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公开(公告)号：CN102386248A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110196575.1
申请日：2011-07-08
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/068 , C03C8/18 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/02363 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池和一种制造太阳能电池的方法，所述太阳能电池包括：半导体基底；钝化膜，设置在所述半导体基底的一侧上；保护层，设置在所述钝化膜的与所述半导体基底相对的一侧上；电极，设置在所述保护层的与所述钝化膜相对的一侧上，其中，所述电极包括含有玻璃料和导电材料的导电糊的产物，其中，所述保护层包含吉布斯自由能的绝对值比所述玻璃料的每个组分的吉布斯自由能的绝对值小的材料。
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公开(公告)号：CN114464731A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202110775864.0
申请日：2021-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供硫属元素化合物、半导体器件、和半导体装置。所述硫属元素化合物包括五种或更多种元素并且可具有稳定的开关特性和低的关断电流值(泄漏电流值)。所述硫属元素化合物包括：硒(Se)和碲(Te)；包括铟(In)、铝(Al)、锶(Sr)、和钙(Ca)的至少一种的第一元素；以及包括锗(Ge)和/或锡(Sn)的第二元素，并且可进一步包括砷(As)、锑(Sb)、和铋(Bi)的至少一种。
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公开(公告)号：CN1495445A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03151491.X
申请日：2003-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02B6/00
CPC classification number: B29D11/00721
Abstract: 本发明揭示一种制备塑料光纤预制品的方法。具体来说，这种方法包括将含有一种热聚合引发剂和一种光聚合引发剂的反应物加入到反应器中，然后用旋转的反应器同时或交替进行热聚合和光聚合反应。通过本发明的方法制得的预制品与仅用一种引发剂制得的产品相比，其加工性能和物理性能都得到了改善。
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公开(公告)号：CN115707327A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210367881.5
申请日：2022-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种开关器件、制造其的方法以及包括其的存储器件。开关器件包括第一电极和第二电极以及提供在第一电极和第二电极之间并包括硫族化物的开关材料层。开关材料层包括芯部分和覆盖芯部分的侧表面的壳部分。壳部分包括具有比芯部分的电阻大的电阻的材料，例如在芯部分和壳部分中的至少一个中。
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公开(公告)号：CN103094334B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201210215829.4
申请日：2012-06-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/772 , H01L29/45 , H01L21/28 , H01L21/335
CPC classification number: H01L21/28264 , H01L29/0843 , H01L29/2003 , H01L29/42364 , H01L29/49 , H01L29/66462 , H01L29/7787
Abstract: 本发明提供了一种电极结构、包括该电极结构的GaN基半导体器件及其制造方法。该GaN基半导体器件可以包括：GaN基半导体层；以及在GaN基半导体层上的电极结构。该电极结构可以包括：包括导电材料的电极元件；以及在电极元件和GaN基半导体层之间的扩散层。该扩散层可以包括关于GaN基半导体层为n型掺杂剂的材料并且该扩散层接触GaN基半导体层。例如，扩散层可以包括从Ge、Si、Sn、Pb、GeSi及其组合中选出的至少一种。GaN基半导体层的接触扩散层的区域可以用所述n型掺杂剂掺杂。该GaN基半导体层可以包括例如GaN层和AlGaN层。GaN基半导体器件可以是高电子迁移率晶体管（HEMT）和/或可以是功率器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100557812C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200610087668.X
申请日：2006-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/143 , G11C2213/52 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/1286 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供了一种相变随机存取存储器(PRAM)及其操作方法。该PRAM包括：连接到开关器件的下电极；形成在所述下电极上的下电极接触层；相变层，所述相变层形成在所述下电极接触层上并包括与所述下电极接触层的上表面相接触的底表面；以及形成在所述相变层上的上电极。其中，所述下电极接触层由塞贝克系数的绝对值高于TiAlN的塞贝克系数的绝对值且具有负的塞贝克系数、热导率低于TiAlN的热导率、并且电阻与TiAlN的电阻类似的材料形成。
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公开(公告)号：CN1282884C
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN03151491.X
申请日：2003-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B29D11/00721
Abstract: 本发明揭示一种制备塑料光纤预制品的方法。具体来说，这种方法包括将含有一种热聚合引发剂和一种光聚合引发剂的反应物加入到反应器中，然后用旋转的反应器同时或交替进行热聚合和光聚合反应。通过本发明的方法制得的预制品与仅用一种引发剂制得的产品相比，其加工性能和物理性能都得到了改善。
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公开(公告)号：CN116891221A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310376723.0
申请日：2023-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及硫属化物材料、开关器件、和存储器件。根据一种实施方式的硫属化物材料包括：锗(Ge)；砷(As)；硫(S)；硒(Se)，以及选自铟(In)、镓(Ga)和铝(Al)的至少一种III族金属，其中Ge的含量可大于约10原子％且小于或等于约30原子％，As的含量可大于约30原子％且小于或等于约50原子％，Se的含量大于约20原子％且小于或等于约60原子％，S的含量大于约0.5原子％且小于或等于约10原子％，且所述III族金属的含量可大于约0.5原子％且小于或等于约10原子％。
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公开(公告)号：CN107026237B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN201710044340.8
申请日：2017-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/46 , H01L27/146
Abstract: 公开光电子器件、以及包括其的图像传感器和电子器件。光电子器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层、以及在所述光电转换层和所述第二电极之间的缓冲层，其中所述缓冲层包括选自如下的氮化物：氮化硅(SiNx，0
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公开(公告)号：CN107026237A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710044340.8
申请日：2017-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/46 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/307 , H01L27/14621 , H01L27/14643 , H01L27/14665 , H01L27/301 , H01L51/42 , H01L51/441 , H01L51/448 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/5096 , H01L51/5203 , H01L51/56 , H01L2251/301 , H01L2251/552 , Y02E10/549 , H01L51/44
Abstract: 公开光电子器件、以及包括其的图像传感器和电子器件。光电子器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层、以及在所述光电转换层和所述第二电极之间的缓冲层，其中所述缓冲层包括选自如下的氮化物：氮化硅(SiNx，0
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