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公开(公告)号：CN106044727B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201610367841.5
申请日：2012-11-29
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C01B21/064 , C08K3/38 , C08L63/00 , C08L101/00 , C09D7/40 , C09D201/00
Abstract: 本发明的目的、课题在于提供一种三维集成电路用组合物，该组合物可使用热传导的各向同性、耐崩坏性、与树脂的混炼性优异的氮化硼凝聚粒子形成厚度方向的导热性也优异的层间填充层。而且，本发明的三维集成电路用组合物含有氮化硼凝聚粒子和树脂，所述氮化硼凝聚粒子的比表面积为10m2/g以上且为球状，该氮化硼凝聚粒子的表面由平均粒径为0.05μm以上且1μm以下的氮化硼初级粒子构成，所述树脂在120℃下的熔融粘度为100Pa·s以下。
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公开(公告)号：CN105947997B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201610370621.8
申请日：2012-11-29
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C01B21/064 , C01B35/14 , C08G59/40 , C08L63/00 , C08K3/38
Abstract: 本发明的目的、课题在于提供一种三维集成电路用组合物，该组合物可使用热传导的各向同性、耐崩坏性、与树脂的混炼性优异的氮化硼凝聚粒子形成厚度方向的导热性也优异的层间填充层。而且，本发明的三维集成电路用组合物含有氮化硼凝聚粒子和树脂，所述氮化硼凝聚粒子的比表面积为10m2/g以上且为球状，该氮化硼凝聚粒子的表面由平均粒径为0.05μm以上且1μm以下的氮化硼初级粒子构成，所述树脂在120℃下的熔融粘度为100Pa·s以下。
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公开(公告)号：CN103958400A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201280058680.1
申请日：2012-11-29
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C01B21/064 , C08K3/38 , C08L63/00 , C08L101/00 , C09D7/12 , C09D201/00
CPC classification number: C09K5/14 , C01B21/064 , C01B21/0648 , C01B35/146 , C01P2004/03 , C01P2004/30 , C01P2004/45 , C01P2004/50 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/11 , C01P2006/12 , C01P2006/14 , C01P2006/32 , C01P2006/80 , C08G59/4042 , C08K3/38 , C08K2003/385 , C08L63/00 , H01L21/77 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L27/04 , H01L2924/0002 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , Y10T156/10 , Y10T428/25 , Y10T428/2982 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的、课题在于提供一种三维集成电路用组合物，该组合物可使用热传导的各向同性、耐崩坏性、与树脂的混炼性优异的氮化硼凝聚粒子形成厚度方向的导热性也优异的层间填充层。而且，本发明的三维集成电路用组合物含有氮化硼凝聚粒子和树脂，所述氮化硼凝聚粒子的比表面积为10m2/g以上且为球状，该氮化硼凝聚粒子的表面由平均粒径为0.05μm以上且1μm以下的氮化硼初级粒子构成，所述树脂在120℃下的熔融粘度为100Pa·s以下。
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公开(公告)号：CN106044727A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610367841.5
申请日：2012-11-29
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C01B21/064 , C08K3/38 , C08L63/00 , C08L101/00 , C09D7/12 , C09D201/00
CPC classification number: C09K5/14 , C01B21/064 , C01B21/0648 , C01B35/146 , C01P2004/03 , C01P2004/30 , C01P2004/45 , C01P2004/50 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/11 , C01P2006/12 , C01P2006/14 , C01P2006/32 , C01P2006/80 , C08G59/4042 , C08K3/38 , C08K2003/385 , C08L63/00 , H01L21/77 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L27/04 , H01L2924/0002 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , Y10T156/10 , Y10T428/25 , Y10T428/2982 , H01L2924/00 , C08L101/00 , C09D201/00
Abstract: 本发明的目的、课题在于提供一种三维集成电路用组合物，该组合物可使用热传导的各向同性、耐崩坏性、与树脂的混炼性优异的氮化硼凝聚粒子形成厚度方向的导热性也优异的层间填充层。而且，本发明的三维集成电路用组合物含有氮化硼凝聚粒子和树脂，所述氮化硼凝聚粒子的比表面积为10m2/g以上且为球状，该氮化硼凝聚粒子的表面由平均粒径为0.05μm以上且1μm以下的氮化硼初级粒子构成，所述树脂在120℃下的熔融粘度为100Pa·s以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101268120B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200680034941.0
申请日：2006-09-22
Applicant: 三菱化学株式会社
CPC classification number: C09D183/04 , H01L24/45 , H01L33/56 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01021 , H01L2924/01046 , H01L2924/01057 , H01L2924/01063 , H01L2924/01066 , H01L2924/01067 , H01L2924/01068 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/0401
