公开(公告)号：CN110678960B

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN201780091245.1

申请日：2017-06-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 上野贵宽 ,  玉田尚久 ,  北川宽士

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40

Abstract: 为了抑制缺陷等的发生等并缩小电极图案的尺寸，半导体装置的制造方法具有以下工序，即：在衬底(10)的上表面(11)涂敷抗蚀层；在抗蚀层形成开口部(13)；收缩剂涂敷工序，在抗蚀层(12)之上涂敷热收缩的收缩剂，将开口部(13)填埋；收缩工序，通过加热收缩剂使其热收缩，从而将开口部(13)的宽度变窄；去除工序，在收缩工序之后去除收缩剂；金属层形成工序，在去除工序后，在抗蚀层(12)之上和开口部(13)形成金属层(18)；以及去除金属层(18)中的位于抗蚀层(12)之上的部分和抗蚀层(12)，在收缩工序中，使得形成开口部(13)的抗蚀层(12)的侧面形成在抗蚀层(12)的厚度方向的中央部朝向开口部(13)的中心部而凸出的曲面。

公开(公告)号：CN110678960A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201780091245.1

申请日：2017-06-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 上野贵宽 ,  玉田尚久 ,  北川宽士

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40

Abstract: 为了抑制缺陷等的发生等并缩小电极图案的尺寸，半导体装置的制造方法具有以下工序，即：在衬底(11)的上表面(10)涂敷抗蚀层；在抗蚀层形成开口部(13)；收缩剂涂敷工序，在抗蚀层(12)之上涂敷热收缩的收缩剂，将开口部(13)填埋；收缩工序，通过加热收缩剂使其热收缩，从而将开口部(13)的宽度变窄；去除工序，在收缩工序之后去除收缩剂；金属层形成工序，在去除工序后，在抗蚀层(12)之上和开口部(13)形成金属层(18)；以及去除金属层(18)中的位于抗蚀层(12)之上的部分和抗蚀层(12)，在收缩工序中，使得形成开口部(13)的抗蚀层(12)的侧面形成在抗蚀层(12)的厚度方向的中央部朝向开口部(13)的中心部而凸出的曲面。

公开(公告)号：CN106684706B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201611034936.1

申请日：2016-11-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 南政史 ,  玉田尚久 ,  上野贵宽 ,  北川宽士

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/0207 ,  H01S5/00 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/0208 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/2045

Abstract: 本发明涉及半导体激光器及其制造方法，涉及适于通信用激光器的半导体激光器及其制造方法，目的在于得到一种对于具有槽构造的半导体激光器而使制造工艺简单化的制造方法。具有：在具有槽的半导体衬底的表面对绝缘膜进行成膜的工序；以将所述槽的开口面封堵的方式将绝缘薄膜粘贴至所述绝缘膜的上表面，在所述半导体衬底之上形成绝缘层的工序；以使所述半导体衬底的电极对应部位露出的方式在所述绝缘层设置第1开口的开口形成工序；以及以将所述第1开口掩埋的方式，在所述绝缘层的上表面形成电极的工序。

公开(公告)号：CN106684706A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201611034936.1

申请日：2016-11-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 南政史 ,  玉田尚久 ,  上野贵宽 ,  北川宽士

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/0207 ,  H01S5/00 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/0208 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/2045 ,  H01S5/2202

Abstract: 本发明涉及半导体激光器及其制造方法，涉及适于通信用激光器的半导体激光器及其制造方法，目的在于得到一种对于具有槽构造的半导体激光器而使制造工艺简单化的制造方法。具有：在具有槽的半导体衬底的表面对绝缘膜进行成膜的工序；以将所述槽的开口面封堵的方式将绝缘薄膜粘贴至所述绝缘膜的上表面，在所述半导体衬底之上形成绝缘层的工序；以使所述半导体衬底的电极对应部位露出的方式在所述绝缘层设置第1开口的开口形成工序；以及以将所述第1开口掩埋的方式，在所述绝缘层的上表面形成电极的工序。

公开(公告)号：CN100419957C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN03107907.5

申请日：2003-03-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 玉田尚久

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/08

CPC classification number: G03F1/36

Abstract: 基于本发明的图形转印用光掩模的布局方法具备：配置把像向感光膜转印的带状主图形(11a、11b)的步骤；基于主图形(11a、11b)的布局、按照规定的规则临时配置实质上不把像向感光膜转印的辅助图形(12a、12b)的步骤；在这些辅助图形(12a、12b)中，挑选形成其一端的端边与形成主图形(11b)一端的端边部分重复而接触的辅助图形(12a)的步骤；以及调节挑选了的辅助图形(12a)的位置，以使挑选了的辅助图形(12a)的端边与主图形(11b)的端边完全重复而接触的步骤。通过使用这样的图形转印用光掩模的布局方法，一面谋求提高分辨率，一面能够容易地进行掩模缺陷检查。

公开(公告)号：CN1471133A

公开(公告)日：2004-01-28

申请号：CN03107907.5

申请日：2003-03-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 玉田尚久

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/08

CPC classification number: G03F1/36

Abstract: 基于本发明的图形转印用光掩模的布局方法具备：配置把像向感光膜转印的带状主图形(11a、11b)的步骤；基于主图形(11a、11b)的布局、按照规定的规则临时配置实质上不把像向感光膜转印的辅助图形(12a、12b)的步骤；在这些辅助图形(12a、12b)中，挑选形成其一端的端边与形成主图形(11b)一端的端边部分重复而接触的辅助图形(12a)的步骤；以及调节挑选了的辅助图形(12a)的位置，以使挑选了的辅助图形(12a)的端边与主图形(11b)的端边完全重复而接触的步骤。通过使用这样的图形转印用光掩模的布局方法，一面谋求提高分辨率，一面能够容易地进行掩模缺陷检查。

公开(公告)号：CN1412620A

公开(公告)日：2003-04-23

申请号：CN02123288.1

申请日：2002-06-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中尾修治 ,  宫本由纪 ,  玉田尚久 ,  前岛伸六

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/16 ,  G03F9/00

CPC classification number: G03F7/70641 ,  G03F1/44 ,  G03F1/50 ,  G06K7/0095

Abstract: 本发明的焦点监测用光掩模5包括透过曝光光的基板5a和聚焦监测用单元掩模结构Q。焦点监测用单元掩模结构Q具有在基板5a的表面上形成的2个位置测量用图形5b1、5b2，以及在基板5a的背面形成的、而且具有使对2个位置测量用图形5b1、5b2的曝光光的入射方向产生实质性差异用的背面图形5d的遮光膜5c。当假定背面图形5d的尺寸为L，曝光光的波长为λ时，L/λ为10以上。