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公开(公告)号：CN100472814C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN02147950.X
申请日：2002-10-30
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L29/47
CPC classification number: H01L27/0814 , H01L24/05 , H01L27/0605 , H01L29/66143 , H01L29/872 , H01L2224/04042 , H01L2224/45144 , H01L2224/48463 , H01L2924/12032 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 一种集成型肖特基势垒二极管及其制造方法。目前，在集成型肖特基势垒二极管的分离中，需要设置沟道、埋设聚酰亚胺层、较大地设置用于形成沟道的距离的余量，存在不能进行芯片小型化、制造工序也很复杂的问题。本发明利用离子注入形成的绝缘化区域，将各肖特基势垒二极管分离。消除了沟道和聚酰亚胺等GaAs表面的大的凸凹，所以，不需要考虑掩膜对位偏差的距离的余量，故芯片可大幅缩小。还具有可简化制造工序的优点。
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公开(公告)号：CN1407633A
公开(公告)日：2003-04-02
申请号：CN02141457.2
申请日：2002-08-30
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L21/328
Abstract: 一种肖特基势垒二极管及其制造方法。目前，由于有台面型晶体管蚀刻及厚的聚酰亚胺层等，故不能推进芯片的小型化，并且，电极间存在距离，不能提高特性。另外，其制造方法中肖特基结部分的蚀刻控制很困难。本发明通过在基板表面设置n型及n+型离子注入区域形成动作区域，不再需要设置台面及聚酰亚胺层，可实现化合物半导体的平面型肖特基势垒二极管。可降低晶片的成本，由于可使电极间距离接近，故可实现芯片的缩小，也可提高高频特性。由于形成肖特基结区域时不蚀刻GaAs，故可制造再现性好的肖特基势垒二极管。
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公开(公告)号：CN1400671A
公开(公告)日：2003-03-05
申请号：CN02127231.X
申请日：2002-07-29
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L21/328
Abstract: 一种肖特基势垒二极管及其制造方法。目前由于有台面蚀刻或厚聚酰亚胺层等，所以芯片小型化无进展且电极间有距离不能提高特性。而且制造方法上肖特基结部分的蚀刻控制有困难。本发明能实现化合物半导体的平面型肖特基势垒二极管。通过在基板表面设InGaP层、设n+型离子注入区域，不再需要设台面及聚酰亚胺层。由于能把电极间距离接近，所以实现了芯片缩小，高频特性也提高了。而且形成肖特基电极时不蚀刻GaAs，所以能制造再现性良好的肖特基势垒二极管。
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公开(公告)号：CN1279626C
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN02141456.4
申请日：2002-08-30
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 一种肖特基势垒二极管及其制造方法。目前，由于有台面型晶体管蚀刻及厚的聚酰亚胺层等，故不能推进芯片的小型化，并且，电极间存在距离，不能提高特性。另外，其制造方法中肖特基结部分的蚀刻控制很困难。本发明通过在基板表面设置n+型离子注入区域，不再需要设置台面及聚酰亚胺层，可实现化合物半导体的平面型肖特基势垒二极管。由于可使电极间距离接近，可实现芯片的缩小，也可提高高频特性。由于形成肖特基结区域时不蚀刻GaAs，故可制造再现性好的肖特基势垒二极管。
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公开(公告)号：CN1279625C
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN02141455.6
申请日：2002-08-30
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L21/328
Abstract: 一种肖特基势垒二极管及其制造方法。目前，由于有台面型晶体管蚀刻及厚的聚酰亚胺层等，故不能推进芯片的小型化，并且，电极间存在距离，不能提高特性。另外，其制造方法中肖特基结部分的蚀刻控制很困难。本发明通过在基板表面设置n型及n+型离子注入区域形成动作区域，不再需要设置台面及聚酰亚胺层，可实现化合物半导体的平面型肖特基势垒二极管。可降低晶片的成本，由于可使电极间距离接近，故可实现芯片的缩小，也可提高高频特性。由于形成肖特基电极时不蚀刻GaAs，故可制造再现性好的肖特基势垒二极管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100470845C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN02141457.2
