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公开(公告)号：CN1358085A
公开(公告)日：2002-07-10
申请号：CN00809592.2
申请日：2000-07-03
Applicant: 石桥卓郎 , 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: A61K7/20
Abstract: 含有经光照可引发光催化作用的二氧化钛、可在水溶液中产生过氧化氢的化合物以及增稠剂的变色牙齿漂白组合物;以及漂白变色牙齿的方法,其包括在变色牙齿表面粘附该组合物,用光照射该表面,从而由于光催化作用达到变色牙齿的漂白。这些组合物在实际应用中易于涂敷在变色牙齿上,并且可产生足够的漂白效果而不显示光催化活性的任何降低。
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公开(公告)号：CN102027579B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200980116681.5
申请日：2009-04-24
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308
CPC classification number: H01L21/30608
Abstract: 本发明提供一种硅蚀刻液和蚀刻方法，在硅的蚀刻加工中，特别是在MEMS部件的制造工序中的硅的各向异性蚀刻加工中，通过抑制含有羟基胺的蚀刻液所特有的加温时的蚀刻速度的降低，使得蚀刻液的寿命延长。一种硅蚀刻液、且使用该蚀刻液的硅的蚀刻方法，其特征在于，所述硅蚀刻液为含有碱金属氢氧化物、羟基胺和无机碳酸化合物的pH值12以上的碱性水溶液，且各向异性地溶解单晶硅。
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公开(公告)号：CN102598224A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080050770.7
申请日：2010-11-08
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/306 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/30608 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05 , H01L2224/05548 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/13 , H01L2224/13009 , H01L2224/13022 , H01L2224/13025 , H01L2224/14181 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供用于硅通孔工艺中的硅基板背面蚀刻、不蚀刻由铜或钨等金属或者多晶硅等形成的连接塞而仅蚀刻硅基板、且具有优异的蚀刻速率的蚀刻液以及使用该蚀刻液的具有硅通孔的半导体芯片的制造方法。本发明提供含有氢氧化钾、羟胺和水的硅通孔工艺中的硅基板背面蚀刻用蚀刻液以及具有使用该蚀刻液的硅基板背面蚀刻工序的半导体芯片的制造方法。
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公开(公告)号：CN101884095B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200880109890.2
申请日：2008-09-22
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308
CPC classification number: H01L21/30608 , B81C1/00539
Abstract: 本发明提供一种硅蚀刻液，其特征在于，使用含有氢氧化季铵和氨基胍盐的水溶液，各向异性地溶解单晶硅，并且还提供使用该蚀刻液的硅的蚀刻方法，该蚀刻液和蚀刻方法在硅的蚀刻加工中，特别是在MEMS部件或半导体设备的制造工序的硅的蚀刻加工中，使以高蚀刻速度的加工成为可能。
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公开(公告)号：CN101884095A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200880109890.2
申请日：2008-09-22
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308
CPC classification number: H01L21/30608 , B81C1/00539
Abstract: 本发明提供一种硅蚀刻液，其特征在于，使用含有氢氧化季铵和氨基胍盐的水溶液，各向异性地溶解单晶硅，并且还提供使用该蚀刻液的硅的蚀刻方法，该蚀刻液和蚀刻方法在硅的蚀刻加工中，特别是在MEMS部件或半导体设备的制造工序的硅的蚀刻加工中，使以高蚀刻速度的加工成为可能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1158989C
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN00809592.2
申请日：2000-07-03
Applicant: 石桥卓郎 , 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: A61K7/20
Abstract: 含有经光照可引发光催化作用的二氧化钛、可在水溶液中产生过氧化氢的化合物以及增稠剂的变色牙齿漂白组合物；以及漂白变色牙齿的方法，其包括在变色牙齿表面粘附该组合物，用光照射该表面，从而由于光催化作用达到变色牙齿的漂白。这些组合物在实际应用中易于涂敷在变色牙齿上，并且可产生足够的漂白效果而不显示光催化活性的任何降低。
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公开(公告)号：CN102047394B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN200980120530.7
申请日：2009-05-20
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/02071 , G03F7/423
Abstract: 在半导体器件的布线形成工序中，能够将利用反应性气体进行干蚀刻及利用等离子气体进行灰化时产生的抗蚀剂残渣物除去，而不会腐蚀层间绝缘材料、布线材料等半导体器件的部件，并且，可抑制处理后放置一定期间后发生的后腐蚀(after-corrosion)的发生。通过依次进行(1)利用含有氢氟酸的水溶液进行的洗涤工序、(2)利用过氧化氢与氨的混合溶液进行的洗涤工序以及(3)利用双氧水进行的洗涤工序，能够除去以铝(Al)为主要成分的金属布线侧壁的抗蚀剂残渣物，并且能抑制后腐蚀的发生。
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公开(公告)号：CN102576674A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080044830.4
申请日：2010-09-29
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308
CPC classification number: H01L21/30608 , C09K13/02
Abstract: 本发明提供一种蚀刻液和蚀刻方法，在硅的蚀刻加工中，特别是半导体或MEM S部件的制造工序中的硅的各向异性蚀刻加工中，通过抑制含有羟基胺的蚀刻液所特有的、液体中存在Cu时所发生的Si蚀刻速度的降低，从而表现出较高的蚀刻速度。本发明涉及一种硅蚀刻液，其特征在于，其为含有碱性氢氧化物、羟基胺和硫脲类的碱性水溶液，且各向异性地溶解单晶硅；另外涉及使用该蚀刻液的硅的蚀刻方法。
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公开(公告)号：CN102113098A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980129912.6
申请日：2009-06-25
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/30608 , C09K13/02
Abstract: 本发明提供一种硅蚀刻液和蚀刻方法，在硅的蚀刻加工中，特别是在MEMS部件的制造工序中的硅的各向异性蚀刻加工中，通过抑制含有羟基胺的蚀刻液所特有的加温时的蚀刻速度的降低，使得蚀刻液的寿命延长。一种硅蚀刻液、及使用该蚀刻液的硅的蚀刻方法，其特征在于，所述硅蚀刻液各向异性地溶解单晶硅，其是含有(A)四甲基氢氧化铵、(B)羟基胺、以及(C)二氧化碳(CO2)和/或四甲基碳酸铵盐的、pH值13以上的碱性水溶液。
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公开(公告)号：CN102047394A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200980120530.7
申请日：2009-05-20
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/02071 , G03F7/423
Abstract: 在半导体器件的布线形成工序中，能够将利用反应性气体进行干蚀刻及利用等离子气体进行灰化时产生的抗蚀剂残渣物除去，而不会腐蚀层间绝缘材料、布线材料等半导体器件的部件，并且，可抑制处理后放置一定期间后发生的后腐蚀(after-corrosion)的发生。通过依次进行(1)利用含有氢氟酸的水溶液进行的洗涤工序、(2)利用过氧化氢与氨的混合溶液进行的洗涤工序以及(3)利用双氧水进行的洗涤工序，能够除去以铝(Al)为主要成分的金属布线侧壁的抗蚀剂残渣物，并且能抑制后腐蚀的发生。
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