半导体装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1489208A

    公开(公告)日:2004-04-14

    申请号:CN03156357.0

    申请日:2003-09-04

    Abstract: 本发明涉及一种半导体装置,其特征为在探测片和激光修整部等处,在晶片检查时对保护膜有损坏之虞的部分的布线。本发明的目的在于抑制保护膜开口部附近布线的腐蚀以确保高可靠性。它是在探测片部(2)和激光修整部等处,在晶片检查的阶段有保护膜(钝化膜(3))受损之虞的部分,用多晶硅布线(4)做从保护膜开口部(3A)附近引出的布线。多晶硅布线(4)即使在水分进入的情况下也不会因被腐蚀而断线。由于多晶硅布线(4)与铝布线相比电阻值要高,在不损害线路特性的条件下扩散高浓度的磷以尽可能降低电阻值。

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