半导体装置及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN116895612A

    公开(公告)日:2023-10-17

    申请号:CN202310328421.6

    申请日:2023-03-30

    Inventor: 小原太一

    Abstract: 涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。目的在于提供能够提高半导体装置的耐吸湿性的技术。半导体装置具有:树脂绝缘片(1);散热片(2),其设置于树脂绝缘片(1)之上;半导体元件(3),其搭载于散热片(2)之上;引线框(5),其一端部与半导体元件(3)连接;第1树脂体(8),其以树脂绝缘片(1)的背面露出的状态对树脂绝缘片(1)、散热片(2)、半导体元件(3)及引线框(5)的一端部进行封装;以及第2树脂体(9),其以树脂绝缘片(1)的背面露出的状态对第1树脂体(8)进行封装。

    半导体装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109698174B

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN201811215459.8

    申请日:2018-10-18

    Abstract: 本发明的目的在于提供能够防止半导体开关元件的损伤而无不利影响的半导体装置。具有:第1半导体开关元件,其具有第1栅极焊盘、第1集电极焊盘和多个第1发射极焊盘;第1导线,其将该多个第1发射极焊盘中的相邻的焊盘连接;第1输出导线,其将该多个第1发射极焊盘中的1个焊盘与输出连接;第1控制部,其对该第1栅极焊盘供给栅极电压;第1发射极配线,其与该多个第1发射极焊盘中的任一个焊盘即第1引出焊盘直接连接,且与该第1控制部连接,供给该第1控制部的接地电位;以及第2半导体开关元件,其具有第2栅极焊盘、第2发射极焊盘和与该输出连接的第2集电极焊盘。

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