公开(公告)号：CN101241352B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200810003880.2

申请日：2008-01-28

Applicant: 三星电子株式会社 ,  财团法人首尔大学校产学协力财团

Inventor： 具俊谟 ,  崔镇荣 ,  张东薰 ,  姜秉权 ,  金杓宰 ,  宋东星 ,  张亨镇

IPC: G05B11/42

CPC classification number: G05B11/42 ,  G05B13/024 ,  G05B21/02

Abstract: 提供了一种根据控制对象的输出值与目标值之差将控制值提供给控制对象的PID控制设备和方法，在所述设备中，误差计算器输出控制对象的输出值与目标值之间的误差值，PID运算器计算误差值的比例值、积分值和导数值，使用所述比例值、积分值和导数值计算控制值，并将该控制值输出到控制对象，第一采样器相对于目标值对控制对象的输出值多次采样并输出采样的输出值，控制器控制PID运算器根据第一采样器的采样周期重复PID运算并输出控制值。

公开(公告)号：CN101241352A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200810003880.2

申请日：2008-01-28

Applicant: 三星电子株式会社 ,  财团法人首尔大学校产学协力财团

Inventor： 具俊谟 ,  崔镇荣 ,  张东薰 ,  姜秉权 ,  金杓宰 ,  宋东星 ,  张亨镇

IPC: G05B11/42

CPC classification number: G05B11/42 ,  G05B13/024 ,  G05B21/02

Abstract: 提供了一种根据控制对象的输出值与目标值之差将控制值提供给控制对象的PID控制设备和方法，在所述设备中，误差计算器输出控制对象的输出值与目标值之间的误差值，PID运算器计算误差值的比例值、积分值和导数值，使用所述比例值、积分值和导数值计算控制值，并将该控制值输出到控制对象，第一采样器相对于目标值对控制对象的输出值多次采样并输出采样的输出值，控制器控制PID运算器根据第一采样器的采样周期重复PID运算并输出控制值。

公开(公告)号：CN101404180A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200810213021.6

申请日：2008-08-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李太熙 ,  金元柱 ,  朴允童 ,  具俊谟 ,  金锡必 ,  尹泰应

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/26

CPC classification number: G11C16/0483 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568

Abstract: 本发明提供一种非易失性存储装置及其操作方法。所述非易失性存储装置可包括：一条或多条主串，每条主串可包括第一和第二子串，第一和第二子串可分别包括多个存储单元晶体管；电荷供应线，可被构造为向每条主串的第一和第二子串提供电荷或阻止电荷达到每条主串的第一和第二子串。其中，每条主串可包括：第一地选择晶体管，可连接到第一子串；第一子串选择晶体管，可连接到第一地选择晶体管；第二地选择晶体管，可连接到第二子串；第二子串选择晶体管，可连接到第二地选择晶体管。

公开(公告)号：CN101183678A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200710166997.8

申请日：2007-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡必 ,  朴允童 ,  李钟振 ,  金元柱 ,  具俊谟 ,  宋承桓

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/8234

Abstract: 示例性实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。根据示例性实施例的半导体器件可以具有减小的读取操作期间的干扰，并且可以具有减小的短沟道效应。该半导体器件可以包括半导体基底，该半导体基底具有体和从所述体突出的一对鳍。在所述一对鳍的内侧壁的上部上可以形成内部间隔绝缘层，从而减小进入所述一对鳍之间的区域的入口。栅电极可以覆盖所述一对鳍的外侧壁的一部分，并且可以延伸越过内部间隔绝缘层，从而在所述一对鳍之间限定空隙。可以在栅电极和所述一对鳍之间设置栅极绝缘层。

公开(公告)号：CN101038923A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710085478.9

申请日：2007-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴允童 ,  金元柱 ,  具俊谟 ,  金锡必 ,  玄在雄 ,  李政勋

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了一种不易受读干扰且具有改善的短沟道效应的非易失存储器件及其制造方法。该非易失存储器件可以包括具有主体和鳍对的半导体衬底。桥绝缘层可以非电连接鳍对的上部分以在所述鳍对之间界定空缺，其中所述鳍对的外表面是不面对所述空缺的鳍对的表面，且所述鳍对的内表面是面对所述空缺的鳍对的表面。该非易失存储器件还可以包括至少一个控制栅电极，覆盖所述鳍对的外表面的至少一部分，在所述桥绝缘层上方延伸，且从所述半导体衬底隔离。至少一对栅绝缘层可以位于所述控制栅电极和所述鳍对之间，且至少一对存储节点可以位于所述至少一对栅绝缘层和至少一个控制栅电极之间。

