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公开(公告)号:CN1185712C
公开(公告)日:2005-01-19
申请号:CN02102428.6
申请日:2002-01-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/04
CPC classification number: H01L21/76229 , H01L27/0629 , H01L28/20
Abstract: 本发明的课题是在较大面积的元件隔离层上高精度地形成具有同一特性的多个电阻器。在元件隔离层上形成的多个电阻器之间,存在至少一个扩散区,进而在各自的电阻器上配置多个电阻器和扩散区,使得电阻器与其周围对应的扩散区的距离做到彼此相等。
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公开(公告)号:CN1387261A
公开(公告)日:2002-12-25
申请号:CN02102428.6
申请日:2002-01-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/04
CPC classification number: H01L21/76229 , H01L27/0629 , H01L28/20
Abstract: 本发明的课题是在较大面积的元件隔离层上高精度地形成具有同一特性的多个电阻器。在元件隔离层上形成的多个电阻器之间,存在至少一个扩散区,进而在各自的电阻器上配置多个电阻器和扩散区,使得电阻器与其周围对应的扩散区的距离做到彼此相等。
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公开(公告)号:CN1193376C
公开(公告)日:2005-03-16
申请号:CN01101353.2
申请日:2001-01-09
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G11C29/848 , G11C29/14 , G11C29/44
Abstract: 本发明的课题在于得到使成品率提高的半导体集成电路。该半导体集成电路具备:多个RAM10~12;补充用的RAM13;测试多个RAM10~12的不良检测的测试/修复、控制、逻辑2、3;以及选择器20~23、30~32,根据与测试/修复、控制、逻辑2、3进行的测试结果对应的修复控制信号,与多个RAM10~12中被检测出不良的RAM相对应,补充补充用的RAM13。
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公开(公告)号:CN1332459A
公开(公告)日:2002-01-23
申请号:CN01101353.2
申请日:2001-01-09
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G11C29/848 , G11C29/14 , G11C29/44
Abstract: 本发明的课题在于得到使成品率提高的半导体集成电路。该半导体集成电路具备:多个RAM10~12;补充用的RAM13;测试多个RAM10~12的不良检测的测试/修复、控制、逻辑2、3;以及选择器20~23、30~32,根据与测试/修复、控制、逻辑2、3进行的测试结果对应的修复控制信号,与多个RAM10~12中被检测出不良的RAM相对应,补充补充用的RAM13。
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公开(公告)号:CN1156973C
公开(公告)日:2004-07-07
申请号:CN00101865.5
申请日:2000-02-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor: 山本诚二
CPC classification number: H03H11/0472 , H03H11/0433
Abstract: 滤波电路,n个模拟开关AS11~AS1n和分别与这些模拟开关连接的电容不同的电容器31~3n与OTA11输出端子连接。m个模拟开关AS21~2m和分别与这些模拟开关连接的电容不同的电容器41~4m与OTA12输出端子连接。且通过使模拟开关AS11~AS1n中的1个和模拟开关AS21~2m中的1个都成为开状态,选择构成滤波部的电容中的所希望的电容,扩大截止频率自动调整电路200的截止频率的调整范围。
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公开(公告)号:CN1275834A
公开(公告)日:2000-12-06
申请号:CN00101865.5
申请日:2000-02-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor: 山本诚二
CPC classification number: H03H11/0472 , H03H11/0433
Abstract: 滤波电路,n个模拟开关AS11~AS1n和分别与这些模拟开关连接的电容不同的电容器31~3n与OTA11输出端子连接。m个模拟开关AS21~2m和分别与这些模拟开关连接的电容不同的电容器41~4m与OTA12输出端子连接。且通过使模拟开关AS11~AS1n中的1个和模拟开关AS21~2m中的1个都成为开状态,选择构成滤波部的电容中的所希望的电容,扩大截止频率自动调整电路200的截止频率的调整范围。
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