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公开(公告)号：CN104810723A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510032860.8
申请日：2015-01-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/12
CPC classification number: H01S5/323 , H01S5/1225 , H01S5/1231 , H01S5/3211
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够缩短电子束光刻所需的时间的分布反馈型半导体激光元件以及分布反馈型半导体激光元件的制造方法。该分布反馈型半导体激光元件的特征在于，具有：衬底(12)；活性层(16)，其形成在该衬底(12)的上方；以及衍射光栅(20)，其具有第1图案(20a)以及比该第1图案(20a)短且与该第1图案(20a)的中央部相对的第2图案(20b)，对该活性层(16)产生的光进行衍射。
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公开(公告)号：CN107492787A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710433669.3
申请日：2017-06-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/22
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够减小寄生电容且确保台面条带左右的中空部的激光器元件和激光器元件的制造方法。具有：脊部，其以条带状隆起；沟道部，其与该脊部相邻，从两侧夹着该脊部，高度低于该脊部；阶台部，其与该沟道部的与该脊部相反侧相邻，形成得比该沟道部高；支撑部，其设置于该沟道部之上，与该脊部的侧面和该阶台部的侧面中的至少一者分离地设置，由树脂形成；顶棚部，其具有第1部分和第2部分，由树脂形成，该第1部分设置于该支撑部之上，该第2部分与该第1部分相连，隔着中空部而位于该沟道部之上；以及金属层，其设置于该顶棚部之上，并且与该脊部的上表面连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113678230B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201980092932.4
申请日：2019-04-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/28
Abstract: 在半导体基板(1)之上涂覆下层抗蚀剂(2)。在下层抗蚀剂(2)之上涂覆上层抗蚀剂(3)。通过曝光和显影而在上层抗蚀剂(3)形成第1开口(4)，在显影时，通过显影液还溶解下层抗蚀剂(2)，而在第1开口(4)的下方形成宽度比第1开口(4)宽的第2开口(5)，从而形成具有底切的帽檐状的抗蚀剂图案(6)。通过实施烘焙使上层抗蚀剂(3)热收缩，从而使上层抗蚀剂(3)的帽檐部(7)向上侧翘曲。在烘焙后，将金属膜(8)成膜于抗蚀剂图案(6)之上、和通过第2开口(5)暴露的半导体基板(1)之上。除去抗蚀剂图案(6)和抗蚀剂图案(6)之上的金属膜(8)，残留半导体基板(1)之上的金属膜(8)来作为电极(9)。
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公开(公告)号：CN113678230A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201980092932.4
申请日：2019-04-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/28
Abstract: 在半导体基板(1)之上涂覆下层抗蚀剂(2)。在下层抗蚀剂(2)之上涂覆上层抗蚀剂(3)。通过曝光和显影而在上层抗蚀剂(3)形成第1开口(4)，在显影时，通过显影液还溶解下层抗蚀剂(2)，而在第1开口(4)的下方形成宽度比第1开口(4)宽的第2开口(5)，从而形成具有底切的帽檐状的抗蚀剂图案(6)。通过实施烘焙使上层抗蚀剂(3)热收缩，从而使上层抗蚀剂(3)的帽檐部(7)向上侧翘曲。在烘焙后，将金属膜(8)成膜于抗蚀剂图案(6)之上、和通过第2开口(5)暴露的半导体基板(1)之上。除去抗蚀剂图案(6)和抗蚀剂图案(6)之上的金属膜(8)，残留半导体基板(1)之上的金属膜(8)来作为电极(9)。
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公开(公告)号：CN107492787B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201710433669.3
申请日：2017-06-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/22
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够减小寄生电容且确保台面条带左右的中空部的激光器元件和激光器元件的制造方法。具有：脊部，其以条带状隆起；沟道部，其与该脊部相邻，从两侧夹着该脊部，高度低于该脊部；阶台部，其与该沟道部的与该脊部相反侧相邻，形成得比该沟道部高；支撑部，其设置于该沟道部之上，与该脊部的侧面和该阶台部的侧面中的至少一者分离地设置，由树脂形成；顶棚部，其具有第1部分和第2部分，由树脂形成，该第1部分设置于该支撑部之上，该第2部分与该第1部分相连，隔着中空部而位于该沟道部之上；以及金属层，其设置于该顶棚部之上，并且与该脊部的上表面连接。
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公开(公告)号：CN106684706B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201611034936.1
申请日：2016-11-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/0207 , H01S5/00 , H01S5/0206 , H01S5/0208 , H01S5/0425 , H01S5/06226 , H01S5/2045
Abstract: 本发明涉及半导体激光器及其制造方法，涉及适于通信用激光器的半导体激光器及其制造方法，目的在于得到一种对于具有槽构造的半导体激光器而使制造工艺简单化的制造方法。具有：在具有槽的半导体衬底的表面对绝缘膜进行成膜的工序；以将所述槽的开口面封堵的方式将绝缘薄膜粘贴至所述绝缘膜的上表面，在所述半导体衬底之上形成绝缘层的工序；以使所述半导体衬底的电极对应部位露出的方式在所述绝缘层设置第1开口的开口形成工序；以及以将所述第1开口掩埋的方式，在所述绝缘层的上表面形成电极的工序。
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公开(公告)号：CN106684706A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611034936.1
申请日：2016-11-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/0207 , H01S5/00 , H01S5/0206 , H01S5/0208 , H01S5/0425 , H01S5/06226 , H01S5/2045 , H01S5/2202
Abstract: 本发明涉及半导体激光器及其制造方法，涉及适于通信用激光器的半导体激光器及其制造方法，目的在于得到一种对于具有槽构造的半导体激光器而使制造工艺简单化的制造方法。具有：在具有槽的半导体衬底的表面对绝缘膜进行成膜的工序；以将所述槽的开口面封堵的方式将绝缘薄膜粘贴至所述绝缘膜的上表面，在所述半导体衬底之上形成绝缘层的工序；以使所述半导体衬底的电极对应部位露出的方式在所述绝缘层设置第1开口的开口形成工序；以及以将所述第1开口掩埋的方式，在所述绝缘层的上表面形成电极的工序。
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