公开(公告)号：CN1728399A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200410103884.X

申请日：2004-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申尚旻 ,  金锡必 ,  朴永洙 ,  李正贤 ,  具俊谟

IPC: H01L29/00 ,  H01L27/10 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/82 ,  H01G4/33 ,  H01G4/008 ,  H01G4/08

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65 ,  Y10T29/417

Abstract: 一种铁电电容器，其中包括：包含Ir和Ru合金的第一电极；设置在第一电极上的铁电层；以及设置在铁电层上的第二电极。一种铁电存储器，包括基底和基底上设置的多个存储器单元。每一存储器单元包括：含有Ir和Ru合金的第一电极；设置在第一电极上的铁电层；以及设置在铁电层上的第二电极。

公开(公告)号：CN114566513A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202111423302.6

申请日：2021-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁英宇 ,  具俊谟 ,  金真杓 ,  朴葰颖 ,  李应揆 ,  赵廷来

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供一种图像传感器，包括：衬底，在该衬底中包括：像素区，该像素区包括多个单元像素；光学阻挡区，位于像素区的外部；以及对准键区，位于像素区的外部，衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；在衬底的第一表面下方的互连结构；在衬底的像素区中的光电转换元件；在衬底的第二表面上的绝缘层；在像素区和对准键区中的绝缘层上的网格层；键图案层，位于设置在对准键区中的绝缘层与设置在对准键区中的网格层之间，键图案层包括突出区以对应于网格层；以及在像素区中的绝缘层和网格层上的滤色器。

公开(公告)号：CN101286514A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200710301182.6

申请日：2007-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元柱 ,  朴允童 ,  具俊谟 ,  金锡必 ,  边成宰

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种非易失性存储装置及其制造方法。在该非易失性存储装置中，第一导电类型的半导体基底包含第一和第二鳍；共位线电极，连接第一和第二鳍的一端；多个控制栅电极，覆盖第一和第二鳍并横过第一和第二鳍中的每个的顶面扩展；第一串选择栅电极，置于共位线电极和多个控制栅电极之间，第一串选择栅电极覆盖第一和第二鳍并横过第一和第二鳍中的每个的顶面扩展；第二串选择栅电极，置于第一串选择栅电极和多个控制栅电极之间，第二串选择栅电极覆盖第一和第二鳍并横过第一和第二鳍中的每个的顶面扩展。在第一串选择栅电极之下的第一鳍和在第二串选择栅电极之下的第二鳍具有与第一导电类型相对的第二导电类型。

公开(公告)号：CN1990909A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610121476.6

申请日：2006-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴星昊 ,  李明宰 ,  具俊谟 ,  徐范锡

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/52 ,  H01L21/205 ,  H01L21/365

CPC classification number: C23C16/26 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  D01F9/127 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/00 ,  Y10T428/2918

Abstract: 本发明提供一种在低于450℃的低温下利用有机－金属蒸发法形成碳纤维的方法。该形成碳纤维的方法包括：在将基底装入反应室中之后，加热该基底并将基底保持在200～450℃的温度下；制备含Ni的有机金属化合物；通过蒸发该有机金属化合物，形成有机金属化合物蒸汽；及通过促进所述反应室中有机金属化合物蒸汽与含臭氧的反应气体之间的化学反应，在基底上形成碳纤维。

公开(公告)号：CN1909194A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200610105892.7

申请日：2006-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具俊谟 ,  徐范锡 ,  朴永洙 ,  李正贤 ,  申尚旻 ,  金锡必

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/02 ,  H01L21/82 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L21/02197 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明提供了能够增加贵金属层在铁电层上的沉积速率的制造材料层的方法、使用该材料层的铁电电容器的制造方法、通过该方法制造的铁电电容器、以及具有该铁电电容器的半导体存储器及其制造方法。根据制造材料层的方法，形成了铁电电容器。之后，将铁电层暴露于籽等离子体，包括籽等离子体的源材料的材料层形成在铁电层暴露于籽等离子体的区域上。