公开(公告)号：CN119010868A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202410414026.4

申请日：2024-04-08

Applicant: 三美电机株式会社

Inventor： 平井胜

IPC: H03K17/22 ,  H03K19/173

Abstract: 提供一种半导体集成电路，其兼具多沟道的电压降低检测功能和特定沟道的电压上升检测功能。半导体集成电路具有：多个端子，其包含第一输入端子、第二输入端子、第一输出端子和第二输出端子；第一检测电路，其在检测到所述第一输入端子的电压降低时，使第一信号有效；第二检测电路，其在检测到所述第一输入端子的过电压时，使第二信号有效；第三检测电路，其在检测到所述第二输入端子的电压降低时，使第三信号有效；第一输出电路，其监视所述第一信号和所述第二信号，在所述第一信号或所述第二信号有效时，从所述第一输出端子输出第一复位信号；第二输出电路，其监视所述第三信号，在所述第三信号有效时，从所述第二输出端子输出第二复位信号。

公开(公告)号：CN114967888A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210167796.4

申请日：2022-02-23

Applicant: 三美电机株式会社

Inventor： 高野阳一 ,  平井胜

IPC: G06F1/24 ,  H03K17/22

Abstract: 本发明提供一种复位用半导体集成电路以及使用该复位用半导体集成电路的电路系统，其能够改变复位信号的延迟时间。该复位用半导体集成电路具备电压检测电路(21)，在监视对象的电源电压(VDD1)低于预定电平的情况下输出复位信号，该复位用半导体集成电路具备：由CMOS电路构成的输出级(22)，该CMOS电路生成并输出与所述电压检测电路的检测结果对应的信号；监视电压输入端子(VS)，其被输入监视对象的电源电压(VDD1)；基准电位端子(GND)，其被施加成为电路的基准电位的电压；外部电压端子(VB)，其与输出级的电源电压端子连接，能够从外部施加成为所述输出级的工作电压的电源电压(VDD2)；以及输出端子(OUT)，其用于输出输出级生成的信号。

公开(公告)号：CN119995575A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202411436083.9

申请日：2024-10-15

Applicant: 三美电机株式会社

Inventor： 平井胜

IPC: H03K17/22 ,  H03K19/173

Abstract: 本发明提供半导体集成电路以及电子设备。半导体集成电路具有：第一检测电路，其将第一输入电压作为电源电压来进行动作，当检测到第一输入电压的降低时，使第一信号有效；第二检测电路，其将第二输入电压作为电源电压来进行动作，当检测到第二输入电压的降低时，使第二信号有效；输出电路，其监视第一信号和第二信号，当第一信号或者第二信号被有效时，从输出端子输出复位信号，第一检测电路是当第一输入电压降低到第一动作极限电压以下时使第一信号不稳定的电路，第二检测电路是当第二输入电压降低到第二动作极限电压以下时使第二信号不稳定的电路，第一动作极限电压比第二动作极限电压低。

公开(公告)号：CN113495217A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202110220329.9

申请日：2021-02-26

Applicant: 三美电机株式会社

Inventor： 田渊仁之 ,  平井胜 ,  永井富幸 ,  德田健也

IPC: G01R31/382 ,  G01R31/364 ,  G01R1/20 ,  G01R1/30 ,  G01R31/00

Abstract: 本发明提供一种电压检测电路，其具备：分压电路，其由连接在电压输入端子与恒压端子之间的串联电阻组成；电压比较电路，其比较分压电路分压后的电压与参照电压；以及输出端子，其输出电压比较电路的比较结果，电压检测电路检测出输入到电压输入端子的电压超过或低于预定的电压值，从输出端子输出信号，在电压检测电路中设置有连接外部电阻的检测电压调整端子(ADJ)、设置在该检测电压调整端子与分压电路之间的电压‑电流转换电路(13)以及连接在内部电源电压端子与检测电压调整端子之间的恒流源(CS)，通过由电压‑电流转换电路从分压电路的串联电阻的连接节点抽出与外置电阻的电阻值对应的电流，能够调整检测电压。

公开(公告)号：CN102347753B

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201110215357.8

申请日：2011-07-25

Applicant: 三美电机株式会社

Inventor： 平井胜

IPC: H03K17/22

CPC classification number: H03K17/223

Abstract: 本发明提供一种复位电路以及具备该复位电路的装置，所述复位电路即使电源电压为极低电压状态也能够防止复位被解除。复位电路具备：作为N沟道MOSFET的晶体管(N0)；根据电源电压(VDD)超过应该解除复位的预定的阈值(Vth)而将晶体管(N0)从导通变为截止，由此将晶体管(N0)的漏极电压从表示复位状态的低电平切换为表示复位解除状态的高电平的栅极驱动电路(A1)，其中，具备吸收电路(A2)，其通过吸收流过晶体管(N0)的漏极侧的电流(I)，将晶体管(N0)的漏极电压维持为低电平；以及切断电路(A3)，其当电源电压(VDD)超过阈值(Vth)时切断由吸收电路(A2)吸收电流(I)。

公开(公告)号：CN102347753A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110215357.8

申请日：2011-07-25

Applicant: 三美电机株式会社

Inventor： 平井胜

IPC: H03K17/22

CPC classification number: H03K17/223

Abstract: 本发明提供一种复位电路以及具备该复位电路的装置，所述复位电路即使电源电压为极低电压状态也能够防止复位被解除。复位电路具备：作为N沟道MOSFET的晶体管(N0)；根据电源电压(VDD)超过应该解除复位的预定的阈值(Vth)而将晶体管(N0)从导通变为截止，由此将晶体管(N0)的漏极电压从表示复位状态的低电平切换为表示复位解除状态的高电平的栅极驱动电路(A1)，其中，具备吸收电路(A2)，其通过吸收流过晶体管(N0)的漏极侧的电流(I)，将晶体管(N0)的漏极电压维持为低电平；以及切断电路(A3)，其当电源电压(VDD)超过阈值(Vth)时切断由吸收电路(A2)吸收电流(I)。