保护用IC和半导体集成电路

    公开(公告)号:CN107612053A

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201710545608.6

    申请日:2017-07-06

    Abstract: 本发明提供一种保护用IC和半导体集成电路。该保护用IC藉由对被插入二次电池和负载之间的电源路径上的MOS晶体管进行控制以保护所述二次电池,其具有与所述MOS晶体管的背栅连接的偏置输出端子、在所述负载和所述MOS晶体管之间与述电源路径连接的负载侧端子、被插入连接所述偏置输出端子和所述负载侧端子的电流路径上的负载侧开关、及基于所述二次电池的状态使所述负载侧开关动作以使对所述背栅的电位进行控制的背栅控制信号从所述偏置输出端子输出的控制电路。所述负载侧开关形成在N型硅基板上,并至少包括漏极相互连接了的2个NMOS晶体管,所述控制电路基于所述二次电池的状态使所述2个NMOS晶体管一起打开或关闭。

    保护用IC和半导体集成电路

    公开(公告)号:CN107612053B

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN201710545608.6

    申请日:2017-07-06

    Abstract: 本发明提供一种保护用IC和半导体集成电路。该保护用IC藉由对被插入二次电池和负载之间的电源路径上的MOS晶体管进行控制以保护所述二次电池,其具有与所述MOS晶体管的背栅连接的偏置输出端子、在所述负载和所述MOS晶体管之间与述电源路径连接的负载侧端子、被插入连接所述偏置输出端子和所述负载侧端子的电流路径上的负载侧开关、及基于所述二次电池的状态使所述负载侧开关动作以使对所述背栅的电位进行控制的背栅控制信号从所述偏置输出端子输出的控制电路。所述负载侧开关形成在N型硅基板上,并至少包括漏极相互连接了的2个NMOS晶体管,所述控制电路基于所述二次电池的状态使所述2个NMOS晶体管一起打开或关闭。

    二次电池保护电路
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107611936B

    公开(公告)日:2019-06-07

    申请号:CN201710545403.8

    申请日:2017-07-06

    Abstract: 本发明提供一种二次电池保护电路,其具有:在二次电池和MOS晶体管之间与电源路径连接第1端子;在负载和MOS晶体管之间与电源路径连接的第2端子;与MOS晶体管的栅极连接的第3端子;与MOS晶体管的背栅连接的第4端子;基于二次电池的异常状态使第4端子和第1端子连接的第1开关;及基于二次电池的异常状态使第4端子和第2端子连接的第2开关。介由第1开关被连接了的第4端子和第1端子之间的电阻值或介由第2开关被连接了的第4端子和第2端子之间的电阻值大于MOS晶体管的开启电阻值。

    二次电池保护电路
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107611936A

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201710545403.8

    申请日:2017-07-06

    Abstract: 本发明提供一种二次电池保护电路,其具有:在二次电池和MOS晶体管之间与电源路径连接第1端子;在负载和MOS晶体管之间与电源路径连接的第2端子;与MOS晶体管的栅极连接的第3端子;与MOS晶体管的背栅连接的第4端子;基于二次电池的异常状态使第4端子和第1端子连接的第1开关;及基于二次电池的异常状态使第4端子和第2端子连接的第2开关。介由第1开关被连接了的第4端子和第1端子之间的电阻值或介由第2开关被连接了的第4端子和第2端子之间的电阻值大于MOS晶体管的开启电阻值。

    电池保护电路模块及包括其的电池组

    公开(公告)号:CN107851991B

    公开(公告)日:2019-10-15

    申请号:CN201680043806.6

    申请日:2016-08-11

    Abstract: 根据本发明一观点的电池保护电路模块,其包括:第一阳极端子和第一阴极端子,与电池裸电池的电极端子电连接;第二阳极端子和第二阴极端子,与充电器或者电子仪器电连接;第一保护电路单元,其包括第一单一场效应晶体管和第一保护集成电路元件,所述第一单一场效应晶体管在所述第一阳极端子或者第一阴极端子中至少一个与所述第二阳极端子和第二阴极端子中至少一个之间接触,所述第一保护集成电路元件用于控制所述第一单一场效应晶体管;以及第二保护电路单元,其包括第二单一场效应晶体管和第二保护集成电路元件,所述第二单一场效应晶体管在所述第一阳极端子或者第一阴极端子中至少一个与所述第二阳极端子及第二阴极端子中至少一个之间接触,所述第二保护集成电路元件用于控制所述第二单一场效应晶体管。

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