申请日：2002-08-30
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L21/328
Abstract: 一种肖特基势垒二极管及其制造方法。目前，由于有台面型晶体管蚀刻及厚的聚酰亚胺层等，故不能推进芯片的小型化，并且，电极间存在距离，不能提高特性。另外，其制造方法中肖特基结部分的蚀刻控制很困难。本发明通过在基板表面设置n型及n+型离子注入区域形成动作区域，不再需要设置台面及聚酰亚胺层，可实现化合物半导体的平面型肖特基势垒二极管。可降低晶片的成本，由于可使电极间距离接近，故可实现芯片的缩小，也可提高高频特性。由于形成肖特基结区域时不蚀刻GaAs，故可制造再现性好的肖特基势垒二极管。
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公开(公告)号：CN1314132C
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN02127233.6
申请日：2002-07-29
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L21/328
Abstract: 一种肖特基势垒二极管及其制造方法。目前，由于有台面型晶体管蚀刻及厚的聚酰亚胺层等，故不能推进芯片的小型化，并且，电极间存在距离，不能提高特性。另外，其制造方法中肖特基结部分的蚀刻控制很困难。本发明通过在基板表面设置n+型离子注入区域，不再需要设置台面及聚酰亚胺层，可实现化合物半导体的平面型肖特基势垒二极管。由于可使电极间距离接近，可实现芯片的缩小，也可提高高频特性。由于形成肖特基电极时不蚀刻GaAs，故可制造再现性好的肖特基势垒二极管。
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公开(公告)号：CN1407632A
公开(公告)日：2003-04-02
申请号：CN02141456.4
申请日：2002-08-30
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L21/328
Abstract: 一种肖特基势垒二极管及其制造方法。目前，由于有台面型晶体管蚀刻及厚的聚酰亚胺层等，故不能推进芯片的小型化，并且，电极间存在距离，不能提高特性。另外，其制造方法中肖特基结部分的蚀刻控制很困难。本发明通过在基板表面设置n+型离子注入区域，不再需要设置台面及聚酰亚胺层，可实现化合物半导体的平面型肖特基势垒二极管。由于可使电极间距离接近，可实现芯片的缩小，也可提高高频特性。由于形成肖特基结区域时不蚀刻GaAs，故可制造再现性好的肖特基势垒二极管。
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公开(公告)号：CN100470846C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN02152936.1
申请日：2002-09-25
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/872
CPC classification number: H01L29/66143 , H01L24/05 , H01L29/872 , H01L2224/04042 , H01L2224/45144 , H01L2224/4847 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种肖特基势垒二极管及其制造方法。该方法通过在阳极键合接点下设置绝缘区域，可以将阳极键合接点直接固定在衬底上。而不象现有技术那样在键合接点下设置用于防止破裂的聚酰亚胺层，通过镀金来形成键合接点。另外，在键合接点下几乎没有寄生电容的同时，层间绝缘膜可以用氮化膜来代替，所以成本降低。此外，还可简化制造流程，没有键合时的应力造成的破裂、剥落。
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公开(公告)号：CN1314131C
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN02127231.X
申请日：2002-07-29
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L21/328
Abstract: 一种肖特基势垒二极管及其制造方法。目前由于有台面蚀刻或厚聚酰亚胺层等，所以芯片小型化无进展且电极间有距离不能提高特性。而且制造方法上肖特基结部分的蚀刻控制有困难。本发明能实现化合物半导体的平面型肖特基势垒二极管。通过在基板表面设InGaP层、设n+型离子注入区域，不再需要设台面及聚酰亚胺层。由于能把电极间距离接近，所以实现了芯片缩小，高频特性也提高了。而且形成肖特基电极时不蚀刻GaAs，所以能制造再现性良好的肖特基势垒二极管。
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