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公开(公告)号：CN106044727A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610367841.5
申请日：2012-11-29
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C01B21/064 , C08K3/38 , C08L63/00 , C08L101/00 , C09D7/12 , C09D201/00
CPC classification number: C09K5/14 , C01B21/064 , C01B21/0648 , C01B35/146 , C01P2004/03 , C01P2004/30 , C01P2004/45 , C01P2004/50 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/11 , C01P2006/12 , C01P2006/14 , C01P2006/32 , C01P2006/80 , C08G59/4042 , C08K3/38 , C08K2003/385 , C08L63/00 , H01L21/77 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L27/04 , H01L2924/0002 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , Y10T156/10 , Y10T428/25 , Y10T428/2982 , H01L2924/00 , C08L101/00 , C09D201/00
Abstract: 本发明的目的、课题在于提供一种三维集成电路用组合物，该组合物可使用热传导的各向同性、耐崩坏性、与树脂的混炼性优异的氮化硼凝聚粒子形成厚度方向的导热性也优异的层间填充层。而且，本发明的三维集成电路用组合物含有氮化硼凝聚粒子和树脂，所述氮化硼凝聚粒子的比表面积为10m2/g以上且为球状，该氮化硼凝聚粒子的表面由平均粒径为0.05μm以上且1μm以下的氮化硼初级粒子构成，所述树脂在120℃下的熔融粘度为100Pa·s以下。
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公开(公告)号：CN106044727B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201610367841.5
申请日：2012-11-29
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C01B21/064 , C08K3/38 , C08L63/00 , C08L101/00 , C09D7/40 , C09D201/00
Abstract: 本发明的目的、课题在于提供一种三维集成电路用组合物，该组合物可使用热传导的各向同性、耐崩坏性、与树脂的混炼性优异的氮化硼凝聚粒子形成厚度方向的导热性也优异的层间填充层。而且，本发明的三维集成电路用组合物含有氮化硼凝聚粒子和树脂，所述氮化硼凝聚粒子的比表面积为10m2/g以上且为球状，该氮化硼凝聚粒子的表面由平均粒径为0.05μm以上且1μm以下的氮化硼初级粒子构成，所述树脂在120℃下的熔融粘度为100Pa·s以下。
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公开(公告)号：CN105947997A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610370621.8
申请日：2012-11-29
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C01B21/064 , C01B35/14 , C08G59/40 , C08L63/00 , C08K3/38
CPC classification number: C09K5/14 , C01B21/064 , C01B21/0648 , C01B35/146 , C01P2004/03 , C01P2004/30 , C01P2004/45 , C01P2004/50 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/11 , C01P2006/12 , C01P2006/14 , C01P2006/32 , C01P2006/80 , C08G59/4042 , C08K3/38 , C08K2003/385 , C08L63/00 , H01L21/77 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L27/04 , H01L2924/0002 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , Y10T156/10 , Y10T428/25 , Y10T428/2982 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的、课题在于提供一种三维集成电路用组合物，该组合物可使用热传导的各向同性、耐崩坏性、与树脂的混炼性优异的氮化硼凝聚粒子形成厚度方向的导热性也优异的层间填充层。而且，本发明的三维集成电路用组合物含有氮化硼凝聚粒子和树脂，所述氮化硼凝聚粒子的比表面积为10m2/g以上且为球状，该氮化硼凝聚粒子的表面由平均粒径为0.05μm以上且1μm以下的氮化硼初级粒子构成，所述树脂在120℃下的熔融粘度为100Pa·s以下。
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公开(公告)号：CN103154070B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201180049911.8
申请日：2011-10-18
Applicant: 三菱化学株式会社
CPC classification number: H01L23/18 , C08L63/00 , C09D163/00 , H01L24/13 , H01L24/83 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供在半导体器件芯片的3D叠层化中，将半导体器件芯片间的焊料凸块等与触点接合的同时、形成导热性高的层间填充层的层间填充材料组合物、涂布液、以及三维集成电路的制造方法。所述三维集成电路用层间填充材料组合物含有树脂(A)及熔剂(B)，所述树脂(A)在120℃的熔融粘度为100Pa·s以下，且相对于树脂(A)每100重量份，熔剂(B)的含量为0.1重量份以上且10重量份以下；或者，其含有树脂(A)、无机填料(C)、以及固化剂(D)和/或熔剂(B)，所述树脂(A)在120℃的熔融粘度为100Pa·s以下、且其导热系数为0.2W/mK以上，所述无机填料(C)的导热系数为2W/mK以上、体积平均粒径为0.1μm以上且5μm以下、且最大体积粒径为10μm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105947997B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201610370621.8
申请日：2012-11-29
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C01B21/064 , C01B35/14 , C08G59/40 , C08L63/00 , C08K3/38
