公开(公告)号：CN1190250A

公开(公告)日：1998-08-12

申请号：CN97118416.X

申请日：1997-09-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 和泉茂一

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/465 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/66863 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/30612 ,  H01L29/66454

Abstract: 在所谓的in－situ(就地)工艺中进行半导体材料的刻蚀处理和其后的结晶生长处理。在in－situ工艺的结晶生长工序中,在供给结晶生长用的气体之前供给SiI4气体。通过由SiI4气体产生的碘对半导体层中产生的氧化膜(妨碍结晶生长的膜)进行刻蚀。其后,通过继续供给结晶生长用的气体,可生长所需要的结晶。此时,可将由SiI4气体产生的硅对再结晶生长层进行掺杂。

公开(公告)号：CN1160929A

公开(公告)日：1997-10-01

申请号：CN96112497.0

申请日：1996-10-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 和泉茂一 ,  采女丰

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/223 ,  H01L21/205 ,  C30B31/06

Abstract: 本发明提出一种掺杂浓度难以受衬底温度等影响，且掺杂浓度控制容易的掺杂方法，并提供能获得所希望掺杂浓度的高可靠性晶体和器件。将有机金属分子(TEGa)、氢化物(AsH3)、SiI4气体导入CBE装置生长室内，真空中放出的有机金属分子和氢化物气体在加热的衬底2上进行反应，形成半导体材料，即GaAs淀积层，同时由生长衬底表面把热能供给SiI4而热分解，Si作为载体混入GaAs晶体中，并进行N型掺杂。另外，本发明也适用于MOMBE、气体源MBE、MOCVD、MBE等的晶体生长方法。