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公开(公告)号：CN103178205B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210560542.5
申请日：2012-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/5607 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F10/3295
Abstract: 本发明涉及磁性结、其提供方法以及包括该磁性结的磁存储器。方法和系统提供可用于磁器件中的磁性结。所述磁性结包括被钉扎层、非磁间隔层、自由层、至少一个绝缘层、和邻接所述至少一个绝缘层的至少一个磁插入层。所述非磁间隔层位于所述被钉扎层和所述自由层之间。所述至少一个绝缘层与所述自由层和所述被钉扎层中的至少一个相邻。所述至少一个磁插入层邻接所述至少一个绝缘层。在一些方面，绝缘层包括镁氧化物、铝氧化物、钽氧化物、钌氧化物、钛氧化物、以及镍氧化物的至少其中之一。所述磁性结被配置为使得当写电流通过所述磁性结时所述自由层在多个稳定磁状态之间可切换。
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公开(公告)号：CN107070408B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201611019774.4
申请日：2016-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及自旋扭矩振荡器、包括其的电子设备和其制造方法。自旋扭矩振荡器包括：具有固定磁化的驱动参比层；非磁性隔离层；和呈现易锥磁各向异性的具有可变磁化的自由层，所述非磁性隔离层在所述参比层和所述自由层之间，所述自由层的磁各向异性能量具有沿着轴的局部最大值、在与该轴所成的角度处的局部最小值、和不同于所述局部最大值的全局最大值，所述角度大于0度，其中所述自旋扭矩振荡器配置为使得所述自由层的可变磁化围绕所述轴旋进。
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公开(公告)号：CN103887425A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310713668.6
申请日：2013-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： D.阿帕尔科夫 , A.V.科瓦尔科夫斯基 , V.尼基丁 , S.M.沃茨
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1675
Abstract: 本发明提供了磁性结和磁存储器以及用于提供磁性结的方法。该磁性结包括参考层、非磁性间隔层和自由层。非磁性间隔层在参考层和自由层之间。自由层、非磁性间隔层和参考层相对于基板形成非零度角。该磁性结被配置使得当写入电流穿过磁性结时自由层在多个稳定磁状态之间可转换。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103855297B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201310644182.1
申请日：2013-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/222 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C11/5607 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 本发明公开了一种磁性结及其提供方法以及包含该磁性结的磁存储器。该磁性结包括被钉扎层、非磁性间隔层和自由层。非磁性间隔层在被钉扎层和自由层之间。该自由层具有临界切换电流密度（Jc0）的梯度使得自由层的第一部分的第一Jc0比自由层的第二部分的第二Jc0小。自由层的第二部分比第一部分远离非磁性间隔层。磁性结配置为使得当写电流经过磁性结时自由层可在多个稳定的磁性状态之间切换。
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公开(公告)号：CN107070408A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611019774.4
申请日：2016-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及自旋扭矩振荡器、包括其的电子设备和其制造方法。自旋扭矩振荡器包括：具有固定磁化的驱动参比层；非磁性隔离层；和呈现易锥磁各向异性的具有可变磁化的自由层，所述非磁性隔离层在所述参比层和所述自由层之间，所述自由层的磁各向异性能量具有沿着轴的局部最大值、在与该轴所成的角度处的局部最小值、和不同于所述局部最大值的全局最大值，所述角度大于0度，其中所述自旋扭矩振荡器配置为使得所述自由层的可变磁化围绕所述轴旋进。
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公开(公告)号：CN103855297A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310644182.1
申请日：2013-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/222 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C11/5607 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 本发明公开了一种磁性结及其提供方法以及包含该磁性结的磁存储器。该磁性结包括被钉扎层、非磁性间隔层和自由层。非磁性间隔层在被钉扎层和自由层之间。该自由层具有临界切换电流密度（Jc0）的梯度使得自由层的第一部分的第一Jc0比自由层的第二部分的第二Jc0小。自由层的第二部分比第一部分远离非磁性间隔层。磁性结配置为使得当写电流经过磁性结时自由层可在多个稳定的磁性状态之间切换。
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公开(公告)号：CN103887425B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201310713668.6
申请日：2013-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： D.阿帕尔科夫 , A.V.科瓦尔科夫斯基 , V.尼基丁 , S.M.沃茨
Abstract: 本发明提供了磁性结和磁存储器以及用于提供磁性结的方法。该磁性结包括参考层、非磁性间隔层和自由层。非磁性间隔层在参考层和自由层之间。自由层、非磁性间隔层和参考层相对于基板形成非零度角。该磁性结被配置使得当写入电流穿过磁性结时自由层在多个稳定磁状态之间可转换。
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公开(公告)号：CN103178205A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201210560542.5
申请日：2012-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/5607 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F10/3295
Abstract: 本发明涉及磁性结、其提供方法以及包括该磁性结的磁存储器。方法和系统提供可用于磁器件中的磁性结。所述磁性结包括被钉扎层、非磁间隔层、自由层、至少一个绝缘层、和邻接所述至少一个绝缘层的至少一个磁插入层。所述非磁间隔层位于所述被钉扎层和所述自由层之间。所述至少一个绝缘层与所述自由层和所述被钉扎层中的至少一个相邻。所述至少一个磁插入层邻接所述至少一个绝缘层。在一些方面，绝缘层包括镁氧化物、铝氧化物、钽氧化物、钌氧化物、钛氧化物、以及镍氧化物的至少其中之一。所述磁性结被配置为使得当写电流通过所述磁性结时所述自由层在多个稳定磁状态之间可切换。
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