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公开(公告)号：CN101860208B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201010104741.6
申请日：2010-01-28
Applicant: 三美电机株式会社
IPC: H02M3/155
CPC classification number: H02M3/1588 , H02M1/44 , H02M2001/0029 , Y02B70/1466
Abstract: 本发明提供可以在开关稳压器方式的DC-DC转换器中使尖峰噪声减小的技术。在具有使电流流过电感器的驱动用开关元件(M1)、整流元件(M2)、与输出端子连接的滤波电容器的开关稳压器方式的DC-DC转换器中，至少生成对驱动用开关元件(M1)进行导通、截止驱动的驱动信号的驱动电路(DRV1)，如下这样地生成驱动信号：亦即，与使驱动用开关元件从导通状态向截止状态转移时的驱动信号的迁移时间(tr1)相比，使驱动用开关元件从截止状态向导通状态转移时的驱动信号的迁移时间(tf1)更长。
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公开(公告)号：CN101826794B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201010128665.2
申请日：2010-03-04
Applicant: 三美电机株式会社
IPC: H02M3/155
CPC classification number: H03K17/302 , H03K2217/0018 , Y10T307/50 , Y10T307/729 , Y10T307/826 , Y10T307/839 , Y10T307/865
Abstract: 本发明提供一种逆流防止电路以及电源切换装置。在作为开关元件，使用了N沟道的MOSFET的电源切换装置中，可以防止逆流，并且可以避免开关元件的阈值电压由于衬底偏置效应而升高。在具备在电压输入端子和输出端子之间连接的N沟道型的开关MOS晶体管(Q1)的电源切换装置中，设置：第一MOS晶体管(M2)，其连接在所述开关MOS晶体管的基片和接地点之间；第二MOS晶体管(M1)，其连接在所述开关MOS晶体管的基片和比接地点高的预定的恒定电位点之间，在使开关MOS晶体管(Q1)为导通状态的期间，对该晶体管的基片施加比接地点高的预定的恒定电位，在使开关MOS晶体管(Q1)为截止状态的期间，对该晶体管的基片施加接地电位。
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公开(公告)号：CN102545597A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110334671.8
申请日：2011-10-26
Applicant: 三美电机株式会社
Inventor： 川越治
CPC classification number: H02M3/156 , H02M2001/0032 , Y02B70/16
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够通过简单的结构抑制输出电压的波动的开关稳压器。该开关稳压器具有：根据在电感器中流动的电流的方向，切换第一控制模式和第二控制模式的控制模式切换单元；作为误差放大器或比较器工作的放大器；通过开关单元与所述放大器连接的相位补偿单元，控制模式切换单元在第一控制模式下使开关单元接通来连接放大器和相位补偿单元，使放大器作为误差放大器工作，在第二控制模式下使开关单元关断来使放大器作为比较器工作。
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公开(公告)号：CN101488362A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910002345.X
申请日：2009-01-07
Applicant: 三美电机株式会社
IPC: G11C5/14
CPC classification number: H03K19/003 , Y10T307/50
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具有被施加高电压的电源端子、与电源端子电连接的钳位电路以及与钳位电路电连接，并且通过低电压进行驱动的内部电路，其目的在于减小半导体装置的平面内的钳位电路的占用面积，能够实现半导体装置的小型化。半导体装置(10)具有：钳位电路(13)，其与被施加高电压VDD1的电源端子(11)电连接；以及内部电路(14)，其与钳位电路(13)电连接，通过比高电压VDD1低的基准电压VREF进行驱动，使用NPN型双极晶体管(21)构成钳位电路(13)，并且将NPN型双极晶体管(21)的发射极与电源端子(11)电连接，将NPN型双极晶体管(21)的集电极接地，将NPN型双极晶体管(21)的基极与NPN型双极晶体管(21)的集电极电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101420216A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810174933.7
申请日：2008-10-24
Applicant: 三美电机株式会社
IPC: H03K3/3565
CPC classification number: H03K3/3565
