保护用IC和半导体集成电路

    公开(公告)号:CN107612053A

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201710545608.6

    申请日:2017-07-06

    Abstract: 本发明提供一种保护用IC和半导体集成电路。该保护用IC藉由对被插入二次电池和负载之间的电源路径上的MOS晶体管进行控制以保护所述二次电池,其具有与所述MOS晶体管的背栅连接的偏置输出端子、在所述负载和所述MOS晶体管之间与述电源路径连接的负载侧端子、被插入连接所述偏置输出端子和所述负载侧端子的电流路径上的负载侧开关、及基于所述二次电池的状态使所述负载侧开关动作以使对所述背栅的电位进行控制的背栅控制信号从所述偏置输出端子输出的控制电路。所述负载侧开关形成在N型硅基板上,并至少包括漏极相互连接了的2个NMOS晶体管,所述控制电路基于所述二次电池的状态使所述2个NMOS晶体管一起打开或关闭。

    保护用IC和半导体集成电路

    公开(公告)号:CN107612053B

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN201710545608.6

    申请日:2017-07-06

    Abstract: 本发明提供一种保护用IC和半导体集成电路。该保护用IC藉由对被插入二次电池和负载之间的电源路径上的MOS晶体管进行控制以保护所述二次电池,其具有与所述MOS晶体管的背栅连接的偏置输出端子、在所述负载和所述MOS晶体管之间与述电源路径连接的负载侧端子、被插入连接所述偏置输出端子和所述负载侧端子的电流路径上的负载侧开关、及基于所述二次电池的状态使所述负载侧开关动作以使对所述背栅的电位进行控制的背栅控制信号从所述偏置输出端子输出的控制电路。所述负载侧开关形成在N型硅基板上,并至少包括漏极相互连接了的2个NMOS晶体管,所述控制电路基于所述二次电池的状态使所述2个NMOS晶体管一起打开或关闭。

    二次电池保护电路
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107611936B

    公开(公告)日:2019-06-07

    申请号:CN201710545403.8

    申请日:2017-07-06

    Abstract: 本发明提供一种二次电池保护电路,其具有:在二次电池和MOS晶体管之间与电源路径连接第1端子;在负载和MOS晶体管之间与电源路径连接的第2端子;与MOS晶体管的栅极连接的第3端子;与MOS晶体管的背栅连接的第4端子;基于二次电池的异常状态使第4端子和第1端子连接的第1开关;及基于二次电池的异常状态使第4端子和第2端子连接的第2开关。介由第1开关被连接了的第4端子和第1端子之间的电阻值或介由第2开关被连接了的第4端子和第2端子之间的电阻值大于MOS晶体管的开启电阻值。

    二次电池保护电路
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107611936A

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201710545403.8

    申请日:2017-07-06

    Abstract: 本发明提供一种二次电池保护电路,其具有:在二次电池和MOS晶体管之间与电源路径连接第1端子;在负载和MOS晶体管之间与电源路径连接的第2端子;与MOS晶体管的栅极连接的第3端子;与MOS晶体管的背栅连接的第4端子;基于二次电池的异常状态使第4端子和第1端子连接的第1开关;及基于二次电池的异常状态使第4端子和第2端子连接的第2开关。介由第1开关被连接了的第4端子和第1端子之间的电阻值或介由第2开关被连接了的第4端子和第2端子之间的电阻值大于MOS晶体管的开启电阻值。

    复位装置
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101174827B

    公开(公告)日:2011-12-28

    申请号:CN200710167081.4

    申请日:2007-10-31

    Inventor: 安部修平

    CPC classification number: H03K17/223

    Abstract: 本发明提供一种即使在电源电压中有急剧变化,CMOS反相器也不发生误动作,稳定地输出复位信号的复位装置。作为输入电源电压、根据该电源电压的大小输出复位信号的复位装置,具有电源电压监视部和复位信号输出部。电源电压监视部具有比较器,其输入根据所述电源电压的大小检测到的检测电压、和成为所述复位信号的反相基准的基准电压,进行所述检测电压和所述基准电压的比较,输出与比较结果对应的输出电压。所述复位信号输出部把从该电源电压监视部输出的所述输出电压供给由CMOS构成的反相器,输出所述复位信号,在构成所述反相器的P沟道MOS晶体管和电源电压线之间,和/或在N沟道MOS晶体管和接地线之间设置阻抗单元R4、R5。

