公开(公告)号：CN101826794A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010128665.2

申请日：2010-03-04

Applicant: 三美电机株式会社

Inventor： 田渊仁之 ,  永井富幸 ,  川越治 ,  花轮大佑

IPC: H02M3/155

CPC classification number: H03K17/302 ,  H03K2217/0018 ,  Y10T307/50 ,  Y10T307/729 ,  Y10T307/826 ,  Y10T307/839 ,  Y10T307/865

Abstract: 本发明提供一种逆流防止电路以及电源切换装置。在作为开关元件，使用了N沟道的MOSFET的电源切换装置中，可以防止逆流，并且可以避免开关元件的阈值电压由于衬底偏置效应而升高。在具备在电压输入端子和输出端子之间连接的N沟道型的开关MOS晶体管(Q1)的电源切换装置中，设置：第一MOS晶体管(M2)，其连接在所述开关MOS晶体管的基片和接地点之间；第二MOS晶体管(M1)，其连接在所述开关MOS晶体管的基片和比接地点高的预定的恒定电位点之间，在使开关MOS晶体管(Q1)为导通状态的期间，对该晶体管的基片施加比接地点高的预定的恒定电位，在使开关MOS晶体管(Q1)为截止状态的期间，对该晶体管的基片施加接地电位。

公开(公告)号：CN101826794B

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201010128665.2

申请日：2010-03-04

Applicant: 三美电机株式会社

Inventor： 田渊仁之 ,  永井富幸 ,  川越治 ,  花轮大佑

IPC: H02M3/155

CPC classification number: H03K17/302 ,  H03K2217/0018 ,  Y10T307/50 ,  Y10T307/729 ,  Y10T307/826 ,  Y10T307/839 ,  Y10T307/865

Abstract: 本发明提供一种逆流防止电路以及电源切换装置。在作为开关元件，使用了N沟道的MOSFET的电源切换装置中，可以防止逆流，并且可以避免开关元件的阈值电压由于衬底偏置效应而升高。在具备在电压输入端子和输出端子之间连接的N沟道型的开关MOS晶体管(Q1)的电源切换装置中，设置：第一MOS晶体管(M2)，其连接在所述开关MOS晶体管的基片和接地点之间；第二MOS晶体管(M1)，其连接在所述开关MOS晶体管的基片和比接地点高的预定的恒定电位点之间，在使开关MOS晶体管(Q1)为导通状态的期间，对该晶体管的基片施加比接地点高的预定的恒定电位，在使开关MOS晶体管(Q1)为截止状态的期间，对该晶体管的基片施加接地电位。