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发明公开
半导体装置及半导体装置的制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN119725277A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411326148.4

申请日：2024-09-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 内田祥久 , 荒木慎太郎 , 川濑达也 , 后藤光 , 竹胁善朗

IPC: H01L23/48 , H01L23/49 , H01L23/34 , H01L21/50 , H01L21/60

Abstract: 涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明的目的在于提高半导体装置的散热性而不会大型化。半导体装置(101)具有：基材；半导体芯片(3)，其搭载于基材的上表面；主电极及信号电极(31)，它们分别形成于半导体芯片(3)之上的不同区域；主端子(5)，其与主电极接合；以及信号端子(6)，其经由金属导线(7)与信号电极(31)连接，信号端子(6)的接合有金属导线(7)的区域在与基材分隔开的状态下悬在基材之上。

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