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公开(公告)号：CN116635986A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202180086742.9
申请日：2021-11-15
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种蚀刻组合物，其包含碳原子数为8以上的四级铵盐(A)，相对于硅锗，选择性地溶解硅。可以进一步包含螯合剂(B)。一种蚀刻方法，其使用该蚀刻组合物对包含硅和硅锗的结构体进行蚀刻。本发明提供可抑制硅锗的溶解、促进硅的溶解、硅相对于硅锗的选择性溶解性优异的蚀刻组合物；使用了该蚀刻组合物的蚀刻方法；半导体器件的制造方法和全环绕栅极型晶体管的制造方法。
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