公开(公告)号：CN107210241B

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201680009370.9

申请日：2016-02-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小川翔平 ,  菊池正雄 ,  藤野纯司 ,  内田祥久 ,  铃木裕一郎 ,  柳本辰则

IPC: H01L21/60 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 在功率半导体装置(100)中，关于功率半导体元件(4)的表面电极(41a)，在维氏硬度为200～350Hv的以Cu为主成分的通过非电解镀敷形成的Cu层(81)上层叠设置有比Cu层(81)柔软的维氏硬度为70～150Hv的以Cu为主成分的通过非电解镀敷形成的Cu层(82)，对Cu层(82)与Cu制的导线(6)进行导线键合。

公开(公告)号：CN110828410A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910712422.4

申请日：2019-08-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 竹胁善朗 ,  内田祥久 ,  田中阳

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及电力用半导体装置及其制造方法、以及电力变换装置。目的在于提供能够提高电力用半导体装置的可靠性的技术。电力用半导体装置具备：基板(1)，在基板(1)依次配置有绝缘层(1a)以及电路图案(1b)；电力用半导体元件(2)，其与电路图案(1b)电连接；以及电极端子(3)，其具有薄壁部分(3b)，该薄壁部分(3b)包含通过光纤激光而焊接至电路图案(1b)的焊接部分(3a)。电路图案(1b)的厚度大于或等于0.2mm而小于或等于0.5mm，电极端子(3)的薄壁部分(3b)大于或等于电路图案(1b)的厚度的1倍而小于或等于2倍。

公开(公告)号：CN119725277A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411326148.4

申请日：2024-09-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 内田祥久 ,  荒木慎太郎 ,  川濑达也 ,  后藤光 ,  竹胁善朗

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/49 ,  H01L23/34 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

Abstract: 涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明的目的在于提高半导体装置的散热性而不会大型化。半导体装置(101)具有：基材；半导体芯片(3)，其搭载于基材的上表面；主电极及信号电极(31)，它们分别形成于半导体芯片(3)之上的不同区域；主端子(5)，其与主电极接合；以及信号端子(6)，其经由金属导线(7)与信号电极(31)连接，信号端子(6)的接合有金属导线(7)的区域在与基材分隔开的状态下悬在基材之上。

公开(公告)号：CN106575628B

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201580043705.4

申请日：2015-10-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤野纯司 ,  内田祥久 ,  小川翔平 ,  坂元创一 ,  柳本辰则

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48

Abstract: 关于使铝与铜重叠而进行压焊而成的包层材料，通过利用超声波接合等将包层材料的铝侧接合于功率半导体元件的电极表面并在包层材料的铜侧进行线接合，而形成电路。进而预先在比功率半导体元件的动作温度高的温度下对包层材料进行热处理，从而在接合处理后在铝以及铜的各个界面充分地形成金属间化合物，以避免膜厚生长。

公开(公告)号：CN115966600A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202211229666.5

申请日：2022-10-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 田中香次 ,  佐藤祐司 ,  内田祥久 ,  中村祥太郎

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/49 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 目的在于得到能够抑制对半导体基板的损伤的半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：半导体基板；第1金属层，其设置于所述半导体基板之上；第2金属层，其设置于所述第1金属层之上，材料包含Ni；以及第3金属层，其设置于所述第2金属层之上，材料包含Cu或Ni，所述第2金属层的维氏硬度大于或等于400Hv，比所述第3金属层硬，所述第3金属层比所述第1金属层硬。

公开(公告)号：CN107210241A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680009370.9

申请日：2016-02-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小川翔平 ,  菊池正雄 ,  藤野纯司 ,  内田祥久 ,  铃木裕一郎 ,  柳本辰则

IPC: H01L21/60 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 在功率半导体装置(100)中，关于功率半导体元件(4)的表面电极(41a)，在维氏硬度为200～350Hv的以Cu为主成分的通过非电解镀敷形成的Cu层(81)上层叠设置有比Cu层(81)柔软的维氏硬度为70～150Hv的以Cu为主成分的通过非电解镀敷形成的Cu层(82)，对Cu层(82)与Cu制的导线(6)进行导线键合。

公开(公告)号：CN106575628A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580043705.4

申请日：2015-10-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤野纯司 ,  内田祥久 ,  小川翔平 ,  坂元创一 ,  柳本辰则

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L24/45 ,  H01L23/373 ,  H01L23/48 ,  H01L24/09 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29123 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/34 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45032 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49433 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014

Abstract: 关于使铝与铜重叠而进行压焊而成的包层材料，通过利用超声波接合等将包层材料的铝侧接合于功率半导体元件的电极表面并在包层材料的铜侧进行线接合，而形成电路。进而预先在比功率半导体元件的动作温度高的温度下对包层材料进行热处理，从而在接合处理后在铝以及铜的各个界面充分地形成金属间化合物，以避免膜厚生长。