逆流防止电路以及电源切换装置

    公开(公告)号:CN101826794A

    公开(公告)日:2010-09-08

    申请号:CN201010128665.2

    申请日:2010-03-04

    Abstract: 本发明提供一种逆流防止电路以及电源切换装置。在作为开关元件,使用了N沟道的MOSFET的电源切换装置中,可以防止逆流,并且可以避免开关元件的阈值电压由于衬底偏置效应而升高。在具备在电压输入端子和输出端子之间连接的N沟道型的开关MOS晶体管(Q1)的电源切换装置中,设置:第一MOS晶体管(M2),其连接在所述开关MOS晶体管的基片和接地点之间;第二MOS晶体管(M1),其连接在所述开关MOS晶体管的基片和比接地点高的预定的恒定电位点之间,在使开关MOS晶体管(Q1)为导通状态的期间,对该晶体管的基片施加比接地点高的预定的恒定电位,在使开关MOS晶体管(Q1)为截止状态的期间,对该晶体管的基片施加接地电位。

    DC-DC转换器以及开关控制电路

    公开(公告)号:CN101807856A

    公开(公告)日:2010-08-18

    申请号:CN201010112433.8

    申请日:2010-02-04

    CPC classification number: H02M3/156

    Abstract: 本发明提供一种DC-DC转换器以及开关控制电路,在开关·调节器方式的DC-DC转换器中能够实现高速响应负载。一种电源控制用半导体集成电路(20),其具有生成使电流流过电压变换用的电感器的驱动用开关元件(M1)的驱动信号的开关控制电路,所述开关控制电路具有判别输出电压比预定电位高还是低的电压比较电路(21),根据所述电压比较电路的输出和预定的频率的时钟信号确定所述驱动用开关元件的导通定时和截止时间的定时确定单元(23);以及根据该定时确定单元的输出生成所述驱动用开关元件的截止、导通驱动信号的驱动控制电路(24)。

    电压检测电路
    5.
    发明公开
    电压检测电路 审中-实审

    公开(公告)号:CN113495217A

    公开(公告)日:2021-10-12

    申请号:CN202110220329.9

    申请日:2021-02-26

    Abstract: 本发明提供一种电压检测电路,其具备:分压电路,其由连接在电压输入端子与恒压端子之间的串联电阻组成;电压比较电路,其比较分压电路分压后的电压与参照电压;以及输出端子,其输出电压比较电路的比较结果,电压检测电路检测出输入到电压输入端子的电压超过或低于预定的电压值,从输出端子输出信号,在电压检测电路中设置有连接外部电阻的检测电压调整端子(ADJ)、设置在该检测电压调整端子与分压电路之间的电压‑电流转换电路(13)以及连接在内部电源电压端子与检测电压调整端子之间的恒流源(CS),通过由电压‑电流转换电路从分压电路的串联电阻的连接节点抽出与外置电阻的电阻值对应的电流,能够调整检测电压。

    逆流防止电路以及电源切换装置

    公开(公告)号:CN101826794B

    公开(公告)日:2015-04-08

    申请号:CN201010128665.2

    申请日:2010-03-04

    Abstract: 本发明提供一种逆流防止电路以及电源切换装置。在作为开关元件,使用了N沟道的MOSFET的电源切换装置中,可以防止逆流,并且可以避免开关元件的阈值电压由于衬底偏置效应而升高。在具备在电压输入端子和输出端子之间连接的N沟道型的开关MOS晶体管(Q1)的电源切换装置中,设置:第一MOS晶体管(M2),其连接在所述开关MOS晶体管的基片和接地点之间;第二MOS晶体管(M1),其连接在所述开关MOS晶体管的基片和比接地点高的预定的恒定电位点之间,在使开关MOS晶体管(Q1)为导通状态的期间,对该晶体管的基片施加比接地点高的预定的恒定电位,在使开关MOS晶体管(Q1)为截止状态的期间,对该晶体管的基片施加接地电位。

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