    通信装置及内置该通信装置的电池组

    公开(公告)号:CN102204061B

    公开(公告)日:2013-04-10

    申请号:CN200980144071.6

    申请日:2009-10-07

    CPC classification number: G06F1/305

    Abstract: 通信装置,其特征在于,包含:CMOS型反相器,其对在控制部和电子设备之间收发的信号进行传输,所述控制部能够与以二次电池作为电源的所述电子设备进行通信;以及调节器,其生成对所述电子设备的电源电压降压后得到的调节电压,所述调节器包含:耗尽型NMOS晶体管,其漏极与所述电源电压的高电位侧连接,并且栅极和源极互相连接;以及电容元件,其一个电极与所述源极侧连接,并且另一电极与所述电源电压的低电位侧连接,向所述反相器的两端供给所述电容元件的电压。

    通信装置及内置该通信装置的电池组

    公开(公告)号:CN102204061A

    公开(公告)日:2011-09-28

    申请号:CN200980144071.6

    申请日:2009-10-07

    CPC classification number: G06F1/305

    Abstract: 通信装置,其特征在于,包含:CMOS型反相器,其对在控制部和电子设备之间收发的信号进行传输,所述控制部能够与以二次电池作为电源的所述电子设备进行通信;以及调节器,其生成对所述电子设备的电源电压降压后得到的调节电压,所述调节器包含:耗尽型NMOS晶体管,其漏极与所述电源电压的高电位侧连接,并且栅极和源极互相连接;以及电容元件,其一个电极与所述源极侧连接,并且另一电极与所述电源电压的低电位侧连接,向所述反相器的两端供给所述电容元件的电压。

    复位装置
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101174827A

    公开(公告)日:2008-05-07

    申请号:CN200710167081.4

    申请日:2007-10-31

    Inventor: 安部修平

    CPC classification number: H03K17/223

    Abstract: 本发明提供一种即使在电源电压中有急剧变化,CMOS反相器也不发生误动作,稳定地输出复位信号的复位装置。作为输入电源电压、根据该电源电压的大小输出复位信号的复位装置,具有电源电压监视部和复位信号输出部。电源电压监视部具有比较器,其输入根据所述电源电压的大小检测到的检测电压、和成为所述复位信号的反相基准的基准电压,进行所述检测电压和所述基准电压的比较,输出与比较结果对应的输出电压。所述复位信号输出部把从该电源电压监视部输出的所述输出电压供给由CMOS构成的反相器,输出所述复位信号,在构成所述反相器的P沟道MOS晶体管和电源电压线之间,和/或在N沟道MOS晶体管和接地线之间设置阻抗单元R4、R5。

    半导体集成电路和视频信号输出电路

    公开(公告)号:CN101783870A

    公开(公告)日:2010-07-21

    申请号:CN201010004064.0

    申请日:2010-01-18

    Abstract: 一种半导体集成电路,其具有从同相输入端输入视频信号的运算放大器,并对从所述运算放大器中输出的视频信号进行跌落补正,所述半导体集成电路具有:第一电阻,其一端与所述运算放大器的反相输入端相连,另一端接地;第一外部端,其与所述运算放大器的输出端相连;第二外部端,其与所述运算放大器的反相输入端相连;第二电阻,其一端与所述运算放大器的输出端相连,另一端与所述运算放大器的反相输入端相连;其中,所述第二电阻的电阻值为:根据在所述第一外部端和所述第二外部端之间与所述第二电阻并联的第一电容器的电容值所确定的值。

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