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公开(公告)号：CN109524436B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201811091535.9
申请日：2018-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K59/10
Abstract: 提供了一种用于防止莫尔图案变得可见的图案结构，以及使用该图案结构的显示装置。图案结构包括：第一元件图案，包括以第一间距规则排列的多个第一元件；第二元件图案，包括以第二间距规则排列的多个第二元件，第二元件图案设置在第一元件图案上；以及填充层，被配置为填充多个第二元件中的相邻第二元件之间的间隙。第二元件的透射率和填充层的透射率之间的差异为约5％或更小，因此，可以防止由于第一元件图案与第二元件图案的交叠而产生的莫尔图案变得可见。
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公开(公告)号：CN109524436A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811091535.9
申请日：2018-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/32
CPC classification number: G06F3/0412 , G06F3/044 , G06K9/0002 , H01L27/323 , H01L27/3234 , H01L27/3244 , H01L27/32
Abstract: 提供了一种用于防止莫尔图案变得可见的图案结构，以及使用该图案结构的显示装置。图案结构包括：第一元件图案，包括以第一间距规则排列的多个第一元件；第二元件图案，包括以第二间距规则排列的多个第二元件，第二元件图案设置在第一元件图案上；以及填充层，被配置为填充多个第二元件中的相邻第二元件之间的间隙。第二元件的透射率和填充层的透射率之间的差异为约5％或更小，因此，可以防止由于第一元件图案与第二元件图案的交叠而产生的莫尔图案变得可见。
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公开(公告)号：CN1322030C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200310124730.4
申请日：2003-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0036 , C08G61/123 , C08G61/126 , H01B1/127 , H01L51/0003 , H01L51/0545
Abstract: 本文公开一种用于薄膜晶体管的有机半导体聚合物，该聚合物的主链中含有一种表示n-型半导体性能的单元与一种表示p-型半导体性能的单元相结合，和使用该聚合物的薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN1979913A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200510129418.3
申请日：2005-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0529 , H01L51/0036 , H01L51/0052 , H01L51/0078 , H01L51/052 , H01L51/105
Abstract: 本发明公开了一种制备有机薄膜晶体管的方法，该有机薄膜晶体管包括按此顺序形成于衬底上的栅极、栅绝缘膜、源极/漏极和有机半导体层，其中其上面形成有源极/漏极的栅绝缘膜的表面用无机或有机酸浸渍，随后进行退火。根据该方法，被光刻法损坏的栅绝缘膜表面能够有效地恢复。另外，能够制得具有高载流子迁移率和高开/关电流比的有机薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN117641940A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202310417831.8
申请日：2023-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了存储器件和包括该存储器件的存储装置。该存储器件可以包括第一电极、与第一电极间隔开的第二电极、在第一电极和第二电极之间的中间层、以及与中间层接触的界面层。中间层和界面层均可以具有双向阈值开关(OTS)特性。界面层的材料的阈值电压偏移可以大于中间层的阈值电压偏移(ΔVth)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115707327A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210367881.5
申请日：2022-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种开关器件、制造其的方法以及包括其的存储器件。开关器件包括第一电极和第二电极以及提供在第一电极和第二电极之间并包括硫族化物的开关材料层。开关材料层包括芯部分和覆盖芯部分的侧表面的壳部分。壳部分包括具有比芯部分的电阻大的电阻的材料，例如在芯部分和壳部分中的至少一个中。
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公开(公告)号：CN102786825A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210157507.9
申请日：2012-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09D4/06 , C08F283/04 , H01L51/30 , H01L51/46
CPC classification number: C09D179/08 , C08L79/08 , H01L51/0036 , H01L51/0525 , H01L51/0545 , H01L51/107 , Y02E10/549
Abstract: 提供有机钝化层组合物及含有机钝化层的晶体管和电子器件。所述有机钝化层组合物包括：包括由以下化学式1和2表示的结构单元的低聚物或聚合物，和交联剂。在化学式1和2中，各取代基与具体的说明书中定义的相同。[化学式1][化学式2]
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公开(公告)号：CN100390232C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200410100228.4
申请日：2004-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02118 , C08G61/124 , C08G73/0611 , C08L79/04 , C09D159/00 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , H01B3/442 , H01L21/02348 , H01L21/312 , H01L51/052
Abstract: 本发明公开了用于形成有机绝缘薄膜的组合物和由这种组合物形成的有机绝缘薄膜。所述的组合物包括具有马来酰亚胺结构的绝缘聚合物、交联剂和光酸发生剂以便形成交联结构。有机绝缘薄膜对随后光刻过程中使用的有机溶剂有优异的耐化学性并能提高晶体管的电性能。
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公开(公告)号：CN1622362A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410095369.1
申请日：2004-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/0052 , H01L51/0053 , H01L51/0081 , H01L51/0097 , H01L51/052 , H01L51/10 , H01L51/5237 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种包含衬底、栅极、栅极绝缘层、有机半导体层、源极－漏极和保护层的有机薄膜晶体管，其中在有机半导体层和保护层之间插入缓冲层。该晶体管使得因含有氧气和湿气的环境气体所引起的对晶体管性能的劣化和安装显示器件期间所引起的晶体管性能的下降减至最小。
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公开(公告)号：CN119947569A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411510999.4
申请日：2024-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种用于实现多级存储器的存储器设备和通过使用该存储器设备实现多级存储器的方法。该存储器设备包括：彼此分开的第一电极和第二电极；在所述第一电极和所述第二电极之间的自选择存储器层，具有双向阈值切换特性，包括基于硫属化物的材料，并且被配置为具有取决于施加到其上的电压的极性和强度而变化的阈值电压；以及电阻式存储器层，所述电阻式存储器层在所述第二电极与所述自选择存储器层之间并且具有取决于施加到其上的电压而变化的电阻特性。所述存储器设备被配置为通过改变施加在所述第一电极与所述第二电极之间的电压的脉冲极性、脉冲数量、脉冲高度和脉冲宽度中的至少一个来实现多级电阻状态。
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