公开(公告)号：CN113678230B

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN201980092932.4

申请日：2019-04-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 上野贵宽 ,  南政史 ,  中谷光德

IPC: H01L21/28

Abstract: 在半导体基板(1)之上涂覆下层抗蚀剂(2)。在下层抗蚀剂(2)之上涂覆上层抗蚀剂(3)。通过曝光和显影而在上层抗蚀剂(3)形成第1开口(4)，在显影时，通过显影液还溶解下层抗蚀剂(2)，而在第1开口(4)的下方形成宽度比第1开口(4)宽的第2开口(5)，从而形成具有底切的帽檐状的抗蚀剂图案(6)。通过实施烘焙使上层抗蚀剂(3)热收缩，从而使上层抗蚀剂(3)的帽檐部(7)向上侧翘曲。在烘焙后，将金属膜(8)成膜于抗蚀剂图案(6)之上、和通过第2开口(5)暴露的半导体基板(1)之上。除去抗蚀剂图案(6)和抗蚀剂图案(6)之上的金属膜(8)，残留半导体基板(1)之上的金属膜(8)来作为电极(9)。

公开(公告)号：CN113678230A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN201980092932.4

申请日：2019-04-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 上野贵宽 ,  南政史 ,  中谷光德

IPC: H01L21/28

Abstract: 在半导体基板(1)之上涂覆下层抗蚀剂(2)。在下层抗蚀剂(2)之上涂覆上层抗蚀剂(3)。通过曝光和显影而在上层抗蚀剂(3)形成第1开口(4)，在显影时，通过显影液还溶解下层抗蚀剂(2)，而在第1开口(4)的下方形成宽度比第1开口(4)宽的第2开口(5)，从而形成具有底切的帽檐状的抗蚀剂图案(6)。通过实施烘焙使上层抗蚀剂(3)热收缩，从而使上层抗蚀剂(3)的帽檐部(7)向上侧翘曲。在烘焙后，将金属膜(8)成膜于抗蚀剂图案(6)之上、和通过第2开口(5)暴露的半导体基板(1)之上。除去抗蚀剂图案(6)和抗蚀剂图案(6)之上的金属膜(8)，残留半导体基板(1)之上的金属膜(8)来作为电极(9)。

公开(公告)号：CN110678960B

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN201780091245.1

申请日：2017-06-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 上野贵宽 ,  玉田尚久 ,  北川宽士

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40

Abstract: 为了抑制缺陷等的发生等并缩小电极图案的尺寸，半导体装置的制造方法具有以下工序，即：在衬底(10)的上表面(11)涂敷抗蚀层；在抗蚀层形成开口部(13)；收缩剂涂敷工序，在抗蚀层(12)之上涂敷热收缩的收缩剂，将开口部(13)填埋；收缩工序，通过加热收缩剂使其热收缩，从而将开口部(13)的宽度变窄；去除工序，在收缩工序之后去除收缩剂；金属层形成工序，在去除工序后，在抗蚀层(12)之上和开口部(13)形成金属层(18)；以及去除金属层(18)中的位于抗蚀层(12)之上的部分和抗蚀层(12)，在收缩工序中，使得形成开口部(13)的抗蚀层(12)的侧面形成在抗蚀层(12)的厚度方向的中央部朝向开口部(13)的中心部而凸出的曲面。

公开(公告)号：CN110678960A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201780091245.1

申请日：2017-06-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 上野贵宽 ,  玉田尚久 ,  北川宽士

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40

Abstract: 为了抑制缺陷等的发生等并缩小电极图案的尺寸，半导体装置的制造方法具有以下工序，即：在衬底(11)的上表面(10)涂敷抗蚀层；在抗蚀层形成开口部(13)；收缩剂涂敷工序，在抗蚀层(12)之上涂敷热收缩的收缩剂，将开口部(13)填埋；收缩工序，通过加热收缩剂使其热收缩，从而将开口部(13)的宽度变窄；去除工序，在收缩工序之后去除收缩剂；金属层形成工序，在去除工序后，在抗蚀层(12)之上和开口部(13)形成金属层(18)；以及去除金属层(18)中的位于抗蚀层(12)之上的部分和抗蚀层(12)，在收缩工序中，使得形成开口部(13)的抗蚀层(12)的侧面形成在抗蚀层(12)的厚度方向的中央部朝向开口部(13)的中心部而凸出的曲面。

公开(公告)号：CN106684706B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201611034936.1

申请日：2016-11-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 南政史 ,  玉田尚久 ,  上野贵宽 ,  北川宽士

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/0207 ,  H01S5/00 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/0208 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/2045

Abstract: 本发明涉及半导体激光器及其制造方法，涉及适于通信用激光器的半导体激光器及其制造方法，目的在于得到一种对于具有槽构造的半导体激光器而使制造工艺简单化的制造方法。具有：在具有槽的半导体衬底的表面对绝缘膜进行成膜的工序；以将所述槽的开口面封堵的方式将绝缘薄膜粘贴至所述绝缘膜的上表面，在所述半导体衬底之上形成绝缘层的工序；以使所述半导体衬底的电极对应部位露出的方式在所述绝缘层设置第1开口的开口形成工序；以及以将所述第1开口掩埋的方式，在所述绝缘层的上表面形成电极的工序。

公开(公告)号：CN106684706A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201611034936.1

申请日：2016-11-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 南政史 ,  玉田尚久 ,  上野贵宽 ,  北川宽士

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/0207 ,  H01S5/00 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/0208 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/2045 ,  H01S5/2202

Abstract: 本发明涉及半导体激光器及其制造方法，涉及适于通信用激光器的半导体激光器及其制造方法，目的在于得到一种对于具有槽构造的半导体激光器而使制造工艺简单化的制造方法。具有：在具有槽的半导体衬底的表面对绝缘膜进行成膜的工序；以将所述槽的开口面封堵的方式将绝缘薄膜粘贴至所述绝缘膜的上表面，在所述半导体衬底之上形成绝缘层的工序；以使所述半导体衬底的电极对应部位露出的方式在所述绝缘层设置第1开口的开口形成工序；以及以将所述第1开口掩埋的方式，在所述绝缘层的上表面形成电极的工序。