公开(公告)号：CN107070408A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201611019774.4

申请日：2016-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： D.阿帕尔科夫 ,  R.彻普尔斯凯 ,  V.尼基丁

IPC: H03B15/00 ,  H01L43/02

CPC classification number: H03B15/006 ,  G11C11/16 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/02

Abstract: 本发明涉及自旋扭矩振荡器、包括其的电子设备和其制造方法。自旋扭矩振荡器包括：具有固定磁化的驱动参比层；非磁性隔离层；和呈现易锥磁各向异性的具有可变磁化的自由层，所述非磁性隔离层在所述参比层和所述自由层之间，所述自由层的磁各向异性能量具有沿着轴的局部最大值、在与该轴所成的角度处的局部最小值、和不同于所述局部最大值的全局最大值，所述角度大于0度，其中所述自旋扭矩振荡器配置为使得所述自由层的可变磁化围绕所述轴旋进。

公开(公告)号：CN107070408B

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN201611019774.4

申请日：2016-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： D.阿帕尔科夫 ,  R.彻普尔斯凯 ,  V.尼基丁

IPC: H03B15/00 ,  H01L43/02

Abstract: 本发明涉及自旋扭矩振荡器、包括其的电子设备和其制造方法。自旋扭矩振荡器包括：具有固定磁化的驱动参比层；非磁性隔离层；和呈现易锥磁各向异性的具有可变磁化的自由层，所述非磁性隔离层在所述参比层和所述自由层之间，所述自由层的磁各向异性能量具有沿着轴的局部最大值、在与该轴所成的角度处的局部最小值、和不同于所述局部最大值的全局最大值，所述角度大于0度，其中所述自旋扭矩振荡器配置为使得所述自由层的可变磁化围绕所述轴旋进。