子注入形成。在终端区域的深度方向的杂质浓度分布中，最浅的位置的浓度峰值位于比表面深0.35μm的位置，并且，表面部的浓度为最浅的浓度峰值的十分之一以下。

公开(公告)号：CN102194669B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201110003496.4

申请日：2011-01-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 宇田幸生 ,  关谷晃一 ,  小林和雄 ,  樽井阳一郎

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/66 ,  C23C16/26

CPC classification number: H01L29/7802 ,  C23C16/325 ,  C23C16/56 ,  H01L21/046 ,  H01L22/12 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  Y10S438/931

Abstract: 本发明提供一种碳化硅半导体装置的制造方法，能够精度良好且低成本地进行防止在退火处理时硅以及碳发生蒸发的保护膜的膜厚测定。在衬底保持器（35）上搭载晶片（WF）并置于成膜炉（32）内，利用真空泵经由气体排出部（33）对成膜炉（32）内进行真空排气，在极力除去残存的氧之后，一边经由气体导入部（31）导入Ar或氦（He）等的非活性气体，一边在减压下将成膜炉（32）内的温度加热到800℃～950℃的范围。达到该温度后，使非活性气体的流入停止，经由气体导入部（31）向成膜炉（32）内导入气化后的乙醇作为源气体，由此，在晶片（WF）的整个表面形成石墨膜。

公开(公告)号：CN103972292A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410043857.1

申请日：2014-01-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 折附泰典 ,  樽井阳一郎

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0255 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/049 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7827 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其防止由于浪涌电流流过源极区域而引起的寄生双极动作，防止设备的损坏。该半导体装置具有：n型的漂移层（2），其形成在半导体衬底（1）的主表面上；p型阱区域（3），其在漂移层（2）的上层部选择性地形成多个；n型的源极区域（4），其形成在p型阱区域（3）的表面内；以及p型的接触区域（5），其以与源极区域（4）相邻的方式形成在p型阱区域（3）的表面内，比源极区域（4）浅。另外，具有n型的附加区域（6），其在与接触区域（5）的下方对应且与p型阱区域（3）相比较深的位置处，以与p型阱区域（3）的底面接触的方式形成。

公开(公告)号：CN102468327A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110252431.3

申请日：2011-08-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 樽井阳一郎

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L23/544 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/167 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够缓和电场、将栅极电容抑制得较小的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置具有：第一导电型的半导体基板（1）；第一导电型的外延层（23），形成在半导体基板（1）上并在表面具有凸部；第二导电型的阱区域（3），夹着凸部形成在外延层（23）表面；第一导电型的源极区域（4），在阱区域（3）表面选择性地形成；栅极绝缘膜（6），至少覆盖凸部及阱区域（3）表面而形成；栅极电极（7），形成在与凸部对应的栅极绝缘膜（6）上，其中栅极绝缘膜（6）的与凸部上表面对应的区域的厚度比其他区域的厚度厚。