Abstract: 本发明的目的、课题在于提供一种三维集成电路用组合物，该组合物可使用热传导的各向同性、耐崩坏性、与树脂的混炼性优异的氮化硼凝聚粒子形成厚度方向的导热性也优异的层间填充层。而且，本发明的三维集成电路用组合物含有氮化硼凝聚粒子和树脂，所述氮化硼凝聚粒子的比表面积为10m2/g以上且为球状，该氮化硼凝聚粒子的表面由平均粒径为0.05μm以上且1μm以下的氮化硼初级粒子构成，所述树脂在120℃下的熔融粘度为100Pa·s以下。
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公开(公告)号：CN103958400A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201280058680.1
申请日：2012-11-29
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C01B21/064 , C08K3/38 , C08L63/00 , C08L101/00 , C09D7/12 , C09D201/00
CPC classification number: C09K5/14 , C01B21/064 , C01B21/0648 , C01B35/146 , C01P2004/03 , C01P2004/30 , C01P2004/45 , C01P2004/50 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/11 , C01P2006/12 , C01P2006/14 , C01P2006/32 , C01P2006/80 , C08G59/4042 , C08K3/38 , C08K2003/385 , C08L63/00 , H01L21/77 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L27/04 , H01L2924/0002 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , Y10T156/10 , Y10T428/25 , Y10T428/2982 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的、课题在于提供一种三维集成电路用组合物，该组合物可使用热传导的各向同性、耐崩坏性、与树脂的混炼性优异的氮化硼凝聚粒子形成厚度方向的导热性也优异的层间填充层。而且，本发明的三维集成电路用组合物含有氮化硼凝聚粒子和树脂，所述氮化硼凝聚粒子的比表面积为10m2/g以上且为球状，该氮化硼凝聚粒子的表面由平均粒径为0.05μm以上且1μm以下的氮化硼初级粒子构成，所述树脂在120℃下的熔融粘度为100Pa·s以下。
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公开(公告)号：CN103154070A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180049911.8
申请日：2011-10-18
Applicant: 三菱化学株式会社
CPC classification number: H01L23/18 , C08L63/00 , C09D163/00 , H01L24/13 , H01L24/83 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供在半导体器件芯片的3D叠层化中，将半导体器件芯片间的焊料凸块等与触点接合的同时、形成导热性高的层间填充层的层间填充材料组合物、涂布液、以及三维集成电路的制造方法。所述三维集成电路用层间填充材料组合物含有树脂(A)及熔剂(B)，所述树脂(A)在120℃的熔融粘度为100Pa·s以下，且相对于树脂(A)每100重量份，熔剂(B)的含量为0.1重量份以上且10重量份以下；或者，其含有树脂(A)、无机填料(C)、以及固化剂(D)和/或熔剂(B)，所述树脂(A)在120℃的熔融粘度为100Pa·s以下、且其导热系数为0.2W/mK以上，所述无机填料(C)的导热系数为2W/mK以上、体积平均粒径为0.1μm以上且5μm以下、且最大体积粒径为10μm以下。
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公开(公告)号：CN113874207A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202080038821.8
申请日：2020-05-27
Applicant: 三菱化学株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种容易将导电性的纳米网材料放置在所期望的位置，并且粘贴时不易发生扭曲的纳米网层叠体。本发明通过以下的纳米网层叠体解决上述课题，所述纳米网层叠体是将网状基材(A)和以聚乙烯醇类树脂作为主成分的纳米网层(B)相邻地层叠而得到的纳米网层叠体，优选为在网状基材(A)上具有以聚乙烯醇为主成分的纳米网层(B)和导电性物质层(C)的纳米网层叠体。
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公开(公告)号：CN103958400B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201280058680.1
申请日：2012-11-29
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C01B21/064 , C08K3/38 , C08L63/00 , C08L101/00 , C09D7/12 , C09D201/00
CPC classification number: C09K5/14 , C01B21/064 , C01B21/0648 , C01B35/146 , C01P2004/03 , C01P2004/30 , C01P2004/45 , C01P2004/50 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/11 , C01P2006/12 , C01P2006/14 , C01P2006/32 , C01P2006/80 , C08G59/4042 , C08K3/38 , C08K2003/385 , C08L63/00 , H01L21/77 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L27/04 , H01L2924/0002 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , Y10T156/10 , Y10T428/25 , Y10T428/2982 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的、课题在于提供一种三维集成电路用组合物，该组合物可使用热传导的各向同性、耐崩坏性、与树脂的混炼性优异的氮化硼凝聚粒子形成厚度方向的导热性也优异的层间填充层。而且，本发明的三维集成电路用组合物含有氮化硼凝聚粒子和树脂，所述氮化硼凝聚粒子的比表面积为10m2/g以上且为球状，该氮化硼凝聚粒子的表面由平均粒径为0.05μm以上且1μm以下的氮化硼初级粒子构成，所述树脂在120℃下的熔融粘度为100Pa·s以下。
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