Abstract: 本发明提供半导体发光器件用部件及其制造方法、以及使用该部件的半导体发光器件，所述新颖的半导体发光器件用部件具有优异的透明性、耐光性、耐热性，能够密封半导体发光器件并保持荧光体，即使长期使用也不产生裂纹和剥离。所述半导体发光器件用部件具有如下特征：(1)具有存在于陶瓷或金属表面的羟基或能够与金属氧烷键中的氧形成氢键的官能团；(2)在200℃放置500小时，放置前后，波长400nm的光的透过率的维持率为80％～110％；(3)以中心波长为400nm～450nm且波长大于385nm小于等于500nm的光进行24小时的照射以使波长436nm的照度为4500W/m2后，目视确认没有发生变化；(4)波长550nm的光的折射率为1.45以上。
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公开(公告)号：CN116635986A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202180086742.9
申请日：2021-11-15
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种蚀刻组合物，其包含碳原子数为8以上的四级铵盐(A)，相对于硅锗，选择性地溶解硅。可以进一步包含螯合剂(B)。一种蚀刻方法，其使用该蚀刻组合物对包含硅和硅锗的结构体进行蚀刻。本发明提供可抑制硅锗的溶解、促进硅的溶解、硅相对于硅锗的选择性溶解性优异的蚀刻组合物；使用了该蚀刻组合物的蚀刻方法；半导体器件的制造方法和全环绕栅极型晶体管的制造方法。
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公开(公告)号：CN103958400B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201280058680.1
申请日：2012-11-29
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C01B21/064 , C08K3/38 , C08L63/00 , C08L101/00 , C09D7/12 , C09D201/00
CPC classification number: C09K5/14 , C01B21/064 , C01B21/0648 , C01B35/146 , C01P2004/03 , C01P2004/30 , C01P2004/45 , C01P2004/50 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/11 , C01P2006/12 , C01P2006/14 , C01P2006/32 , C01P2006/80 , C08G59/4042 , C08K3/38 , C08K2003/385 , C08L63/00 , H01L21/77 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L27/04 , H01L2924/0002 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , Y10T156/10 , Y10T428/25 , Y10T428/2982 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的、课题在于提供一种三维集成电路用组合物，该组合物可使用热传导的各向同性、耐崩坏性、与树脂的混炼性优异的氮化硼凝聚粒子形成厚度方向的导热性也优异的层间填充层。而且，本发明的三维集成电路用组合物含有氮化硼凝聚粒子和树脂，所述氮化硼凝聚粒子的比表面积为10m2/g以上且为球状，该氮化硼凝聚粒子的表面由平均粒径为0.05μm以上且1μm以下的氮化硼初级粒子构成，所述树脂在120℃下的熔融粘度为100Pa·s以下。
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公开(公告)号：CN105947997A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610370621.8
申请日：2012-11-29
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C01B21/064 , C01B35/14 , C08G59/40 , C08L63/00 , C08K3/38
CPC classification number: C09K5/14 , C01B21/064 , C01B21/0648 , C01B35/146 , C01P2004/03 , C01P2004/30 , C01P2004/45 , C01P2004/50 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/11 , C01P2006/12 , C01P2006/14 , C01P2006/32 , C01P2006/80 , C08G59/4042 , C08K3/38 , C08K2003/385 , C08L63/00 , H01L21/77 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L27/04 , H01L2924/0002 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , Y10T156/10 , Y10T428/25 , Y10T428/2982 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的、课题在于提供一种三维集成电路用组合物，该组合物可使用热传导的各向同性、耐崩坏性、与树脂的混炼性优异的氮化硼凝聚粒子形成厚度方向的导热性也优异的层间填充层。而且，本发明的三维集成电路用组合物含有氮化硼凝聚粒子和树脂，所述氮化硼凝聚粒子的比表面积为10m2/g以上且为球状，该氮化硼凝聚粒子的表面由平均粒径为0.05μm以上且1μm以下的氮化硼初级粒子构成，所述树脂在120℃下的熔融粘度为100Pa·s以下。
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公开(公告)号：CN101268120A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200680034941.0
申请日：2006-09-22
Applicant: 三菱化学株式会社
CPC classification number: C09D183/04 , H01L24/45 , H01L33/56 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01021 , H01L2924/01046 , H01L2924/01057 , H01L2924/01063 , H01L2924/01066 , H01L2924/01067 , H01L2924/01068 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/0401
Abstract: 本发明提供半导体发光器件用部件及其制造方法、以及使用该部件的半导体发光器件，所述新颖的半导体发光器件用部件具有优异的透明性、耐光性、耐热性，能够密封半导体发光器件并保持荧光体，即使长期使用也不产生裂纹和剥离。所述半导体发光器件用部件具有如下特征：(1)具有存在于陶瓷或金属表面的羟基或能够与金属氧烷键中的氧形成氢键的官能团；(2)在200℃放置500小时，放置前后，波长400nm的光的透过率的维持率为80％～110％；(3)以中心波长为400nm～450nm且波长大于385nm小于等于500nm的光进行24小时的照射以使波长436nm的照度为4500W/m2后，目视确认没有发生变化；(4)波长550nm的光的折射率为1.45以上。
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