Abstract: 本发明提供一种逻辑门以及使用该逻辑门的半导体集成电路装置。本发明的目的在于提供一种能够以容易调整的结构得到希望的滞后特性的逻辑门。本发明的逻辑门包含CMOS电路(10～14)，该CMOS电路(10～14)具有P沟道MOS晶体管和N沟道MOS晶体管，本发明的逻辑门的特征在于，包括：与所述P沟道MOS晶体管和/或所述N沟道MOS晶体管的源极或漏极串联连接的具有电阻成份的元件(R1～R8)；与该具有电阻成份的元件(R1～R8)并联连接的开关元件；以及根据所述CMOS电路的输出信号，对所述开关元件进行开关控制的开关控制电路(20、21、22)。
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公开(公告)号：CN102545597B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201110334671.8
申请日：2011-10-26
Applicant: 三美电机株式会社
Inventor： 川越治
CPC classification number: H02M3/156 , H02M2001/0032 , Y02B70/16
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够通过简单的结构抑制输出电压的波动的开关稳压器。该开关稳压器具有：根据在电感器中流动的电流的方向，切换第一控制模式和第二控制模式的控制模式切换单元；作为误差放大器或比较器工作的放大器；通过开关单元与所述放大器连接的相位补偿单元，控制模式切换单元在第一控制模式下使开关单元接通来连接放大器和相位补偿单元，使放大器作为误差放大器工作，在第二控制模式下使开关单元关断来使放大器作为比较器工作。
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公开(公告)号：CN101860208A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010104741.6
申请日：2010-01-28
Applicant: 三美电机株式会社
IPC: H02M3/155
CPC classification number: H02M3/1588 , H02M1/44 , H02M2001/0029 , Y02B70/1466
Abstract: 本发明提供可以在开关稳压器方式的DC-DC转换器中使尖峰噪声减小的技术。在具有使电流流过电感器的驱动用开关元件(M1)、整流元件(M2)、与输出端子连接的滤波电容器的开关稳压器方式的DC-DC转换器中，至少生成对驱动用开关元件(M1)进行导通、截止驱动的驱动信号的驱动电路(DRV1)，如下这样地生成驱动信号：亦即，与使驱动用开关元件从导通状态向截止状态转移时的驱动信号的迁移时间(tr1)相比，使驱动用开关元件从截止状态向导通状态转移时的驱动信号的迁移时间(tf1)更长。
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公开(公告)号：CN101826794A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010128665.2
申请日：2010-03-04
Applicant: 三美电机株式会社
IPC: H02M3/155
CPC classification number: H03K17/302 , H03K2217/0018 , Y10T307/50 , Y10T307/729 , Y10T307/826 , Y10T307/839 , Y10T307/865
Abstract: 本发明提供一种逆流防止电路以及电源切换装置。在作为开关元件，使用了N沟道的MOSFET的电源切换装置中，可以防止逆流，并且可以避免开关元件的阈值电压由于衬底偏置效应而升高。在具备在电压输入端子和输出端子之间连接的N沟道型的开关MOS晶体管(Q1)的电源切换装置中，设置：第一MOS晶体管(M2)，其连接在所述开关MOS晶体管的基片和接地点之间；第二MOS晶体管(M1)，其连接在所述开关MOS晶体管的基片和比接地点高的预定的恒定电位点之间，在使开关MOS晶体管(Q1)为导通状态的期间，对该晶体管的基片施加比接地点高的预定的恒定电位，在使开关MOS晶体管(Q1)为截止状态的期间，对该晶体管的基片施加接地电位。
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公开(公告)号：CN1518183A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN200410039340.1
申请日：2004-01-19
Applicant: 三美电机株式会社
IPC: H02H9/02
Abstract: 本发明涉及保护锂离子电池等的可充电电池保护电路，尤其涉及该充电电池保护电路的延迟电路。本发明要解决的问题是，在具有延迟电路的过电流检测电路中，在延迟电路的延迟时间内，一旦因短路而流过大的电流时，大的电流流过放电控制开关会损坏放电控制开关。本发明的技术方案是，在具有延迟电路(25)、控制放电控制开关(113)的接通时间的过电流检测电路(20a)中，延迟电路(25)具有通过使延迟时间连续模拟地变化，对放电控制开关(113)的急剧的状态变化予以响应，能够迅速地使该放电控制开关(113)处于断开状态的结构。这样可防止大电流长时间流过放电控制开关(113)，从而可防止该放电控制开关(113)的损坏。
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