保护用IC和半导体集成电路

    公开(公告)号:CN107612053A

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201710545608.6

    申请日:2017-07-06

    Abstract: 本发明提供一种保护用IC和半导体集成电路。该保护用IC藉由对被插入二次电池和负载之间的电源路径上的MOS晶体管进行控制以保护所述二次电池,其具有与所述MOS晶体管的背栅连接的偏置输出端子、在所述负载和所述MOS晶体管之间与述电源路径连接的负载侧端子、被插入连接所述偏置输出端子和所述负载侧端子的电流路径上的负载侧开关、及基于所述二次电池的状态使所述负载侧开关动作以使对所述背栅的电位进行控制的背栅控制信号从所述偏置输出端子输出的控制电路。所述负载侧开关形成在N型硅基板上,并至少包括漏极相互连接了的2个NMOS晶体管,所述控制电路基于所述二次电池的状态使所述2个NMOS晶体管一起打开或关闭。

    保护用IC和半导体集成电路

    公开(公告)号:CN107612053B

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN201710545608.6

    申请日:2017-07-06

    Abstract: 本发明提供一种保护用IC和半导体集成电路。该保护用IC藉由对被插入二次电池和负载之间的电源路径上的MOS晶体管进行控制以保护所述二次电池,其具有与所述MOS晶体管的背栅连接的偏置输出端子、在所述负载和所述MOS晶体管之间与述电源路径连接的负载侧端子、被插入连接所述偏置输出端子和所述负载侧端子的电流路径上的负载侧开关、及基于所述二次电池的状态使所述负载侧开关动作以使对所述背栅的电位进行控制的背栅控制信号从所述偏置输出端子输出的控制电路。所述负载侧开关形成在N型硅基板上,并至少包括漏极相互连接了的2个NMOS晶体管,所述控制电路基于所述二次电池的状态使所述2个NMOS晶体管一起打开或关闭。

    二次电池保护电路
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107611936B

    公开(公告)日:2019-06-07

    申请号:CN201710545403.8

    申请日:2017-07-06

    Abstract: 本发明提供一种二次电池保护电路,其具有:在二次电池和MOS晶体管之间与电源路径连接第1端子;在负载和MOS晶体管之间与电源路径连接的第2端子;与MOS晶体管的栅极连接的第3端子;与MOS晶体管的背栅连接的第4端子;基于二次电池的异常状态使第4端子和第1端子连接的第1开关;及基于二次电池的异常状态使第4端子和第2端子连接的第2开关。介由第1开关被连接了的第4端子和第1端子之间的电阻值或介由第2开关被连接了的第4端子和第2端子之间的电阻值大于MOS晶体管的开启电阻值。

    二次电池保护电路
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107611936A

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201710545403.8

    申请日:2017-07-06

    Abstract: 本发明提供一种二次电池保护电路,其具有:在二次电池和MOS晶体管之间与电源路径连接第1端子;在负载和MOS晶体管之间与电源路径连接的第2端子;与MOS晶体管的栅极连接的第3端子;与MOS晶体管的背栅连接的第4端子;基于二次电池的异常状态使第4端子和第1端子连接的第1开关;及基于二次电池的异常状态使第4端子和第2端子连接的第2开关。介由第1开关被连接了的第4端子和第1端子之间的电阻值或介由第2开关被连接了的第4端子和第2端子之间的电阻值大于MOS晶体管的开启电阻值。

    电池保护电路封装件的制造方法

    公开(公告)号:CN113659185A

    公开(公告)日:2021-11-16

    申请号:CN202110243034.3

    申请日:2021-03-04

    Abstract: 根据本发明的一观点的电池保护电路封装件的制造方法,包括:准备在用于安装部件的刚性印刷电路基板上连接有包括至少一个用于与外部装置连接的外部连接端子的柔性印刷电路基板的复合封装基板的步骤;在具有至少一个用于连接电池单元的金属接线片的引线框架上安装所述复合封装基板的步骤;在露出所述至少一个金属接线片和所述至少一个外部连接端子的情况下,用模塑部封装所述复合封装基板和所述引线框架的至少一部分的步骤。

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