公开(公告)号：CN103971726A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410042855.0

申请日：2014-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： A.E.昂 ,  V.尼基廷 ,  M.T.克朗比

IPC: G11C11/16

CPC classification number: G11C11/1673 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明涉及电压辅助的自旋转移力矩磁随机存取存储器写方案。实施例包括用于半导体存储器件的三端头磁元件。所述磁元件包括：参考层；自由层；布置在所述参考层与所述自由层之间的阻挡层；第一电极；布置在所述电极与所述自由层之间的绝缘层；以及耦接到所述自由层的侧壁的第二电极。

公开(公告)号：CN103971726B

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201410042855.0

申请日：2014-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： A.E.昂 ,  V.尼基廷 ,  M.T.克朗比

IPC: G11C11/16

CPC classification number: G11C11/1673 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明涉及电压辅助的自旋转移力矩磁随机存取存储器写方案。实施例包括用于半导体存储器件的三端头磁元件。所述磁元件包括：参考层；自由层；布置在所述参考层与所述自由层之间的阻挡层；第一电极；布置在所述电极与所述自由层之间的绝缘层；以及耦接到所述自由层的侧壁的第二电极。

公开(公告)号：CN103855297B

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201310644182.1

申请日：2013-12-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： D.阿帕尔科夫 ,  V.尼基丁 ,  M.T.克朗比

IPC: H01L43/00 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L27/222 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/5607 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明公开了一种磁性结及其提供方法以及包含该磁性结的磁存储器。该磁性结包括被钉扎层、非磁性间隔层和自由层。非磁性间隔层在被钉扎层和自由层之间。该自由层具有临界切换电流密度（Jc0）的梯度使得自由层的第一部分的第一Jc0比自由层的第二部分的第二Jc0小。自由层的第二部分比第一部分远离非磁性间隔层。磁性结配置为使得当写电流经过磁性结时自由层可在多个稳定的磁性状态之间切换。

公开(公告)号：CN103855297A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310644182.1

申请日：2013-12-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： D.阿帕尔科夫 ,  V.尼基丁 ,  M.T.克朗比

IPC: H01L43/00 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L27/222 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/5607 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明公开了一种磁性结及其提供方法以及包含该磁性结的磁存储器。该磁性结包括被钉扎层、非磁性间隔层和自由层。非磁性间隔层在被钉扎层和自由层之间。该自由层具有临界切换电流密度（Jc0）的梯度使得自由层的第一部分的第一Jc0比自由层的第二部分的第二Jc0小。自由层的第二部分比第一部分远离非磁性间隔层。磁性结配置为使得当写电流经过磁性结时自由层可在多个稳定的磁性状态之间切换。