公开(公告)号：CN116230641A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202211490750.2

申请日：2022-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 何铭 ,  河大元 ,  H.辛卡 ,  朴宰贤 ,  M.萨雷姆 ,  R.帕克

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 提供了集成电路器件和形成该集成电路器件的方法。该方法可以包括提供初步晶体管堆叠，该初步晶体管堆叠包括在衬底上的上牺牲层、在衬底和上牺牲层之间的上有源区、在衬底和上有源区之间的下牺牲层、以及在衬底和下牺牲层之间的下有源区。该方法还可以包括：在下有源区的相应的相反侧表面上形成下源极/漏极区；在下源极/漏极区的第一下源极/漏极区上形成初步覆盖层，初步覆盖层包括半导体材料；将初步覆盖层转变为包括绝缘材料的覆盖层；以及在上有源区的相应的相反侧表面上形成上源极/漏极区。

公开(公告)号：CN115939139A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211159315.1

申请日：2022-09-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹承灿 ,  黄寅灿 ,  曹健浩 ,  任廷爀 ,  洪炳鹤 ,  徐康一 ,  何铭 ,  朴宰贤 ,  M.萨雷米 ,  R.帕克 ,  H.辛卡 ,  河大元

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了晶体管器件。一种晶体管器件包括衬底。该晶体管器件包括在衬底上具有下栅极和下沟道区的下晶体管。该晶体管器件包括具有上栅极和上沟道区的上晶体管。下晶体管在上晶体管和衬底之间。晶体管器件包括隔离区，该隔离区将下晶体管的下沟道区与上晶体管的上沟道区分开。此外，下晶体管的下栅极接触上晶体管的上栅极。还提供了形成晶体管器件的相关方法。