公开(公告)号：CN103178205B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201210560542.5

申请日：2012-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： X.唐 ,  D.阿帕阔 ,  S.M.瓦特斯 ,  K.穆恩 ,  V.尼基丁

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L27/22 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/5607 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/3295

Abstract: 本发明涉及磁性结、其提供方法以及包括该磁性结的磁存储器。方法和系统提供可用于磁器件中的磁性结。所述磁性结包括被钉扎层、非磁间隔层、自由层、至少一个绝缘层、和邻接所述至少一个绝缘层的至少一个磁插入层。所述非磁间隔层位于所述被钉扎层和所述自由层之间。所述至少一个绝缘层与所述自由层和所述被钉扎层中的至少一个相邻。所述至少一个磁插入层邻接所述至少一个绝缘层。在一些方面，绝缘层包括镁氧化物、铝氧化物、钽氧化物、钌氧化物、钛氧化物、以及镍氧化物的至少其中之一。所述磁性结被配置为使得当写电流通过所述磁性结时所述自由层在多个稳定磁状态之间可切换。

公开(公告)号：CN103178205A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201210560542.5

申请日：2012-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： X.唐 ,  D.阿帕阔 ,  S.M.瓦特斯 ,  K.穆恩 ,  V.尼基丁

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L27/22 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/5607 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/3295

Abstract: 本发明涉及磁性结、其提供方法以及包括该磁性结的磁存储器。方法和系统提供可用于磁器件中的磁性结。所述磁性结包括被钉扎层、非磁间隔层、自由层、至少一个绝缘层、和邻接所述至少一个绝缘层的至少一个磁插入层。所述非磁间隔层位于所述被钉扎层和所述自由层之间。所述至少一个绝缘层与所述自由层和所述被钉扎层中的至少一个相邻。所述至少一个磁插入层邻接所述至少一个绝缘层。在一些方面，绝缘层包括镁氧化物、铝氧化物、钽氧化物、钌氧化物、钛氧化物、以及镍氧化物的至少其中之一。所述磁性结被配置为使得当写电流通过所述磁性结时所述自由层在多个稳定磁状态之间可切换。