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公开(公告)号：CN101425436A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810174755.8
申请日：2008-10-30
Applicant: 三星SDI株式会社 , 汉阳大学校产学协力团
CPC classification number: C09K11/02 , C09K11/595 , C09K11/7734 , C09K11/7797
Abstract: 本发明涉及用于等离子体显示装置的糊状组合物及相关方法。用于等离子体显示装置的组合物包括无机材料颗粒、酸性分散剂和碱性分散剂的复合物、粘合剂以及溶剂。
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公开(公告)号：CN119108507A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202410734837.2
申请日：2024-06-07
Applicant: 三星SDI株式会社 , 汉阳大学校产学协力团
IPC: H01M4/131 , H01M4/62 , H01M10/052
Abstract: 提供了一种用于可再充电锂电池的电极和包括该电极的可再充电锂电池。该电极包括：集流体；以及电极活性物质层，在集流体上并且包括活性物质、第一导电材料和粘结剂，其中，第一导电材料包括：核，包括石墨烯、氧化石墨烯、还原的氧化石墨烯或它们的组合；以及涂覆层，在核的表面上并且包括氧化铝纳米颗粒。
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公开(公告)号：CN106661429B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201580042750.8
申请日：2015-08-11
Applicant: 凯斯科技股份有限公司 , IUCF-HYU-汉阳大学校产学协力团
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/28079 , H01L21/3212 , H01L29/66545
Abstract: 本发明涉及一种抛光浆料组合物，根据本发明的第一方案的抛光浆料组合物包含磨料粒子；以及氧化剂，抛光具有至厚度的钨，且改善钨的形貌，根据本发明的第二方案的抛光浆料组合物包含第一磨料粒子、第二磨料粒子、以及第三磨料粒子中的至少两种以上的磨料粒子；以及氧化剂，其中，所述第一磨料粒子具有20nm至小于45nm的一次粒度，所述第二磨料粒子具有45nm至小于130nm的一次粒度，所述第三磨料粒子具有130nm至小于250nm的一次粒度。
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公开(公告)号：CN109923720B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN201780066868.3
申请日：2017-10-17
Applicant: 汉阳大学校产学协力团
IPC: H01M8/242 , H01M8/2485 , H01M8/0273 , H01M8/124
Abstract: 可提供燃料电池堆单元，包括：第一气体分离板，形成有空气流入口；第一密封垫圈，层叠于第一气体分离板的下侧，形成有空气流入口；金属支撑体，层叠于第一密封垫圈下侧，中心部收容燃料电池用单体电池，在中心部的外周边形成有空气流入口；第二密封垫圈，层叠于金属支撑体下侧，形成有空气流入口；以及第二气体分离板，层叠于第二密封垫圈的下侧，从第一气体分离板的空气流入口流入的空气依次经由在第一密封垫圈、金属支撑体及第二密封垫圈的空气流入口，沿着单体电池下侧与第二气体分离板上侧的层叠边界，从单体电池的一侧向另一侧流动，第二密封垫圈具有切断结构，从第二密封垫圈的边缘引入到其内侧将向单体电池的另一侧流动的空气排出至外部。
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公开(公告)号：CN108463914A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201680076621.5
申请日：2016-12-29
Applicant: 汉阳大学校产学协力团
IPC: H01M8/04007 , H01M8/04014 , H01M8/0267 , H01M8/248 , H01M8/124
CPC classification number: H01M8/04014 , H01M8/0258 , H01M8/0267 , H01M8/04007 , H01M8/12 , H01M8/124 , H01M8/2404 , H01M8/248
Abstract: 提供燃料电池用气体加热单元。上述燃料电池用气体加热单元包括：供给气体流入口，用于使预热前的供给气体流入；多个预热板(pre-heating plates)，形成有开口部，用于对上述供给气体进行预热；多个支撑板(support plates)，形成有开口部，用于支撑上述多个预热板；以及供给气体流出口，用于向燃料电池堆模块供给经预热的上述供给气体，上述多个预热板及上述多个支撑板以相互交替的方式层叠，上述多个预热板的开口部和上述多个支撑板的开口部向上述外部气体提供通道。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106867411B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201610905553.0
申请日：2016-10-17
Applicant: 三星电子株式会社 , 汉阳大学校产学协力团
IPC: C09G1/02 , B24B37/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及用于化学机械抛光的浆料组合物、其制法、抛光方法、制造半导体器件的方法和抛光设备。用于化学机械抛光工艺的浆料组合物包括分散介质、和具有结合至其表面的NO3‑官能团的二氧化铈颗粒。以约0.1重量份‑约15重量份的量包含所述二氧化铈颗粒，基于100重量份的所述分散介质。
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公开(公告)号：CN106867411A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201610905553.0
申请日：2016-10-17
Applicant: 三星电子株式会社 , 汉阳大学校产学协力团
IPC: C09G1/02 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/044 , B24B37/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及用于化学机械抛光的浆料组合物、其制法、抛光方法、制造半导体器件的方法和抛光设备。用于化学机械抛光工艺的浆料组合物包括分散介质、和具有结合至其表面的NO3‑官能团的二氧化铈颗粒。以约0.1重量份‑约15重量份的量包含所述二氧化铈颗粒，基于100重量份的所述分散介质。
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公开(公告)号：CN101092543B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200710135810.8
申请日：2005-07-27
Applicant: K.C.科技股份有限公司 , 汉阳大学校产学协力团
IPC: C09G1/02 , H01L21/304
Abstract: 本发明是有关于一种抛光浆料及其制备方法和抛光基板的方法。具体的说，是一种用于抛光半导体晶片的化学机械抛光浆料。更具体的说，本发明提供了这种浆料的制备方法及其抛光基板的方法，此种浆料对≥256兆D-RAM的超高集成半导体硅片(其厚度≤0.13μm)的浅槽隔离CMP生产工艺中做阻隔膜的氮化物层具有较高的选择性，并且减少了抛光表面的微观划痕现象的发生。
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公开(公告)号：CN101092543A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710135810.8
申请日：2005-07-27
Applicant: K.C.科技股份有限公司 , 汉阳大学校产学协力团
IPC: C09G1/02 , H01L21/304
Abstract: 本发明是有关于一种抛光浆料及其制备方法和抛光基板的方法。具体的说，是一种用于抛光半导体晶片的化学机械抛光浆料。更具体的说，本发明提供了这种浆料的制备方法及其抛光基板的方法，此种浆料对≥256兆D－RAM的超高集成半导体硅片(其厚度≤0.13μm)的浅槽隔离CMP生产工艺中做阻隔膜的氮化物层具有较高的选择性，并且减少了抛光表面的微观划痕现象的发生。
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公开(公告)号：CN1818002A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200510134775.9
申请日：2005-12-16
Applicant: K.C.科技股份有限公司 , 汉阳大学校产学协力团
IPC: C09K3/14 , C09C1/68 , C09C3/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明揭示一种用于STI CMP(浅槽隔离化学机械抛光)制程的抛光浆料，其为制造256M(mega)D－RAM或更大的超高集成半导体(设计标准为小于或等于0.13μm)所必需，该抛光浆料可以较高移除速率对晶圆进行抛光，与氮化物相比而言，该抛光浆料具有优异的氧化物移除选择性。该抛光浆料可应用于制造超高集成半导体制程中所需的各种图案，因此可确保优异的移除速率、移除选择性和晶圆内不均匀性(within－wafer－nonuniformity，WIWNU)，其表明移除均匀性，并且可将微划痕的发生最小化。
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