公开(公告)号：CN119212816A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202280095283.5

申请日：2022-05-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小川翔平 ,  矢野佑树

IPC: B23K1/005 ,  B23K26/21

Abstract: 抑制接合的波动而得到稳定性高的接合。接合方法是配置温度测定部，以使得能够对第1部件的温度和第2部件的温度进行测定，对第2部件照射激光束，并且通过温度测定部对第1部件的温度和第2部件的温度进行测定，在测定出的第2部件的温度大于或等于第1阈值的情况下，使激光束的输出降低，在第2部件的温度大于或等于第1阈值后、测定出的第1部件的温度大于或等于第2阈值的情况下，使激光束的输出停止。

公开(公告)号：CN112703584B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN201980059350.6

申请日：2019-09-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小川翔平 ,  藤野纯司 ,  石山祐介 ,  大岛功 ,  重本拓巳

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H02M7/48

Abstract: 半导体装置具备：基板(10)；半导体元件(21)，配置于基板(10)之上；板状部件(51)，与半导体元件(21)电连接；第一电极(21a)，形成于半导体元件(21)之上，与板状部件(51)通过焊料(41)接合；第二电极(21b)，在半导体元件(21)之上与第一电极(21a)离开间隔地形成，包含能够与焊料(41)形成合金的金属；以及金属膜(21c)，在从板状部件(51)观察半导体元件(21)的俯视时，在从第二电极(21b)观察时在第一电极(21a)侧的区域与第二电极(21b)离开间隔地形成于半导体元件(21)之上，包含能够与焊料(41)形成合金的金属。

公开(公告)号：CN110574159B

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN201880026475.4

申请日：2018-04-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤野纯司 ,  井本裕儿 ,  小川翔平 ,  石原三纪夫

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/28 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18

Abstract: 目的在于获得密封树脂的密合性充分且可靠性高的功率模块。具备：在陶瓷板上形成有导体层(13)的图案的绝缘基板(11)；配置于绝缘基板(11)上的功率半导体元件(21、22)；从功率半导体元件(21、22)的电极连接到螺纹紧固端子部(611、612)的板状的引线框(611a、612a)；以及密封功率半导体元件(21、22)与引线框(611a、612a)的连接部以及周边的密封树脂部(7)，在引线框(611a、612a)中，在俯视时至少一部分与绝缘基板11的未形成有导体层13的部分重叠的位置设置有开口部(611b、612b)。

公开(公告)号：CN108369933A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680071859.9

申请日：2016-12-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤野纯司 ,  铃木裕一郎 ,  小川翔平 ,  井本裕儿 ,  村田大辅

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/32225

Abstract: 一种半导体装置(100)，具备板状电极(61)及半导体元件(21、22)，并具有将半导体元件中的表面电极与板状电极利用接合材料(32)进行接合的接合部(32A)，其中，板状电极在与半导体元件相对的相对面(614)上，具有将接合部包围且对上述接合材料具有耐热性的框状构件(52)。

公开(公告)号：CN104067387B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201380006323.5

申请日：2013-03-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤野纯司 ,  加柴良裕 ,  小川翔平

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/56 ,  H01L23/34 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L23/043 ,  H01L21/563 ,  H01L23/053 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/473 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/34 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/97 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37155 ,  H01L2224/3716 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 具有与散热板相当的托盘(10)，在托盘的收纳部(15)收纳电路部(60)，以露出外部电极(41、43)的状态以密封树脂(70)将电路部进行浇灌密封。密封树脂覆盖托盘的顶部(10a)进行密封。

公开(公告)号：CN115148691B

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202210293417.6

申请日：2022-03-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 长田和久 ,  矢野佑树 ,  石川悟 ,  小川翔平

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/07

Abstract: 目的在于提供能够抑制大电流通电时的引线电极的发热并且能够容易地对引线电极与半导体元件之间的接合品质进行检查的半导体装置。半导体装置具有：基座部(1)；半导体元件(3)，其搭载于基座部(1)之上；金属部件(5)，其一端通过接合材料(4b)而接合于半导体元件(3)的与搭载于基座部(1)的一侧相反侧的主面(3a)，并且相对于半导体元件(3)而设置为直立设置状；以及引线电极(2)，其经由金属部件(5)而与半导体元件(3)连接。引线电极(2)具有在厚度方向上延伸的贯通孔(6)。金属部件(5)在与接合材料(4b)的一部分一起插入至引线电极(2)的贯通孔(6)的状态下将半导体元件(3)与引线电极(2)连接。

公开(公告)号：CN114930528A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202180008642.4

申请日：2021-01-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤野纯司 ,  小川道雄 ,  川添智香 ,  井本裕児 ,  小川翔平

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L23/36

Abstract: 半导体装置(100)具备基板(1)、硬钎料(5)、层叠材料(2)、软钎料(4)以及半导体元件(3)。第1金属层(21)在相对于第1导体层(12)而与陶瓷层(11)相反一侧利用硬钎料(5)接合于第1导体层(12)。第2金属层(22)在相对于第1金属层(21)而与第1导体层(12)相反一侧层叠于第1金属层(21)。半导体元件(3)利用软钎料(4)接合于第2金属层(22)。第1导体层(12)以及第1金属层(21)的材料包括铝。第2金属层(22)针对软钎料(4)的润湿性比第1金属层(21)高。

公开(公告)号：CN114914217A

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202210111226.3

申请日：2022-01-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 浅田晋助 ,  石川悟 ,  矢野佑树 ,  小川翔平 ,  新井规由

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/60

Abstract: 涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。提供能够抑制由金属图案与电极端子之间的接合时的温度上升不足引起的金属图案与电极端子之间的接合不良的半导体装置。电极端子在延伸方向的一端侧在宽度方向上分支为多个分支部，多个分支部中的第1分支部和第2分支部分别经由接合材料而接合于金属图案之上，第1分支部与第2分支部相比宽度宽，第2分支部与金属图案之间的接合材料比第1分支部与金属图案之间的接合材料薄。

公开(公告)号：CN112703584A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN201980059350.6

申请日：2019-09-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小川翔平 ,  藤野纯司 ,  石山祐介 ,  大岛功 ,  重本拓巳

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H02M7/48

Abstract: 半导体装置具备：基板(10)；半导体元件(21)，配置于基板(10)之上；板状部件(51)，与半导体元件(21)电连接；第一电极(21a)，形成于半导体元件(21)之上，与板状部件(51)通过焊料(41)接合；第二电极(21b)，在半导体元件(21)之上与第一电极(21a)离开间隔地形成，包含能够与焊料(41)形成合金的金属；以及金属膜(21c)，在从板状部件(51)观察半导体元件(21)的俯视时，在从第二电极(21b)观察时在第一电极(21a)侧的区域与第二电极(21b)离开间隔地形成于半导体元件(21)之上，包含能够与焊料(41)形成合金的金属。

公开(公告)号：CN112331632A

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN202010758334.0

申请日：2020-07-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 重本拓巳 ,  小川翔平

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/057

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够使在壳体设置的电极端子和与半导体元件连接的内部配线的接合性稳定化的半导体装置。半导体装置包含基座部、半导体元件、电极端子、绝缘块以及内部配线。半导体元件搭载于基座部。电极端子被将半导体元件的外周包围的壳体保持。电极端子的端部朝向壳体的内侧凸出。绝缘块具有绝缘性，设置于半导体元件与壳体之间的基座部之上。内部配线的一端在绝缘块之上与电极端子的端部接合，且内部配线的从一端延伸至另一端的区域中的一部分与半导体元件接合。