公开(公告)号：CN106098757A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610281369.3

申请日：2016-04-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 野上洋一 ,  堀口健一 ,  东坂范雄 ,  渡边伸介 ,  北野俊明

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/8124 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/402 ,  H01L29/475

Abstract: 得到一种场效应晶体管，该场效应晶体管能够有效地抑制由与高温RF动作时的本征载流子密度增大相伴的损耗增大所引起的RF特性变差。多个源极电极(6)及多个漏极电极(7)彼此交替地配置，与半导体衬底(1)的主面欧姆接合。多个栅极电极(8)分别配置在多个源极电极(6)和多个漏极电极(7)之间，与半导体衬底(1)的主面肖特基接合。多个漏极电极(7)分别具有彼此被分割开的第1及第2部分(7a、7b)。漏极电极(7)的第1及第2部分(7a、7b)的合计电极宽度比一根源极电极(6)的宽度窄。肖特基电极(13)配置在漏极电极(7)的第1部分(7a)和第2部分(7b)之间，与半导体衬底(1)的主面肖特基接合。

公开(公告)号：CN106098757B

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201610281369.3

申请日：2016-04-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 野上洋一 ,  堀口健一 ,  东坂范雄 ,  渡边伸介 ,  北野俊明

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/8124 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786

Abstract: 得到一种场效应晶体管，该场效应晶体管能够有效地抑制由与高温RF动作时的本征载流子密度增大相伴的损耗增大所引起的RF特性变差。多个源极电极(6)及多个漏极电极(7)彼此交替地配置，与半导体衬底(1)的主面欧姆接合。多个栅极电极(8)分别配置在多个源极电极(6)和多个漏极电极(7)之间，与半导体衬底(1)的主面肖特基接合。多个漏极电极(7)分别具有彼此被分割开的第1及第2部分(7a、7b)。漏极电极(7)的第1及第2部分(7a、7b)的合计电极宽度比一根源极电极(6)的宽度窄。肖特基电极(13)配置在漏极电极(7)的第1部分(7a)和第2部分(7b)之间，与半导体衬底(1)的主面肖特基接合。

公开(公告)号：CN110574147A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201780089939.1

申请日：2017-04-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 北野俊明

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 在Si基板(1)之上设置有氮化物半导体层(2、3、4)。在氮化物半导体层(2、3、4)之上设置有栅极电极(5)、源极电极(6)以及漏极电极(7)。在漏极电极(7)之下，在Si基板(1)设置有与氮化物半导体层(2、3、4)相接的P型导电层(11)。

公开(公告)号：CN106531791A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610827160.2

申请日：2016-09-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 冈崎拓行 ,  仓桥健一郎 ,  小山英寿 ,  北野俊明 ,  加茂宣卓

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L21/0495 ,  H01L21/28581 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/78

Abstract: 得到一种能够提高耐湿性而不使绝缘膜变厚的半导体装置及其制造方法。氮化物半导体膜物半导体膜(4)上。由氮化硅构成的第1绝缘膜(11)形成于氮化物半导体膜(4)上，与栅极电极(6)的侧面的至少一部分接触，在第1绝缘膜(11)与氮化物半导体膜(4)之间形成界面。由原子层交替排列的氧化铝构成的第2绝缘膜(12)覆盖栅极电极(6)及第1绝缘膜(11)。(4)形成于衬底(1)上。栅极电极(6)形成于氮化

公开(公告)号：CN110574147B

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN201780089939.1

申请日：2017-04-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 北野俊明

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 在Si基板(1)之上设置有氮化物半导体层(2、3、4)。在氮化物半导体层(2、3、4)之上设置有栅极电极(5)、源极电极(6)以及漏极电极(7)。在漏极电极(7)之下，在Si基板(1)设置有与氮化物半导体层(2、3、4)相接的P型导电层(11)。

公开(公告)号：CN114270496A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN201980098431.7

申请日：2019-08-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 北野俊明

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/52 ,  H01L27/04

Abstract: 半导体装置(1)具备：半导体材料的基材(11)，其呈薄板状；表面电极(13)，其配置于基材(11)的表面(11ff)；背面电极(17)，其覆盖基材(11)的背面(11fr)；以及过孔(1h)，其呈将表面电极(13)作为底且在背面(11fr)侧开口的孔状，并将表面电极(13)与背面电极(17)电连接，在背面(11fr)侧的周缘部配置有沿厚度方向突出的突出部(1p)。